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非晶态SrTiO3薄膜的快速晶化处理 刘翠华1,付永1,刘贤珍1 (1.西华大学材料科学与工程学院,四川,成都,610039) 摘要:在Si(111)基片上采用脉冲激光沉积(PLD)方法,烘烤温度300℃,制备得到非晶态SrTiO3薄膜.采用快速晶化处理,将非晶态SrTiO3薄膜在不同温度,不同晶化处理时间下进行了晶化处理,采用GIXRD和AFM分析检验晶化的效果和表面形貌.结果表明,SrTiO3晶化程度强烈依赖处理温度,处理温度越高,晶化程度越高;在同一温度下,增加处理时间有助于提高晶化效果,并获得致密,表面平整,均匀的SrTiO3晶态薄膜;晶粒大小不随晶化处理时间明显变化.在快速晶化处理过程中,非晶态SrTiO3薄膜在极短时间内达到晶化温度,并形成大量晶核,从而使晶粒生长受到限制,有利于获得更好的晶化效果. 关键词:晶化; 快速晶化处理; 结构特征; SrTiO3薄膜......
晶界氧吸附对SrTiO3基压敏陶瓷的作用 李盛涛1,李建英1 (1.西安交通大学,电力设备电气绝缘国家重点实验室,陕西,西安,710049) 摘要:研究了SrTiO3基压敏陶瓷热处理过程中氧的作用.发现SrTiO3基压敏陶瓷的压敏电压U10mA与试样的厚度无关,且随着热处理温度的升高而增大.进一步的试验表明SrTiO3基压敏陶瓷的压敏特性主要受试样表面高阻层的控制.X射线光电子能谱(XPS)的Mn 2p和O 1s谱图表明,表面高阻层是氧在热处理过程中通过晶界的扩散和化学吸附产生的.因此,氧在晶界处的化学吸附是SrTiO3基陶瓷压敏特性产生的根源. 关键词:SrTiO3陶瓷; 晶界; 压敏电阻; [全文内容正在添加中] ......
二次自蔓延高温合成SrTiO3固化高放废物 赵军华1,张瑞珠2,郭志猛2 (1.河南职业技术学院,河南,郑州,450046;2.华北水利水电学院,河南,郑州,450045;3.北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083) 摘要:采用二次自蔓延高温合成(SHS)技术制备了包容高放锶核素(Sr2+)的钛酸锶(SrTiO3)固化体,通过多种现代分析技术研究了钛酸锶固化体的密度, 物相组成,微观组织和化学稳定性.结果表明,固化体样品结构稳定性好,密度高,孔隙率小,浸出率小;表明自蔓延高温合成的SrTiO3人造岩石是固化高放废物锶核素的理想固化体. 关键词:钛酸锶(SrTiO3); 高放废物; 固化; 自蔓延高温合成(SHS); 浸出率; [全文内容正在添加中] ......
一次烧成SrTiO3陶瓷中复合功能特性的研究 陈文1,徐庆1,袁润章1 (1.武汉工业大学) 摘要:采用一次烧成工艺制备出掺Ni2+离子的SrTiO3复合功能陶瓷,测量了不同氧化热处理温度下样品的介电性能和压敏性能,运用AC阻抗谱研究了SrTiO3陶瓷晶粒和晶界的电学特性,并对样品进行了 XPS分析.研究结果表明,氧化热处理过程中氧对晶粒表面氧空位的填充以及Ni2-离子对晶粒表面Ti4-离子的低价取代,是形成晶界Schottky势垒并产生复合功能特性的重要因素.随着氧化热处理温度的提高,样品的非线性系数α和压敏电压VIMA不断增大,而表观介电常数εeff和介电损耗tgδ则趋于降低. 关键词:SrTiO3陶瓷; 复合功能特性; 一次烧成; 氧化热处理; [全文内容正在添加中] ......
Co掺杂SrTiO3阳极材料性能研究 李雪1,赵海雷1,高峰1,王治峰1 (1.北京科技大学,北京,100083) 摘要:通过高温固相合成法制备了SrCo3Ti1-xO3,并通过X射线衍射仪,扫描电镜,密度和电导率的测量,系统地研究了掺杂量对Co掺杂的SrTiO3性能的影响,研究了Co掺杂的SrTiO3与电解质材料(YSZ)的兼容性.研究表明,在1500℃还原气氛(5%H2+95%Ar)下,Co在SrTiO3中的掺杂量在10mol%以下.SrCoxTi1-O3的电导率呈现离子电导的特征,并随着Co掺杂量的增加而减小.SrCo0.05Ti0.95O3与YSZ在1100℃以下可以稳定共存. 关键词:固体氧化物燃料电池; 阳极材料; SrCoxTi1-xO3; 电导率; [全文内容正在添加中] ......
生长温度对PLD原位生长SrTiO3薄膜结构与非线性介电性能的影响 段滨1,陶伯万1,刘兴钊1,何世明1,李言荣1 (1.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054) 摘要:采用脉冲激光沉积法(PLD)制备的Y1B2Cu3O7-x薄膜作为叉指底电极,然后生长SrTiO3介质薄膜,形成叉指型压控电容结构.通过对SrTiO3薄膜的原位生长温度与薄膜微观结构及非线性介电性能之间的关系研究,发现随生长温度的升高薄膜晶粒逐步增大然后变小,薄膜的介电常数可调率和本征介电损耗随晶粒大小的增大而增加,而非本征损耗则随晶粒取向的增加而减小. 关键词:SrTiO3薄膜; 介电性能; 叉指电容; 非线性; [全文内容正在添加中] ......
一次烧成SrTiO3复合功能陶瓷中掺杂Ag+离子的行为及其机制 陈文1,徐庆1,袁润章2 (1.武汉工业大学,材料科学与工程学院,;2.武汉工业大学,) 摘要:采用一次烧成工艺制备掺施主杂质Nb2O5和受主杂质Ag2O的SrTiO3电容-压敏复合功能陶瓷,分析了Ag2O掺杂对SrTiO3陶瓷电学性能的影响,采用XPS和EPMA分析方法确定了Ag的结构状态.研究结果表明,Ag+离子存在于烧结助剂形成的晶界非晶相中,对SrTiO3晶粒的半导化状况未产生显著影响.氧化热处理过程中Ag+离子低价取代晶粒表面的Sr2+离子而形成晶界受主态,是产生晶界Schottky势垒及复合功能效应的重要原因. 关键词:SrTiO3陶瓷; 复合功能; 一次烧成; 掺杂Ag+离子; [全文内容正在添加中] ......
SrTiO3微波合成的加热过程研究 欧阳世翕1,刘志坚1,刘韩星1 (1.武汉工业大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070) 摘要:本文探索采用微波加热方式合成SrTiO3,研究合成体系的微波合成的加热机制,在合成中影响微波加热的主要因素包括合成体系的介电性质,保温材料的结构,生坯的致密度等.在SrTiO3的合成过程中,低温阶段TiO2和SrCO3对体系的升温速率的贡献相接近;高温阶段主要是TiO2的贡献,同时产物对升温有较大的影响,微波加热与常规合成加热方式的明显不同使其在合成的过程,合成的时间等方面有较大的区别. 关键词:微波合成; 电磁波; SrTiO3; [全文内容正在添加中] ......
非晶SrTiO3纳米薄膜退火处理方法的研究 张鹰1,孙小峰1,蒋书文1,李言荣1,黄文1 (1.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054) 摘要:用激光脉冲沉积技术(PLD),以N型(100)Si为基底在300℃下制备100nm非晶STO薄膜,分别用常规退火(CFA),快速退火(RTA)以及激光诱导晶化(LIC)处理将其转化多晶薄膜,用XRD测定薄膜相组分和结晶质量,用AFM观测薄膜表面微结构.比较不同工艺退火对薄膜结晶品质的影响并阐述了各自形核结晶的机理. 关键词:SrTiO3薄膜; 退火处理; 界面形态; 晶化; [全文内容正在添加中] ......
脉冲激光沉积法生长In掺杂SrTiO3薄膜及其微观结构研究 高相东1,于伟东1,吴峰1,赵俊亮1,李效民1,张亦文1 (1.中国科学院,上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050;2.中国科学院,研究生院,北京,100049) 摘要:采用脉冲激光沉积(PLD)方法在MgO/TiN/Si(100)衬底上,生长不同In掺杂量的SrInxTi1-xO3(x=0,0.1,0.2)薄膜,研究In掺杂及本征SrTiO3(STO)缓冲层对薄膜结晶性能,表面形貌,生长模式及紫外拉曼光谱特性的影响.结果表明,In掺杂导致薄膜结晶度降低,通过引入本征STO缓冲层可有效提高In掺杂STO薄膜的结晶度,增强薄膜的(200)择优取向性.然而随In掺杂量的增加,薄膜表面平均粗糙度增大;生长模式由层状生长转变为岛状-层状复合模式;拉曼一次声子振动模式峰强逐渐增强,说明薄膜的晶体对称......
