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文章编号: 1004-0609(2006)06-1064-06 纳米CeO2的醇水法制备及其对GaAs晶片的抛光性能 陈志刚1, 李霞章2, 陈 杨1, 陈建清3, 倪超英4 (1. 江苏工业学院 材料科学与工程系, 常州 213016; 2. 江苏大学 材料科学与工程学院, 镇江 212013; 3. 河海大学 材料科学与工程系, 南京 210098; 4. 特拉华大学 材料科学与工程系, 纽华克19711, 美国) 摘 要: 在醇-水体系中以HMT为缓释沉淀剂制备了纳米CeO2粉体, 并用TEM, SAD, XRD对其进行了表征, 将制备的不同粒径纳米CeO2粉体配制成抛光液, 对GaAs晶片进行了化学机械抛光. 研究了醇的引入及煅烧温度对粉体性能的影响, 并就纳米CeO2磨料尺寸对GaAs晶片抛光后表面粗糙度的影响机理进行了探讨. 结果表明: 醇水体......
MBE生长GaAs(001)薄膜表面的Ostwald熟化过程研究王继红1,罗子江1,2,周勋1,3,郭祥1,周清1,刘珂1,丁召11. 贵州大学理学院2. 贵州财经学院教育管理学院3. 贵州师范大学物理与电子科学学院摘 要:采用带有RHEED的MBE技术,利用RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,通过RHEED强度振荡测算薄膜生长速率,在GaAs(001)基片上同质外延GaAs薄膜.利用STM对MBE生长的GaAs薄膜表面的熟化过程进行了深入研究.研究发现,随着退火时间的延长,刚完成生长的GaAs表面从具有大量岛和坑的粗糙表面逐渐熟化,在熟化过程中岛不断合并扩大并与平台结合,而坑却逐渐消失.指出当熟化过程完成后GaAs表面将进入原子级平坦状态,并详细解释了熟化过程GaAs表面各种形貌特征形成的内在原......
在RHEED实时监控下GaAs晶体生长研究 何浩1,邓朝勇1,丁召1,贺业全1,杨再荣1,周勋1,罗子江1 (1.贵州大学,理学院,贵州,贵阳,550025;2.贵州师范大学,物理与电子科学学院,贵州,贵阳,550001;3.贵州财经学院,教育管理学院,贵州,贵阳,550004) 摘要:采用分子束外延技术,利用RHEED图像可研究GaAs表面重构方式和生长机制.报道了一种新型的分子束外延方法,在RHEED实时监控下,利用GaAs(001)基片同质外延GaAs.通过改变生长和退火的时间与温度(420,500,580℃),结合RHEED图像演变与GaAs表面平整度(粗糙化)的联系,得到表面原子级平整的GaAs样品.完成生长后对样品做EDS分析,确定样品为高纯度GaAs.利用这种方法,得到厚度约为4μm砷化镓晶体. 关键词:MBE; RHEED图像; 粗糙化; EDS; GaAs表面重......
GaAs多量子阱的光电流谱 黄绮1,程兴奎2,周均铭1 (1.中国科学院物理研究所,北京100080;2.山东大学光电材料与器件研究所,山东250100) 摘要:在T=77K,测量了GaAs多量子阱的光电流,发现在ν=1312cm-1附近存在一个强电流峰,并且在这强电流峰附近的高波数区还有几个弱峰,强电流峰是量子阱中基态电子向第一激发态跃迁形成的,而弱峰与量子阱势垒以上的电子干涉有关. 关键词:GaAs量子阱; 光电流; 电子干涉; [全文内容正在添加中] ......
压痕诱导单晶GaAs非晶相变 徐永波1,贺连龙2,吴亚桥1,单智伟1,李志成1 (1.中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室,沈阳,110015;2.中国科学究金属研究所固体原子像开放研究实验室,沈阳,110015) 摘要:利用高分辨电子显微镜观察了(100)GaAs单晶Vickers压痕诱发的形变行为.结果表明,这种材料在Vickers硬度计载荷的作用下产生许多孪晶和堆垛层错,导致发生晶格扭曲,最终诱发晶体的非晶转变.孪晶,层错和晶格扭曲很可能是压痕诱发GaAs非晶转变过程中经历的变形阶段. 关键词:压痕; GaAs单晶; 非晶转变; [全文内容正在添加中] ......
液封浮区法生长GaAs晶体中的热应力 李明伟1,陈淑仙1,刘春梅3 (1.重庆大学,动力工程学院,重庆,400044;2.重庆大学"985工程"二期建设"生物功能信息分析与仪器研究中心",重庆,400044;3.河南科技大学车辆与动力学院,河南,洛阳,471003) 摘要:用有限元法对微重力环境下液封浮区(LEFZ)法生长的3英寸GaAs单晶中的热应力进行求解.假设晶体处于准定常状态且为轴对称的各向同性线弹性体.分析了液封厚度,晶体和进料棒转速对晶体中热应力分布的影响. 关键词:热应力; LEFZ法; GaAs晶体; 微重力; thermal stress; LEFZ method; GaAs crystal; microgravity; [全文内容正在添加中] ......
LEC法GaAs单晶生长中热应力分布研究 李明伟1,陈怀杰1,刘春梅1 (1.重庆大学,动力工程学院,重庆,400044) 摘要:采用有限元法对LEC法生长的3英寸GaAs单晶中的热应力进行求解.假设晶体为轴对称的各向同性线弹性体.主要讨论了不同液封厚度,轴向磁场强度以及晶体转速下的流动和传热所对应的晶体中的热应力分布,同时也考察了界面形状对应力的影响. 关键词:LEG法; 热应力; GaAs单晶; [全文内容正在添加中] ......
陷光结构在GaAs薄膜太阳电池中的应用刘雨生1,刘雯1,张淑媛1,杨富华1,2,王晓东1,21. 中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心2. 中国科学院大学微电子学院摘 要:陷光结构由于其独特的光学特性,在光伏器件中发挥的作用越来越重要.目前硅基太阳电池中陷光结构的应用很常见,然而在GaAs薄膜太阳电池中陷光结构的报道并不多.详细介绍了陷光结构的原理及其在GaAs薄膜电池中的研究现状和应用情况.综述了GaAs薄膜太阳能电池中常用的三类陷光结构:正面陷光结构(包括纳米颗粒,纳米线,纳米锥等),背面陷光结构(如镜面背反射层)以及混合陷光结构.大量研究表明,陷光结构的使用可以进一步提高GaAs薄膜电池的光电转换效率,一定程度上达到降低电池生产成本的目的.关键词:GaAs薄膜太阳电池......
张应变GaAs层引入使InAs/InP量子点有序化排列的机理研究 杜国同1,李献杰1,殷景志1,张树人1,王新强1 (1.吉林大学电子工程系,长春,130012) 摘要:采用LP-MOVPE技术,在(001)InP衬底上生长的InAs /InP自组装量子点是无序的.为了解决这个问题,在InP衬底上先生长张应变的GaAs层,然后再生长InAs层,可得到有序化排列的量子点.本文对张应变GaAs层引入使量子点有序化排列的机理进行了分析.为生长有序化,高密度,均匀性好自组装量子点提供了依据. 关键词:自组装量子点; 有序生长; 张应变GaAs层; Self-assembled quantum dots; Ordering growth; Tensile strained GaAs layer; [全文内容正在添加中] ......
GaAs(001)薄膜的表面形貌相变和表面重构刘雪飞1,吕兵1,罗子江2,王继红3,郭祥3,杨秀璋21. 贵州师范大学物理与电子科学学院2. 贵州财经大学信息学院3. 贵州大学大数据与信息工程学院摘 要:从原子级平坦的GaAs(001)-β2(2×4)重构表面出发,结合Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED)衍射图像演变和不同尺度的Scanning tunneling microscope (STM)实空间扫描图像,获取GaAs(001)薄膜表面形貌相变和表面重构的重要信息,深入地研究GaAs(001)表面形貌相变和表面重构的相互促进关系.研究发现表面重构的变化是促使表面形貌发生相变的主要动力,单一表面重构组成的GaAs(001)表面形貌更......
