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VInH4在InP材料中的影响 曹立新1,孙同年1,吴霞宛2,杨光耀1,孙聂枫1,赵有文1,郭维廉2,赵权3 (1.信息产业部电子第十三研究所,石家庄050002;2.天津大学电子工程系,天津300072;3.信息产业部电子第四十六研究所,天津300192) 摘要:在未掺杂和掺Fe的LEC-In中用FT-IR测试到VInH4的存在.已经证实该缺陷在LEC-InP中普遍存在.经研究表明在掺Fe的InP中的VInH4浓度比在未掺杂中的高.而在同一晶锭中其浓度分布是头部高,尾部低.讨论了其对未掺杂InP的电子特性和掺Fe的InP的补偿的影响,及其对InP热稳定性的影响. 关键词:InP; VInH4; 补偿; [全文内容正在添加中] ......
利用铟和磷直接反应合成InP纳米晶 赖泽锋1,于美燕1,信春雨2,王琪珑2,刘振刚1,盖利刚1 (1.山东大学,化学与化工学院,山东济南,250100;2.山东大学,研究生院,山东济南,250100) 摘要:以金属铟和白磷为原料,在苯热条件下直接反应合成了InP纳米晶,研究了反应温度对InP纳米晶物相的影响.XRD和选区电子衍射测试结果证明样品为立方相InP纳米晶.微观形貌观测结果证明:在300℃合成的InP纳米晶体粒度均匀,而且团聚现象较少.当温度为200℃时,InP纳米晶的结晶质量较差,如果把温度升高到400℃,InP纳米晶的结晶质量得到进一步改善. 关键词:InP纳米晶; 溶剂热合成; 元素直接反应; [全文内容正在添加中] ......
感应耦合等离子刻蚀InP工艺 张靖1,江山1,张瑞康1,陈磊1 (1.武汉光迅科技股份有限公司,武汉,430074) 摘要:采用Cl2/CH4/N2感应耦合等离子体对InP进行了刻蚀.系统地讨论了RF功率,ICP功率,反应腔压力,气体流量等工艺参数对InP材料端面刻蚀的影响.通过优化工艺参数,获得了光滑垂直的InP刻蚀端面,刻蚀速率达到841 nm/min,与SiO2的选择比达到15:1. 关键词:干法刻蚀; 感应耦合等离子体; InP; 刻蚀端面; [全文内容正在添加中] ......
InP量子点的掺杂及其光学性能杨锁龙,王晓方,蒋春丽,赵雅文,曾荣光,王怀胜,赖新春表面物理与化学重点实验室摘 要:采用原位成核掺杂法合成了Li,Zn金属离子掺杂的InP量子点(分别记为Li:InP和Zn:InP),并研究了掺杂剂对量子点的结构,尺寸和光学性能的影响.研究结果表明,Li+,Zn2+掺杂的InP量子点结晶度较高且尺寸均匀.虽然Li+掺杂未引起InP量子点的结构发生变化,Li+未进入InP晶格,但是抑制了InP量子点的成核与长大,使其吸收谱和荧光谱均发生大幅度的蓝移.Zn掺杂同样也抑制InP量子点的成核与长大,并且形成InP/Zn3P2/ZnO复合核壳结构,显著增强了InP量子点的荧光,尤其是当Zn掺杂浓度(Zn/In原子比)为0.2时,InP量子点的荧光强度增加近100多倍,这对短波长......
第一性原理研究InP的能带结构与光学性能 赵宏健1,周珏辉1,薛晶文1,赵宏伟2 (1.浙江大学材料科学与工程学系,杭州,310027;2.吉林大学机械科学与工程学院,长春,130032) 摘要:采用基于局域密度近似的第一性原理方法计算了InP的能带结构和电子态密度,并对InP晶体的电荷分布进行了Mulliken布局分析.计算表明InP是直接带隙半导体材料,其价带主要由In的5s以及P的3s,3p态电子构成,导带主要由P的3p以及In的5s,5p态电子构成;P原子与In原子的电子重叠布局数达2.30,表明In-P键的共价性较强而离子性较弱.利用Kramers-Kronig色散关系对InP的介电函数,能量损失谱,折射率以及吸收系数等进行了计算,计算结果与实验值基本一致.此外,根据计算的能带结构与态密度分析了InP电子结构与光学性质的内在联系,解释了InP材料光学性能的微观机制. 关......
Cl2/Ar感应耦合等离子体刻蚀InP工艺研究 李晓良1,朱海波1 (1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;2.中国科学院研究生院,北京,100039) 摘要:采用Cl2/Ar感应耦合等离子体对InP进行了刻蚀.讨论了直流自偏压,ICP功率,气体总流量和气体组分等因素对刻蚀速率和粗糙度的影响.结果表明Cl2/Ar气体组分是决定刻蚀效果的重要因素.当Cl2含量为30%左右时,刻蚀中的物理溅射与化学反应过程趋于平衡,刻蚀速率处于峰值区,同时刻蚀粗糙度也可达到最小值.SEM照片显示刻蚀表面光洁,侧壁陡直. 关键词:干法刻蚀; 感应耦合等离子体; InP; 刻蚀速率; 粗糙度; [全文内容正在添加中] ......
InP Bulk Crystals Grown from Various Stoichiometric Melt Sun Tongnian1,Zhao Zhengping2,Sun Niefeng3,Zhou Xiaolong1,Wu Xiang2,Mao Luhong3 (1.National Key Laboratory of ASIC, Hebei Semiconductor..., China) Abstract:InP crystal was grown from stoichiometric or non-stoichiometric melt, including P-rich and In-rich condition by the P-injection synthesis LEC method. Owing to the non-stoichiometric......
电感耦合等离子体刻蚀InP端面的掩膜特性研究 孙长征1,郝智彪1,罗毅1,熊兵1,王健1 (1.集成光电子国家重点实验室,清华大学电子工程系,北京,100084) 摘要:深入研究了掩膜制作工艺对电感耦合等离子体刻蚀的InP端面的影响.首先比较了光刻胶,SiO2和Si3N4三种材料的掩膜特性,发现掩膜图形的致密性,侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响.然后通过优化SF6等离子体刻蚀Si3N4的条件,得到了边缘平整且侧壁垂直的掩膜图形.利用这一掩膜制作技术,获得了深度达7μm的光滑垂直的InP刻蚀端面,选择比达15:1. 关键词:干法刻蚀; 掩膜; ICP; InP; 刻蚀端面; [全文内容正在添加中] ......
1.0 μm gate-length InP-based InGaAs high electron mobility transistors by mental organic chemical vapor depositionGAO Cheng(高成)1, LI Hai-ou (李海鸥)2, HUANG Jiao-ying(黄姣英)1, DIAO Sheng-long(刁胜龙)1(1...)Abstract:InGaAs high electron mobility transistors (HEMTs) on InP substrate with very good device performance have been grown by mental organic chemical vapor deposition (MOCVD). room temperature Hall......
InP低温缓冲层的表面形貌及对其外延层生长的影响 黄辉1,熊德平1,任晓敏1,王琦2,黄永清1,任爱光1 (1.北京邮电大学光通信中心,北京,100876;2.北京邮电大学继续教育学院,北京,100876) 摘要:采用两步生长法用金属有机物气相外延技术在GaAs(100)衬底生长InP,用原子力显微镜探索了退火和未退火的低温缓冲层以及InP外延层的表面形貌,测量了他们的表面均方根值,讨论了低温缓冲层表面形貌随生长温度的变化以及退火对其表面形貌的影响,并分析外延层与低温缓冲层表面形貌的依赖关系,外延层表面形貌均方根值与XRD测量值一致,在450 ℃生长低温缓冲层,外延层有最好的表面形貌. 关键词:退火; 原子力显微镜; 均方根; 低温缓冲层; low temperature buffer (LTB); atomic force microscopy (AFM); root......
