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基于高电阻率衬底的Si/SiGe HBT 史辰1,陈建新1,谢万波1,杨维明1,吴楠1 (1.北京工业大学光电子技术实验室,北京,100022) 摘要:介绍了一种基于电阻率高达1000Ω·cm的硅衬底的锗硅异质结晶体管的研制.首先根据衬底寄生参数模型分析了衬底对器件高频性能的影响,然后设计了器件的材料与横向结构尺寸,该器件采用掩埋金属自对准技术在3μm工艺线上制备而成,测得其典型直流电流增益为120,BVCEO为9.0V,fT为10.2GHz,fmax为5.3GHz,比同结构尺寸的常规N+衬底Si/SiGe HBT的fT和fmax分别高出3.9GHz和1.5GHz. 关键词:锗硅合金; 异质结晶体管; 高阻衬底; SiGe alloy; HBT; High resistivity substrate; [全文内容正在添加中] ......
UHV/CVD Low-Temperature Si Epitaxy Used for SiGe HBT Shen Guanhao1,CHEN Peiyi1,HUANG Wentao1,TSIEN Peihsin1,Zhang Wei1,Li Xiyou1,Liu Zhihong1,CHEN Changchun1 (1.Institute of Microelectronics.... Moreover, the dopant profiles were very abrupt. X-ray diffraction investigation of the epitaxial Si layer showed the quality of Si layer was very high.SiG e HBT device was fabricated by using a revised......
InGaP/GaAs HBT费米统计律下的数值模拟计算 陈建新1,李爱珍1,彭鹏1 (1.中国科学院上海冶金研究所,) 摘要:用费米分布函数对 HBT结构中载流子的分布进行了计算 , 与常用的玻尔兹曼统计律得到的载流子分布进行了比较分析 . 同时在热场发射 -扩散模型的基础上 , 用两种方法得到的载流子分布分别对 InGaP/GaAs HBT进行了数值模拟计算和分析 . 关键词:InGaP/GaAs; HBT; 费米统计律; 载流子分布; [全文内容正在添加中] ......
横向尺寸的变化对SiGe HBT高频噪声的影响 徐学良1,邱建军2,张静1,张正元1,谢红云2,杨经纬2,张万荣2,王健安1,刘道广1,金冬月2,高攀2 (1.模拟集成电路国家重点实验室,重庆,400060;2.北京工业大学,电控学院,北京,100022) 摘要:从发射极条宽,发射极条长,基极条数,发射极与基极间距四个方面分析了横向尺寸变化对SiGe HBT高频噪声的影响.结果表明增加发射极条长,基极条数和减小发射极与基极间距可以较为有效地减小晶体管噪声,而减小发射极与基极间距对噪声的改善效果比较显著.发射极与基极间距从1μm减小到0.5μm,2GHz工作频率下最小噪声系数可减小9dB,在0.5GHz工作频率下最小噪声系数可降至1.5dB,2GHz工作频率下最小噪声系数为3dB. 关键词:HBT; SiGe; 横向尺寸; 高频噪声; HBT; SiGe; Geometrical......
InGaP/GaAs微波HBT器件与电路研究及应用进展 林玲1,徐安怀1,孙晓玮1,齐鸣1 (1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;2.中国科学院研究生院,北京,100039) 摘要:概述了近年来微波InGaP/GaAs异质结双极晶管(HBT)器件和集成电路的研究和应用现状,着重阐述了HBT器件的热设计,降低偏移电压,离子注入隔离,湿法腐蚀,以及用于电路设计的等效电路模型等关键问题. 关键词:异质结双极晶体管; InGaP/GaAs; 微波单片集成电路; [全文内容正在添加中] ......
GaInP/GaAs HBT高频噪声特性分析 刘海文1,车延锋2,孙晓玮2,程知群2 (1.上海交通大学电子工程系,上海,200030;2.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050) 摘要:通过器件Z参数分析噪声等效电路及计算最小噪声系数,利用HP ADS软件仿真了等效电路元件对最小噪声系数的影响,从而得出了根据器件几何,物理参数来改进器件高频噪声性能的有效途径. 关键词:异质结双极性晶体管; 最小噪声系数; 噪声等效电路; [全文内容正在添加中] ......
具有高电流处理能力的多发射极条微波功率GeSi HBT 李佳1,甘军宁1,金冬月1,谢红云1,沈珮1,张万荣1 (1.北京工业大学电子信息与工程控制学院,北京,100124) 摘要:本文对多发射极条(指)微波功率GeSi HBT进行了设计,制造和测试,并就测试结果对电流处理能力进行了研究.实验结果表明,对20~80指的GeSi HBT,发射极单位长度的电流密度I0在1.67~1.06A/cm之间变化.随发射极条数的增加,I0逐渐减少,分析认为这是由发射极条之间的热耦合引起有源区的温度非均匀分布而导致的.并且通过测试所得到的I0值,证明多指GeSi HBT可通过选择合适的发射极条数,条长和发射区面积获得更高的电流处理能力. 关键词:锗硅异质结双极晶体管; 热耦合效应; 电流处理能力; [全文内容正在添加中] ......
InGaAs/InP HBT材料的GSMBE生长及其特性研究 徐安怀1,邹璐1,陈晓杰1,齐鸣1 (1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050) 摘要:本文报道了采用气态源分子束外延(GSMBE)技术生长InGaAs/InP异质结双极晶体管(HBT)材料及其特性的研究.通过对GSMBE生长工艺的优化,在半绝缘(100) InP衬底上成功制备了高质量的InGaAs/InP HBT材料,InGaAs外延层与InP衬底的晶格失配度仅为4×10-4量级,典型的InP发射区掺杂浓度(4×1017 cm-3)时,电子迁移率为800 cm2·V-1·s-1,具有较好的电学特性,可以满足器件制作的要求. 关键词:分子束外延; 异质结双极晶体管; InGaAs; InP; [全文内容正在添加中] ......
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Comparison of neutron irradiation effects on the electrical performances of SiGe HBT and Si BJTMENG Xiangti WANG Ruipian KANGAiguo, WANG Jilin, J1A Hongyong, CHEN Peiyi and Peihsin TsienInstitute...; The change of electrical performances of silicon-germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistor (HBT) and Si bipolar junction transistor (BJT) was studied as a function of reactor fast neutron......
