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SiNx钝化膜厚度对pHEMT的性能影响 李洪芹1,夏冠群1,孙晓玮1 (1.中国科学院上海冶金研究所,上海200050) 摘要:深入地研究了SiNx钝化膜厚度对AlGaAs/InGaAs/GaAspHEMT电性能的影响,实验结果表明,pHEMT器件的截止频率随着氮化硅钝化膜厚度的增加而下降;当膜厚超过200nm时,将影响pHEMT器件电特性. 关键词:AlGaAs/InGaAs/GaAs; pHEMT; SiNx钝化; [全文内容正在添加中] ......
Ka波段PHEMT MIMIC VCO设计 车延锋1,孙晓玮1,程知群1 (1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050) 摘要:给出了Ka波段PHEMT MIMIC VCO设计过程,根据直流特性曲线确定直流工作点,得到对应的S参数,再转化为Z参数,计算出输入输出谐振回路和输出电路的阻抗,用Agilent ADS软件进行了仿真,振荡中心频率33.14 GHz,用PHEMT管作为变容管,调谐带宽为200 MHz. 关键词:VCO; Ka波段; MIMIC; [全文内容正在添加中] ......
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K波段单片功率放大器 黄念宁1,陈新宇1,蒋幼泉1,陈效建1 (1.南京电子器件研究所,南京210016) 摘要:报道了K波段的PHEMTMMIC的设计与研制.PHEMT器件采用0.5μm栅长的3inchGaAs标准工艺制作.三级的MMIC放大器在18GHz处,线性增益17dB,输出功率P-1=19dBm. 关键词:PHEMT; MMIC; K波段; [全文内容正在添加中] ......
X波段单片低噪声放大器芯片 周正林1,魏同立2,林金庭1,蒋幼泉1,彭龙新2 (1.南京电子器件研究所,江苏,南京,210016;2.东南大学微电子中心,江苏,南京,210096) 摘要:报道了X波段0.5 μm GaAs PHEMT 全单片低噪声放大器芯片.该放大器芯片由四级级联放大电路构成.芯片面积为2.43×1.85 mm2.该放大器芯片在通带内测试结果为: 在工作条件VD=5 V(ID≤100 mA)下,增益>26 dB,噪声系数≤2.2 dB,输入,输出电压驻波比 关键词:微波单片集成电路; 赝配高电子迁移率晶体管; 低噪声放大器; [全文内容正在添加中] ......
电子束和接触式曝光机的匹配和混合曝光 刘小伟1,吴德馨1,尉林鹏1,陈宝钦1,刘明1 (1.中国科学院微电子中心,北京,100029) 摘要:Ⅰ-线光致抗蚀剂可以同时被电子束和光学曝光系统曝光,在50KV加速电压下,其曝光剂量为50-100μC/cm2,曝光后在0.7%NaOH溶液内显影1min.其灵敏度比PMMA快5倍,分辨率为0.5μm.采用两种方法制备GaAs PHEMT,首先,用I线光致抗蚀剂,源,漏及栅的全部都采用电子束曝光,制备了0.5μm栅长的GaAs PHEMT.将源,漏及栅分割成两部分,其中的精细部分由电子束曝光,其余部分由光学曝光系统曝光,用这种方法制备了0.25μm栅长的GaAs PHEMT. 关键词:Ⅰ-线光致抗蚀剂; 栅长; 混合与匹配光刻; I-line photoresist; Gate length; Mix-and-match......
2.5~10Gb/sHEMTIC全耗尽型光驱动电路中器件性能的研究 袁志鹏1,吴德馨1,高建军1 (1.中科院微电子中心,北京100029) 摘要:主要针对高速光纤通信系统中调制器驱动电路HEMTIC设计开展研究.着重讨论了PHEMT器件阈值电压,特征频率对外调制驱动电路特性的影响,给出了满足电路性能要求的器件参数范围;对2.5~10Gb/sPHEMTIC光驱动电路进行了计算机仿真,眼图模拟结果表明满足2.5~10Gb/s高速光纤通信系统需要. 关键词:高速光集成电路; 光发射机; 驱动电路; HEMT器件; [全文内容正在添加中] ......
砷化镓微波单片集成电路(MMIC)技术进展 毛昆纯1,林金庭1,杨乃彬1,陈效建1 (1.南京电子器件研究所,南京210016) 摘要:着重讨论南京电子器件研究所(NEDI)在GaAsMMIC研制方面的近期进展.在详细介绍MMIC有源器件(MESFET,PHEMT及HBT)的CAD模型建立技术及MMICCAD设计优化技术的基础上,以NEDI近年开发的各种MMIC为实例,包括发射,接收与控制三类电路,给出有关的实验结果.此外,简要介绍了NEDI在移动通信手机用MMIC技术开发方面的前期结果. 关键词:砷化镓; 微波单片集成电路; CAD模型; CAD设计优化; [全文内容正在添加中] ......
栅控单片宽带可变增益放大器 魏同立1,林金庭2,彭龙新2 (1.东南大学微电子中心,江苏,南京,210096;2.南京电子器件研究所,江苏,南京,210016) 摘要:报道了一种栅压控制的宽带GaAs单片可变增益放大器芯片.该芯片采用Ф76 m圆片0.5 μm PHEMT标准工艺制作而成.工作频率范围为2~8 GHz,栅压为零(或悬空)时,整个带内增益约14dB,输入输出驻波小于2.0,输出功率P1dB大于13dBm.通过改变栅压(可选),平坦增益可控范围13dB.该芯片体积为2.0 mm×1.8 mm×0.1 mm. 关键词:单片集成电路; 可变增益; 赝配高电子迁移率晶体管; [全文内容正在添加中] ......
0.1-0.3μmX射线光刻技术在GaAs器件制作中的应用 胥兴才1,赵玲莉1,刘训春1,赵静2,张绵2,李兵1,陈朝晖1,叶甜春1,谢常青1,陈大鹏1 (1.中国科学院微电子中心,北京100010;2.信息产业部电子13所,石家庄050051) 摘要:对同步辐射X射线光刻及在GaAsPHEMT器件制作中的应用进行了研究,并制作出栅长0.15μm的AlGaAs/InGaAs/GaAsPHEMT晶体管.研究结果表明,X射线光刻在剥离图形及T型栅结构制作工艺中具有极好的光刻图形质量,在混合光刻工艺中,抑止GaAs合金点的形成是取得良好对准标记的关键. 关键词:X射线光刻; PHEMT; T型栅; [全文内容正在添加中] ......