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偏压隧道的稳定性研究代树林1,万怡祯1,张永春21. 吉林大学建设工程学院2. 中建三局工程设计有限公司摘 要:地表倾角不同是隧道形成偏压的一种原因.由于地表不对称,隧道两侧受力状况不同,从而容易对隧道衬砌产生破坏.采用有限元分析方法研究了不同地表倾角,隧道周围变形过程及隧道锚杆和塑性区分布特征,得出了以下结论:隧道围岩变形随着地表倾角增大而增大,隧道深埋侧变形大和锚杆轴力大;隧道在地表倾角>30°时,受地形偏压影响明显,深埋侧塑性区扩大.这些研究可为受地形偏压的隧道设计提供一定的理论依据及施工建议.关键词:地表倾角;隧道变形;偏压隧道;数值模拟;......
溅射偏压对TC17合金涂层生长的影响研究王敏涓1,黄浩1,文懋2,李虎1,张书铭1,黄旭11. 北京航空材料研究院先进钛合金航空科技重点实验室2. 吉林大学材料科学系摘 要:SiC纤维增强钛基复合材料(SiCf/Ti)具有优良的力学性能,是航空领域重要的高温结构材料;高质量的先驱丝(带金属涂层的SiC纤维)是研制复合材料的关键,而这主要受溅射工艺的影响.本文采用磁控溅射法沉积TC17合金涂层,研究了沉积过程中溅射偏压对涂层生长情况的影响规律,通过X射线衍射(XRD),俄歇电子(AES),扫描电镜(SEM),表面轮廓仪和纳米压痕仪分别对涂层的晶体结构,成分,微观形貌,应力,弹性模量及硬度进行了分析.结果表明溅射偏压对合金涂层应力影响显著,随着负偏压的增大,涂层应力由张应力向压应力转变;由于压应力有利于涂......
直流负偏压对金刚石形核的影响王建军,吕反修,刘应锴,于文秀,佟玉梅摘 要:本文研究了微波等离子体化学气相沉积金刚石薄膜中,直流负偏压的大小,施加的时间和施加偏压期间的甲烷浓度对光滑Si衬底上金刚石形核的影响.发现适当的衬底负偏压可以极大地促进金刚石的形核,而过高或过低的偏压则都不利于形核.关键词:金刚石膜;形核;直流偏压;......
偏压隧道围岩压力分布规律理论研究安永林湖南科技大学土木工程学院摘 要:结合偏压隧道围岩压力的理论公式,分析偏压隧道围岩压力和破坏范围与地表倾角,埋深和围岩条件的关系.结果表明:地表倾角越大,则深埋侧的破坏范围越大,而浅埋侧的破坏范围减小;偏压程度随着埋深的增大而减小;破坏范围随着摩擦角的增大而减小,偏压程度随着计算摩擦角的增大而减小,提高软弱围岩的力学参数可以有效地改善隧道的偏压情况,而对于质量较好的围岩,改善效果并不明显.关键词:隧道工程;偏压隧道;围岩压力;......
错台偏压小间距隧道施工现场监测研究李毕华,李永盛,张亮,雷新文摘 要:云南平年隧道是一种软岩条件下洞口偏压和两个洞口有高差的浅埋小间距隧道.通过分析地表沉降,围岩内部位移,围岩压力,二衬应力等大量数据,研究了小间距隧道施工过程中围岩及支护结构的变化规律,讨论了错台偏压小间距隧道合理施工顺序.研究结论可为错台偏压小间距隧道施工提供一定的指导.关键词:错台;偏压;小间距隧道;......
Ge/Si薄膜材料生长的偏压效应研究 毛旭1,周湘萍1,王勇1,杨宇1 (1.云南大学材料科学与工程系,) 摘要:利用超高真空磁控溅射系统生长了不同偏压下Ge/Si薄膜材料,所生长的材料采用了不加偏压和加偏压的生长环境.通过X射线小角衍射分析表明,加一定偏压的Ge/Si薄膜材料的层状远比不加偏压的材料好,并且加偏压可有效降低材料的生长温度.在加15~25V偏压时,获得了300℃的生长温度下,层状优良,粗糙度小的薄膜材料. 关键词:Ge/Si薄膜材料; 偏压; X射线小角衍射; 磁控溅射; [全文内容正在添加中] ......
桃墅岭隧道右线出口偏压段进洞方案 文旭卿1,李春泉1,周小勇1 (1.江西交通工程咨询监理中心,江西,南昌,330008) 摘要:桃墅岭隧道右线出口严重偏压,重点介绍在施工中采取的进洞措施,通过对比原设计方案与实际施工方案和通过现场的监控量测,论证该方案的可行性,为今后处理偏压进洞提供典范. 关键词:桃墅岭隧道; 出口偏压; 进洞方案; [全文内容正在添加中] ......
偏压对ITO薄膜生长模式和光电性能的影响马瑞新,李士娜,锁国权,任磊北京科技大学冶金与生态工程学院摘 要:为明确溅射偏压对ITO薄膜性质的影响,用射频磁控溅射法于室温在玻璃衬底制备出ITO透明导电薄膜,研究了不同偏压下ITO薄膜的生长模式,光学和电学性能.结果表明:随着偏压的增加,薄膜沉积模式经历了沉积,沉积和扩散,表面脱附3种方式;AFM和SEM显示,偏压为100 V时,膜层表面光洁,均匀,粗糙度最小,均方根粗糙度为1.61 nm;XRD分析表明偏压会影响与薄膜的择优取向,偏压为100 V时,薄膜晶粒取向为(222)面;薄膜偏压为120 V时,薄膜的光电性能最佳,电阻率最低为2.59×10-4Ω.cm,可见光区的平均透过率在85%以上;偏压的大小使薄膜的吸收边发生了"蓝移"或"红移".
分步偏压溅射法制备碳化硅薄膜 姚振宇1,宋雪梅2,刘立明1,谭利文2,严辉2,程业浩1,陈光华2,王波2 (1.中国原子能科学研究院,北京,102413;2.北京工业大学材料学院,北京,100022) 摘要:采用分步偏压射频溅射法,通过调整衬底负偏压,在不加热的条件下成功的制备出具有一定结晶取向的sic薄膜,傅立叶红外谱的分析表明,随着衬底偏压的增大,吸收峰位于800cm-1附近Si-C键的数量增大.表明高能氩离子的轰击有利于立方相SiC(β-SiC)的形成.从傅立叶红外光谱SiC特征吸收峰的FWHM表明,采用分步偏压法制备的SiC薄膜,比采用一步偏压法制备的薄膜的质量好.从SEM测试结果表明,SiC薄膜均匀致密,表面比较光滑.同时,在不锈钢衬底上沉积了SiC薄膜,对其防氚性能的测试结果表明氚的渗透率显著下降. 关键词:分步偏压; SiC; 溅射氚渗透率; [全文内容正在添加......
偏压对金刚石薄膜选择性成核和生长影响的研究 夏义本1,张文广1,王林军1,居建华1 (1.上海大学材料科学与工程学院无机材料系,上海,201800) 摘要:利用偏压增强MPCVD法成功地实现了金刚石薄膜在附有SiO2掩膜图形的镜面抛光的Si(100)上的选择性织构生长,列举了最佳偏压成核与选择性生长条件,SEM和Raman光谱对所得样品进行了表征,并对偏压对选择性成核和生长的影响机制进行了探讨. 关键词:金刚石薄膜; 偏压形核; 选择性生长; [全文内容正在添加中] ......