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探测器级NTD硅单晶的研制 李强1 (1.洛阳单晶硅有限责任公司,) 摘要:介绍了探测器级 NTD 硅单晶的制作工艺,并对如何保证探测器级 NTD 硅单晶的质量进行了讨论. 关键词:探测器级; NTD; 硅单晶; [全文内容正在添加中] ......
Activation Energy for Decomposition of Complexes Donor in NTD FZ(H) Silicon李怀祥,陈燕生,刘桂荣,段淑贞摘 要:ＡｃｔｉｖａｔｉｏｎＥｎｅｒｇｙｆｏｒＤｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎｏｆＣｏｍｐｌｅｘｅｓＤｏｎｏｒｉｎＮＴＤＦＺ(Ｈ)ＳｉｌｉｃｏｎＬｉＨｕａｉｘｉａｎｇ；ＣｈｅｎＹａｎｓｈｅｎｇ；ＬｉｕＧｕｉｒｏｎｇａｎｄＤｕａｎＳｈｕｚｈｅｎ(李怀祥)(陈燕生)(...关键词:......
Wrn-/-p53s/s导致神经管缺陷的研究屈莲花,罗瑛,张辉辉,赵金枝,吴晓明昆明理工大学医学院摘 要:通过对Wrn-/-p53N236S突变基因型小鼠的饲养发现纯合的Wrn-/-p53N236S突变小鼠出生率低,且雌性小鼠出生率显著低于雄性小鼠.随后剥离小鼠胚胎及对胚胎基因型进行鉴定发现,纯合的Wrn-/-p53N236S突变的雌性胚胎出现神经管缺陷(Neural tube defect,NTD)表型.本研究利用突变小鼠模型证明Wrn-/-p53N236S突变可以诱导胚胎发生NTD,从而降低纯合Wrn-/-p53N236S突变的雌性小鼠出生率,这将有助于进一步认识人类神经管缺陷的发病机制,为神经管缺陷疾病的预防提供新的方向.关键词:基因突变;神经管缺陷;露脑畸形;脊柱裂;胚胎致死;......
半导体硅生长工艺的发展动向张伟或峨眉半导体材料研究所摘 要:<正> 在半导体硅生长工艺方面,除常规的直拉法(CZ)和区熔法(FZ)外,近年又出现了磁场直拉法(MCZ),中子嬗变掺杂法(NTD)和连续送液直拉法(CLF-CZ)等一些新方法.对这些方法最近的发展动向,本文将分别加以讨论.关键词:......
Investigation on N-doped FZ-Si Crystals by IR Absorption SpectrumLuan Hongfa Liang Junwu Institute of Semiconductor,Academia Sinica,Beijing,China摘 要:<正> N-doped FZ-Si crystals and N-doped NTD FZ-Si crystals and their annealing behavior have been studied by IR spectrum.Two models of nitrogen configuration,nearly substitutional nitrogen......
高炉非金属冷却壁用Al2O3-SiC-C质浇注料的研制 蔡美峰1,郝洪顺1,尹航1,徐利华1,杨增朝1,仉小猛1,张作顺1 (1.北京科技大学,材料科学与工程学院,北京,100083;2.清华大学,材料科学与工程系,北京,100084) 摘要:为了提高高炉非金属冷却壁用Al2O3-SiC质浇注料的抗渣性,在其中引入人造石墨,研制了高炉非金属冷却壁用Al2O3-SiC-C质浇注料,着重研究了六偏磷酸钠(SHP),聚丙烯酸钠(PAANa),萘系减水剂(NTD)和Skip Liquid型减水剂(SL)4种分散剂及其加入量对这种含碳浇注料流动性,耐压强度,体积密度和显气孔率的影响以及碳(人造石墨)的添加量对浇注料试样的耐压强度,体积密度,显气孔率和抗渣性能的影响.结果表明:1)分散剂SL的效果最好,其最优外加量为0.2%;2)人造石墨添加量为5%时,浇注料试样的抗渣性能和烧后耐压强度达到最......
