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可达98%左右,Cu直收率为97.60%,杂质元素Pb,Sb,Sn和As含量分别降至0.005 8%,1.02%,0.002 3%和0.039%,脱除率分别为99.96%,95.17%,99.94%和99.84%,除杂效果明显好于直接真空蒸馏.残余物经吹炼可得能够适用于电解的阳极铜.关键词:真空蒸馏;硫化;铜砷锑多元合金;回收CuRecovering Cu from Cu-As-Sb multi...采用硫化-真空蒸馏法从铜砷锑多元合金中回收铜杨先凯1, 2, 3,杨斌1, 3,熊恒1, 3, 4,徐宝强1, 2, 3,戴永年1, 2, 3,刘大春1, 2(1. 昆明理工大学 真空冶金国家工程实验室,云南 昆明,650093; 2. 昆明理工大学 云南省有色金属真空冶金重点实验室,云南 昆明,650093; 3. 昆明理工大学 冶金与能源工程学院,云南 昆明,650093; 4. 昆明......
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还原为铜颗粒. 关键词:铜纳米颗粒;NaBH4;氢氧化铜;Cu(NH3)42+;水溶液还原法;前驱体;反应进程 (Edited by YANG Hua) Corresponding author: LIU Qing-ming; Tel: +81-52-789-3353; E-mail: luisman@126.com DOI: 10.1016/S1003-6326(11)61561-6...Trans. Nonferrous Met. Soc. China 22(2012) 2991-2996 Effects of reaction parameters on preparation of Cu nanoparticles via aqueous solution reduction method with NaBH4 LIU Qing-ming1,2, ZHOU De-bi1......
铜锑合金电解提铜工艺 刘斌1 (1.湖南华昌锑业股份有限公司,湖南益阳,413000) 摘要:研究铜锑合金电解提铜及从阳极泥中提取金和锑氧化物的新工艺.主产品金的纯度达99.48%,金直收率90%;铜的回收率93%;锑的回收率从40%提高到95%.工艺可行,不污染环境,技术易掌握. 关键词:有色金属冶金; 铜锑合金; 铜电解; 酸浸; 金熔炼; [全文内容正在添加中] ......
基合金的层错能随溶质含量的变化曲线[28] Fig. 4 Variation of stacking fault energy of Cu based alloys with change of solute content[28] 然而溶质Ti,P和Al一样,属于高价溶质元素,会导致铜合金金层错能急剧下降,这个规律与本研究的计算结果一致.表2列出了Cu及Cu-Zn合金的计算值与实验值.... Thermodynamic calculation of phase equilibria in Cu-Ni-Sn ternary system[J]. The Chinese Journal of Nonferrous Metals, 2005, 15 (11): 1848-1853. [21] 刘兴军, 王翠萍, 甘世溪, 大沼郁雄, 贝沼亮介, 石田清仁. 高性能铜合金热力学数据库的开发及其在材......
要: 研究了氧化铝微粒增强化学镀镍 (铜 , 磷 ) 合金涂层的性能.在Al2 O3和Ni (Cu , P) 合金共沉积过程中 , Al2 O3在溶液中的加入量增多 , Al2 O3在镀层中的复合量逐渐提高 ;Al2 O3的复合 , 显著改变了Ni (Cu , P) 合金沉积层的组织与性能 , 使Ni (Cu , P) Al2 O3复合材料具有更高的硬度,耐磨性和抗氧化性..., 是首选的复合对象. 本文利用化学沉积方法, 制备了Ni (Cu, P) -Al2O3复合材料, 研究了该复合材料的增强性能. 1 实验 用45#钢和铜片作为沉积基体, 在化学沉积Ni (Cu, P) 合金镀液中制备出Ni (Cu, P) -Al2O3复合材料. 溶液的组成为: 硫酸镍30~40 g/L, 硫酸铜10~15 g/L, 次亚磷酸钠25~30 g/L, 柠檬酸钠20~30......
连续冷却过程中铜含量对析出的影响李闯1,王学敏1,尚成嘉1,贺信莱1(1.北京市北京科技大学材料科学与工程学院)摘 要:研究了一系列含铜钢在连续冷却过程中的析出行为.采用1℃/s的冷却速度以及中间淬火取样方法获得铁素体组织.利用金相显微镜和透射电镜研究不同铜含量对析出的影响.结果表明:当铜的质量分数高于1.5%时,随着铁素体的产生,在铁素体内产生第二相析出颗粒.当铜的质量分数低于1%时,并未观察到第二相析出.第二相析出物为富铜颗粒,以相间沉淀方式析出.关键词:铜含量; 连续冷却; 中间淬火......
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随着深亚微米集成电路的不断发展,具有较低的电阻率和高的抗电迁移性能的铜逐渐取代铝作为超大规模集成电路金属互连材料.但铜互连线的引入产生了新的问题:比如Cu与...的影响,探讨Cu(Cr)合金薄膜在微电子领域中应用的可能性,为互连材料的开发提供参考依据. 1 实验 利用CEVP Gamma 1000c 型多靶磁控溅射仪和镶嵌Cr小棒(99.9%)的简易铜(99.99%)合金靶材,采用射频磁控溅射的方式在Si(100) 硅单晶片基底上制备合金薄膜[10].溅射仪的背底真空度为0.439~0.598 mPa,工作气体为氩气,工作气压为......
)等表征手段对活性炭进行表征并研究Cu基改性活性炭对噻吩的净化机理.研究结果表明:选用浓度为0.1 mol/L乙酸铜,焙烧温度为300 ℃,吸附温度为20 ℃,氧质量分数为1.0%时改性活性炭对噻吩的吸附催化效率有较好的效果,400 min内吸附效率达到90%;在较优条件下制备的铜基改性活性炭具有很高的比表面积,其吸附容量相对于空白提高2.8倍,吸附过程中吸附剂活性组分对气态噻吩起催化作用,其有效活...忠等[10]将Cu(CH3COO)2溶液浸渍在活性炭上,制备的Cu/AC催化剂表现出良好的催化活性.通过对催化剂微观结构表征分析,确定活性炭单一铜Cu2O是催化反应的活性组分.本文作者对工业尾气运用动态吸附装置进行吸附研究,制备铜基活性炭,考察不同活性组分,焙烧温度,吸附温度,氧质量分数对C4H4S的吸附特性并得出较好的制备与反应条件,最后,通过表征研究Cu基改性活性炭对噻吩的净化机理,最终实现工......