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ZnO纳米陶瓷的I-V特性 邵光杰1,王文魁1,刘日平1,秦秀娟1 (1.燕山大学,亚稳材料科学与技术重点实验室,河北,秦皇岛,066004;2.中国科学院物理研究所,北京,100080) 摘要:采用连续成型工艺压制纳米ZnO素坯,常压烧结制备了高密度纳米ZnO陶瓷.场发射扫描电镜显示,纳米ZnO陶瓷体微观组织紧密,晶粒尺寸和密度分布均匀.在小电流区测定了纳米ZnO陶瓷的I-V曲线.结果表明,高密度纳米ZnO陶瓷具有良好的非线性伏安特性,其非线性系数高于传统的ZnO陶瓷. 关键词:ZnO; 纳米陶瓷; 非线性伏安特性; [全文内容正在添加中] ......
金属/Hg1-xMnxTe接触的I-V特性研究 介万奇1,王泽温1 (1.西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710012) 摘要:分别采用溅射和蒸发镀膜法在Hg1-xMnxTe试样表面形成了Au/Hg1-xMnxTe和Al/Hg1-xMnxTe接触,并用Aligent4155c I-V测试仪对其I-V特性进行了测量,随后对试样在10%NH4F:10%H2O2:H2O中进行了钝化处理,并对处理后的试样再次进行了I-V测量,对于测试结果用热电子发射-扩散理论进行了分析.结果表明:Au与Hg1-xMnxTe形成了良好的欧姆接触,而Al与Hg1-xMnxTe形成了具有整流特性的肖特基接触,其肖特基势垒的理论推算值为0.38eV.钝化处理后的试样,其表面漏电现象明显降低,Au/Hg1-xMnxTe接触的电流下降幅度在0.1V时最大,为76.1%;而Al/Hg1-xMnxTe接触在0.2V时......
DOI: 10.11817/j.issn.1672-7207.2018.11.025 近爆冲击波和破片群联合作用下I-V型夹芯板的防护性能研究 田力1, 2,胡建伟1 (1. 天津大学 建筑工程学院,天津,300072; 2. 天津大学 滨海土木工程结构与安全教育部重点实验室,天津,300072) 摘要:为了研究民用建筑物墙,板构件在近爆冲击波及破片联合作用下的防护性能,提出1种新型I-V型夹芯板防护结构;利用非线性有限元分析软件LS-DYNA,分析冲击波,破片群单独作用及二者联合作用下I-V型夹芯板的毁伤效果的差异;在保持用钢质量不变的前提下,从夹芯板质量损失,能量吸收和竖向峰值位移3个方面,研究夹芯板的上,下面板厚度及夹芯层配置对其防护性能的影响,并与其他类型的夹芯板进行对比.研究结果表明:冲击波和破片群联合作用下对夹芯板的破坏效果具有叠加累积效应,明显强于两者单一作用下破坏效果的线......
Mg2Si/Si异质结的制备及I-V特性研究王善兰1,廖杨芳1,2,吴宏仙1,梁枫1,杨云良1,肖清泉1,谢泉11. 贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所2. 贵州师范大学物理与电子科学学院摘 要:采用磁控溅射和热处理系统制备Mg2Si/Si异质结.首先在n-Si(111)衬底上沉积Mg膜,经热处理后得到Mg2Si/Si异质结.利用XRD,SEM,表面轮廓仪,伏安特性测试仪和霍尔效应测试仪,研究了Mg2Si/Si异质结的晶体结构,表面形貌,Mg2Si薄膜厚度,I-V特性及导电类型.结果表明,成功制备了Mg2Si/Si异质结,并得到其平均载流子浓度(-9.30×1012 cm-3),导通电压(0.31V),导通电流(0.6mA),工作电压(0.53V)等,测得该异质结为n-n型......
ZnO/n-Si异质结的I-V,C-V特性研究熊超1,2,肖进1,丁丽华1,陈磊1,袁洪春1,徐安成1,周详才1,朱锡芳1,潘雪涛11. 常州工学院光电工程学院2. 华南理工大学电子与信息学院摘 要:本文通过磁控溅射Al掺杂的ZnO陶瓷靶,在n-Si片上沉积n型电导的ZnO薄膜而制备的ZnO/n-Si异质结,并通过测试其光照下的I-V,C-V特性对其光电特性以及载流子输运特性与导电机理进行了研究.研究表明ZnO/n-Si异质结存在良好的整流特性与光电响应,可以广泛应用在光电探测和太阳能电池等领域.由于在ZnO/n-Si异质结界面处的导带补偿与价带补偿相差太大的缘故,在正向电压超过0.8 V时,导电机理为空间电荷限制电流导电.同时研究表明ZnO/n-Si异质结界面存在大量界面态,可以通过减小界面态可以进......
3D基底上碳纳米管场发射I-V特性建模与计算霍海波,麻华丽,丁佩,曾凡光郑州航空工业管理学院数理系摘 要:利用有限元分析软件ANSYS分析了在平面上引入立体墙结构的阴极电场分布,给出了立体墙结构阴极表面的场强分布曲线,结合F-N方程计算了在立体结构上生长碳纳米管和平面型冷阴极上直接生长碳纳米管的电流密度,通过数值计算计算了总的场发射电流,结果表明,场发射电流随场强的变化非常大,立体墙结构型冷阴极场发射电流与平面型冷阴极发射电流相比,场发射能力得到极大的增强.关键词:场发射;立体结构;有限元;......
考虑自热效应的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管建模与仿真姜霞1,2,赵正平2,张志国2,骆新江3,杨瑞霞1,冯志红21. 河北工业大学信息工程学院2. 中国电子科技集团公司第13研究所3. 杭州电子科技大学电子信息学院摘 要:基于电荷控制模型,分析了极化,载流子迁移率,饱和电子漂移速度,导带断续,掺杂浓度,沟道温度等与自然效应的关系,并考虑了寄生电阻对自热效应的影响,建立了模拟AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管直流I-V特性的解析模型.通过与试验值的对比,该模型具有较高的精度,并且计算过程简单,可以用来指导器件结构和电路的设计.关键词:AlGaN/GaN;高电子迁移率晶体管;解析模型;自热效应;直流I-V特性;......
Au与p-CZT晶体的接触特性及其CZT表面处理状态的影响 汪晓芹1,介万奇1,李强1,查钢强1,杨戈1,傅莉1 (1.西北工业大学,材料科学与工程学院,陕西,西安,710072) 摘要:对不同腐蚀,钝化表面处理的CZT晶片与Au接触的I-V特性进行了研究.用XPS分析了钝化前后CZT晶体表面成分,发现钝化后CZT晶片表面形成厚度为3.1nm的TeO2氧化层.用Agilent 4339B高阻仪进行未腐蚀,腐蚀与腐蚀钝化的CZT晶片I-V特性测试,结果表明腐蚀和腐蚀钝化均能不同程度提高Au/p-CZT接触的势垒高度,相应地减小了漏电流. 关键词:Schottky接触; 钝化; I-V特性; [全文内容正在添加中] ......
多孔硅电学特性研究 刘博1,宋阳1,胡明1,房振乾1 (1.天津大学,电子信息工程学院,天津,300072) 摘要:采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅材料,形成了Pt/多也硅/P+型单晶硅/多孔硅/Pt的样品微结构.主要研究了腐蚀条件及氧化后处理对这一微结构横向I-V特性的影响.结果表明该微结构横向I-V特性主要由多孔硅层的电学特性所决定,呈现出非整流的欧姆接触特性. 关键词:多孔硅; 双槽电化学腐蚀法; I-V特性; 欧姆接触; [全文内容正在添加中] ......
隧道结在多结太阳电池中的应用 张永刚1,李爱珍1,朱诚1 (1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050) 摘要:主要应用高掺杂的p-n结理论进行隧道结的计算研究工作,针对GaInP/GaAs双结电池的结构,选择不同的宽禁带材料研究隧道结I-V特性以及不同的掺杂浓度对于其I-V特性的影响,寻找出掺杂浓度与隧穿电流的关系曲线.结果表明: 随着掺杂浓度的提高,峰值电流密度逐渐增大; 对于GaInP/GaAs太阳电池,隧道结采用GaInP材料比采用GaAs材料性能要好的多. 关键词:隧道结; 隧穿电流; 串接太阳电池; I-V特性; [全文内容正在添加中] ......