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MBE方法在GaAs(001)衬底上外延生长GaSb膜 杨培志1,邓书康1,涂洁磊1,廖华1,申兰先1,牛智川2,郝瑞亭1,徐应强2 (1.云南师范大学,太阳能研究所可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,云南,昆明,650092;2.中国科学院半导体研究所,超晶格国家重点实验室,北京,100083) 摘要:利用分子束外延方法(MBE)在GaAs(001)衬底上外延生长了GaSb薄膜,利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM),原子力显微镜(AFM),Hall效应(Hall Effect)和低温光荧光谱(LTPL)等手段对薄膜的晶体质量,电学性能和光学质量进行了研究.发现直接生长的GaSb膜表面平整,空穴迁移率较高.引入GaSb/AlSb超晶格可有效阻断进入GaSb外延层的穿通位错,对应的PL谱强度增强,材料的光学质量变好. 关键词:GaSb; GaAs; 分子束外延(MBE......
真空度对MBE GaAs光阴极激活结果的影响 牛军1,陈怀林1,常本康1 (1.南京理工大学,电子工程与光电技术学院,江苏,南京,210094) 摘要:采用分子束外延(MBE)技术生长的GaAs光阴极材料,按照常规方法进行高-低温两步激活时,总是出现低温灵敏度比高温低的反常现象.研究中,当激活时的系统真空度从1×10~(-7)Pa提升到1×10~(-8)Pa时,发现结果能够重新出现低温灵敏度比高温灵敏度高30%的预期规律.此外,在系统真空度为10~(-7)Pa条件下,由于变掺杂材料的表面掺杂浓度较低,其出现光电流时的首次进Cs时间也较均匀掺杂材料长,而在真空度为约10~(-9)Pa条件下,这一情况也不再明显.初步分析造成该现象的原因,是与MBE材料的掺杂元素及其低温处理特性对真空度比较敏感有关.MBE阴极激活结果受系统真空度条件影响较大,因此对MBE变掺杂光阴极的制备工艺应随系统真......
MBE生长AlGaAsSb/InGaAsSb材料的应变控制 张永刚1,唐雄心1,李爱珍1,郑燕兰1,唐田1 (1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050) 摘要:基于理论计算和实验,对采用MBE方法生长的不同组份的AlGaAsSb/InGaAsSb材料的应变进行了研究.结果表明,通过对材料中的As组份调节,可以对材料中的应变进行控制,达到良好的应变补偿效果,实验结果和理论计算相当吻合. 关键词:InGaAsSb; AlGaAsSb; 应变; [全文内容正在添加中] ......
MBE用高纯钼部件的研制石应江西北有色金属研究院 宝鸡 721014摘 要:探讨了用Mol粉,经过2次电子束熔炼后,再用最佳EBFZM工艺制取高纯钼的工艺和用Φ16mm×100mm高纯钼条重溶化大锭制取Φ90mm×3mmMBE用高纯钼底垫的可行性,从而成功地制取了大尺寸高纯钼部件.并成功地将纯度大于4N的高纯钼部件应用于MBE-Ⅲ,Ⅳ型设备上制作出了μ77K=1.52×105cm2/v·s的AlGaAs/GaAs材料.本工艺的探索成功为今后用小尺寸高纯原料制取常规尺寸高纯部件开辟了道路.关键词:高纯钼;区域熔炼;分子束外延;......
InGaAs/GaAs异质薄膜的MBE生长研究罗子江1,2,周勋1,3,杨再荣1,贺业全1,何浩1,邓朝勇1,丁召11. 贵州大学理学院2. 贵州财经学院教育管理学院3. 贵州师范大学物理与电子科学学院摘 要:利用分子束外延技术,在GaAs(001)基片上外延InGaAs/GaAs异质薄膜,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,确定薄膜中In/Ga的组分比,并提出控制InGaAs薄膜中In/Ga组分比的生长方法.根据RHEED图像,指出获得的InGaAs薄膜处于(2×3)表面重构相.样品经过淬火至室温后对样品做STM扫描分析,证实样品为表面原子级平整的InGaAs/GaAs异质薄膜.关键词:MBE;RHEED;STM;InGaAs异质薄膜;......
Ge基GaAs薄膜和InAs量子点MBE生长研究高晓强1,2,王凯2,邓闯2,贺端威11. 四川大学原子与分子物理研究所&物理科学与技术学院2. 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室摘 要:采用分子束外延(MBE)法,在优化Ge衬底退火工艺的基础上,通过对比在(001)面偏<111>方向分别为0°,2°,4°和6°的Ge衬底上生长的GaAs薄膜,发现当Ge衬底的偏角为6°时有利于高质量GaAs薄膜的生长;通过改变迁移增强外延(MEE)的生长温度,发现在GaAs成核温度为375℃时,可在6°偏角的Ge衬底上获得质量最好的GaAs薄膜.通过摸索GaAs/Ge衬底上InAs量子点的生长工艺,实现了高效的InAs量子点光致发光,其性能接近GaAs衬底上直接生长的InAs量子点......
MBE方法制备高致密W-Cu梯度功能材料的研究 谢建新1,刘彬彬1,鲁岩娜1 (1.北京科技大学,北京,100083) 摘要:采用多坯料挤压法结合粒度配比,热压固相烧结法制备了3层W-Cu梯度功能材料,并对微观组织及性能进行了分析.结果表明:多坯料挤压法制备的3层坯体,层与层之间结合紧密,各层形状规整,厚度均匀;热压固相烧结后可得到近全致密的W-Cu梯度材料,层与层之间的界面位置清晰,组织结构致密,成分分布保持为最初的梯度设计结果,各层中Cu相形成了理想的网络结构,W颗粒镶嵌在网状结构中;封接层,中间层,散热层的相对密度分别达到98.3%,99.3%和99.9%,硬度分别为91.3,93.6和74.0 HRB.在室温~100 ℃范围内,封接层的热膨胀系数为6.97×10-6/℃,可实现与BeO基板材料良好的热匹配. 关键词:梯度功能材料; 钨铜合金; 多坯料挤压; 相对密度......
MBE生长GaAs(001)薄膜表面的Ostwald熟化过程研究王继红1,罗子江1,2,周勋1,3,郭祥1,周清1,刘珂1,丁召11. 贵州大学理学院2. 贵州财经学院教育管理学院3. 贵州师范大学物理与电子科学学院摘 要:采用带有RHEED的MBE技术,利用RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,通过RHEED强度振荡测算薄膜生长速率,在GaAs(001)基片上同质外延GaAs薄膜.利用STM对MBE生长的GaAs薄膜表面的熟化过程进行了深入研究.研究发现,随着退火时间的延长,刚完成生长的GaAs表面从具有大量岛和坑的粗糙表面逐渐熟化,在熟化过程中岛不断合并扩大并与平台结合,而坑却逐渐消失.指出当熟化过程完成后GaAs表面将进入原子级平坦状态,并详细解释了熟化过程GaAs表面各种形貌特征形成的内在原......
Effect of growth-interrupted method on quality of AlGaAs/GaAs multiple quantum wells prepared by MBE GUO Feng-yun(国凤云), WANG Huai-mang(王怀芒), ZHAO Lian-cheng(赵连城) Department of Materials Physics... epitaxy(MBE) with growth-interrupted heterointerface (GIH) method and continuous growth (CG) method, respectively. The microstructures of the MQWs were characterized by double-crystal X-ray rocking curve......
图形化衬底对高In组分InGaN材料分子束外延(MBE)生长的影响李宝吉1,2,吴渊渊2,陆书龙2,张继军11. 上海大学材料科学与工程学院2. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件及先进材料研究部摘 要:研究了不同衬底上MBE技术生长的InGaN的光学和结构特征.结果表明,在相同生长条件下,用图形化衬底生长的InGaN材料比用普通衬底生长的材料有较低的表面粗糙度和背景载流子浓度及较强的发光强度.通过透射电子显微镜(TEM)观察,发现普通衬底生长的InGaN内部原子错排现象严重,而采用图形化衬底生长的InGaN原子排列清晰规则.这主要是因为图形化衬底材料外延初期为横向生长模式,这种生长模式可有效地抑制穿透位错在GaN材料体系中的纵向延伸,降低GaN缓冲层中的位错密度,进而抑制外延InGaN材......
