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→ C2A→C3A→C3C→C3D→C4D→C4C→C2D,电位梯度增大的次序为C4C→C2D→C2C→C4B→ C2B→ C3B→C2A→C3A→C4D→C3C→C4A→C3D.综合考虑,对于裸烧,盖烧和埋烧来说,1 100 ℃均为最佳的烧结温度;对于不同的烧结温度,1 000 ℃时埋烧得到的压敏瓷的电性能较好,1 100和1 200 ℃时裸 图3 不同烧结方式的压敏瓷的SEM像...) Sample C3D; (i) Sample C4A; (j) Sample C4B; (k) Sample C4C (l) Sample C4D 表2 烧结方式对压敏瓷各相X射线衍射峰面积比的影响 Table 2 Effects of sintered processes on relative X-ray......