铜箔形貌对石墨烯生长质量影响的表面氧化法评判

梁勇明，周建新，张芸秋

南京航空航天大学材料科学与技术学院纳智能材料器件教育部重点实验室机械结构力学及控制国家重点实验室纳米科学研究所

摘 要：采用简化的电化学抛光工艺得到了具有平整表面的铜箔,然后分别以电化学抛光前后的铜箔为基底,通过化学气相沉积法制备了石墨烯,利用原子力显微镜、光学显微镜、扫描电镜、电子能谱仪、拉曼光谱和I-V特性电学测试仪等研究了铜箔表面形貌与石墨烯质量的关联,并通过表面氧化法来判断石墨烯是否在基底上生长完全。结果表明:在抛光铜箔上生长的石墨烯缺陷较少、形貌完整,并且导电性能明显提高;表面氧化法可以快速准确判断石墨烯的生长质量。

关键词：化学气相沉积法;石墨烯;铜箔;表面氧化法;