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Ge纳米粒子制备技术的研究进展叶爽1,2,杨杰1,杨宇11. 云南大学光电信息材料研究所2. 云南大学物理科学技术学院摘 要:Ge纳米粒子由于其小尺寸特性而展现出的良好的光学性能吸引着人们对其不断进行深入探索.综述了Ge纳米粒子的物理和化学制备技术,如分子束外延,氢化物还原锗盐等,并对Ge纳米粒子有代表性的光学特性进行了概述,最后展望了Ge纳米粒子的未来发展方向.关键词:Ge纳米粒子;物理方法;化学方法;......
提高锗精矿质量研究杨贵生摘 要:低锗单宁锗采用"盐酸+盐浸出脱杂-三段水逆流洗涤-煅烧"工艺可以明显提高锗精矿的品质.在液固比(4.0~4.5)∶1,浸出脱杂温度40~60℃,浸出脱杂时间120~180min时,杂质Ca,Pb,Zn和Fe脱除率分别约为90%,95%,92%和80%,脱杂单宁锗中含Ge约4%,产率约45%.煅烧产率约15%,Ge收率>95%,煅烧锗精矿含Ge约27%.关键词:低锗单宁锗;浸出;脱杂;锗精矿;......
SiO2对锗尘高温富集-盐酸浸出蒸馏中Ge提取的影响刘丽霞1,2,宋波1,彭军2,安胜利21. 北京科技大学冶金与生态工程学院2. 内蒙古科技大学材料与冶金学院摘 要:为有效回收锗尘中的Ge,采用高温火法二次富集-盐酸浸出蒸馏对锗尘进行处理.研究了高温火法二次富集过程中SiO2与GeO2间相互作用规律及...SiO2中GeO2的溶解量大大降低,盐酸浸出蒸馏Ge回收率也提高,1 140℃下添加与GeO2相同摩尔含量的CaO后,盐酸浸出蒸馏Ge回收率从11.25%提高到87.24%.关键词:锗尘;高温火法二次富集;盐酸浸出蒸馏;二氧化硅;固溶;......
有机萃取分离分光光度法测定Ge－132产品中无机锗的含量胡婉芳,姚卿德有色总公司华东地勘局地质研究所摘 要:本方法是据我所开发的Ｇｅ－１３２产品及卫生部的质量指标要求制定的.方法已经南京市标准计量局审查通过,企业标准号为Ｑ／３２０１×ＳＨＺ００２－９３.此法基于四氯化碳萃取使产品中无机锗与Ｇｅ－１３２分离,以分光光度法测定产品中的无机锗量,其检出限为０．０００４％,变异系数为７．５％.关键词:无机锗;萃取;分离;分光光度法;......
氟化焙烧预处理提取低品位锗精矿中锗的工艺研究李长林,杨再磊,谢高,薛丹,窦辉,张弦,滕文,普世坤云南临沧鑫圆锗业股份有限公司摘 要:为提高低品位Ge精矿中Ge提取率,采用氟化物焙烧预处理,通过单因素优化实验和正交实验考察了氟化物用量,焙烧温度,焙烧时间对Ge提取率的影响.结果表明,NaF用量和焙烧温度对Ge提取率的影响较大,焙烧时间则不宜过长.在NaF添加量与Ge精矿质量比1∶1,焙烧温度800℃,焙烧时间2h的预处理条件下,Ge提取率最高,达到99.16%.该方法同样适用于氯化蒸馏残渣中Ge的回收,Ge回收率达91.58%,大幅降低了残渣中的Ge含量.提取过程无HF气体生成,对设备要求低,操作简单,环境友好.关键词:Ge精矿;Ge提取;氟化焙烧;氯化蒸馏;NaF;......
锗相的存在对Sr_8Ga_(16)Ge_(30) clathrates结构热电材料性能的影响 江莞1,王丽1,史啸亚1,孙正亮1,侯小伟1,陈立东1,赵德刚1 (1.中国科学院上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050;2.中国科学院研究生院,北京,100149) 摘要:无机clathrate结构化合物是非常有前景的热电材料.在镓取代的锗基clathrate结构热电材料的合成中,普遍存在锗的第二相.本研究合成了多晶Sr_8Ga_(16)Ge_(30) clathrates 结构热电材料.用X射线衍射结合样品抛光表面的背散射电子像对样品中锗相的含量进行表征.测试可知,材料表现为n型半导体,随着Ge相含量的增大,Seebeck系数绝对值增大,电导和热导率减小.功率因子最大为12.8 μW·K~(-2)cm~(-1).Sr_8Ga_(16)Ge_(30)样品......
锗铁渣在含锗烟尘中性浸出时富集锗的研究 王斌1 (1.云南驰宏锌锗股份有限公司,云南会泽,654211) 摘要:探讨了在烟化炉含Ge烟尘中性浸出时,加入Fe:Ge = 100~180:1的Ge-Fe渣对烟尘中的Ge再次富集的影响.结果表明在Ge-Fe渣:废液:水 = 4:5:2(体积比),MnO2用量:10g/L渣,50~60℃,90min,终点pH:5.2~5.4等条件下,可使Ge的富集率达到85%以上.在有效富集Ge的同时,排除了外加FeSO4引起的Fe二次污染. 关键词:锗; 富集; Ge-Fe渣; [全文内容正在添加中] ......
锗掺杂二氧化钛薄膜的溶胶凝胶法制备和性能研究 韩高荣1,赵高凌1,周婧1 (1.浙江大学,材料系,硅材料国家重点实验室,浙江,杭州310027) 摘要:二氧化钛是一种无毒,廉价,稳定的半导体材料,被广泛用作光电化学太阳能电池的电极材料,适当掺杂可以增强其光电性能.以钛酸丁酯和四正丁氧基锗烷为主要原料,采用溶胶-凝胶提拉涂膜法制备了Ge掺杂的TiO_2薄膜.通过X射线衍射,扫描电镜,紫外-可见吸收光谱,电流-电压曲线等测试手段研究了薄膜的结晶性能,微观结构和光电性能随Ge掺杂量的变化规律.结果表明,Ge掺杂量x=0.10时,形成Ti_(1-x)Ge_xO_2固溶体,x=0.15时,形成非晶态.掺锗后薄膜表面颗粒密度增大,薄膜比较致密.随着Ge掺杂量的增加,吸收光谱吸收边蓝移,光电化学性能也得到一定提高.在Ge掺杂量为0.05时,光电流达到最大值17A/m~2.同时,研究了锗掺杂对光电......
ICP-OES测定锗物料中Ge-As-Cu-Pb-Sb-Sn-Zn的方法研究王学伟,彭南兰,金婷婷云南省有色地质局测试中心摘 要:锗物料的选冶是高纯锗提纯前必经的重要阶段,详细分析锗物料的主要成分可以对锗物料的进一步选冶提纯起到事半功倍的作用.试验采用ICP-OES法对锗物料中Ge等主要元素进行测定,研究了锗物料试样制备和分解方法的选择和优化,讨论了溶液中硫酸酸度对被测元素谱线强度的影响.方法的检出限为0.00140.0407μg/mL,相对标准偏差小于3%,回收率介于95.22%102.4%.方法得到的Ge结果和现行国家标准方法得到的结果相吻合.结果表明,该方法快速准确,回收率高,是目前较理想的锗物料中Ge-As-Cu-Pb-Sb-Sn-Zn等多元素准确测定方法.关键词:ICP-OES......
高Ge成份SiGe合金弛豫及热应变的Raman光谱研究 崔继锋1,吴贵斌1,赵炳辉1,叶志镇1 (1.浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027) 摘要:采用Raman光谱对高Ge含量的锗硅合金中的应变驰豫进行研究,运用Mooney的两种方法对合金中Ge成分及应力进行了分析,并用HRXRD对其分析结果进行了验证.最后分析了热应变对Si1-xGex外延的影响. 关键词:锗硅; 拉曼; 高分辨XRD; 应变驰豫; 热应变; [全文内容正在添加中] ......
