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• Half-Heusler热电半导体材料

  来源： 《无机材料学报2004年第1期》——徐政 黄向阳 陈立东

  Half-Heusler热电半导体材料 徐政1,黄向阳1,陈立东2 (1.同济大学材料科学与工程学院,上海,200092;2.中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050) 摘要:介绍了最近几年在热电半导体材料领域里新出现的half-Heusler化合物的结构和研究现状,比较了各化合物掺杂及等电子合金化前后的电与热传输参数的变化,并指出了该材料的进一步研究方向. 关键词:热电材料; half-Heusler; 性能指数; 掺杂; [全文内容正在添加中] ......

• TiFeSb基Half-Heusler热电材料的制备与热电性能

  来源： 《稀有金属材料与工程2013年第8期》——来忠红 马健 朱景川 赵荣达

  TiFeSb基Half-Heusler热电材料的制备与热电性能来忠红,马健,朱景川,赵荣达哈尔滨工业大学摘 要:采用固相反应+放电等离子体两步法成功地制备了TiFeSb及Mn掺杂的(Ti0.75Mn0.25)FeSb两种P型Half-Heusler热电材料,并对这两种新型热电材料体系的X射线衍射谱进行了计算模...:Half-Heusler化合物;TiFeSb;Mn掺杂;固相反应;放电等离子体烧结;......

• 悬浮熔炼制备Half-Heusler合金Zr1-xTixNiSn0.975Sb0.025及其热电性能

  来源： 《稀有金属材料与工程2009年第10期》——赵波 姜广宇 蔚翠 朱铁军 徐绩 赵新兵

  悬浮熔炼制备Half-Heusler合金Zr1-xTixNiSn0.975Sb0.025及其热电性能 赵波1,姜广宇1,蔚翠1,朱铁军1,徐绩1,赵新兵1 (1.浙江大学,硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027) 摘要:采用悬浮熔炼法合成了Zr1-xTixNiSn0.975Sb0.025(x = 0, 0.15, 0.25, 0.5)基Half-Heusler热电材料,X射线衍射结果表明所制备合金为单相.相对于常规方法,悬浮熔炼显著缩短了制备Half-Heusler合金的时间.同时研究了Ti取代及不同热压条件对材料热电性能的影响.结果表明:ZrNiSn0.975Sb0.025合金进行A位取代可降低材料的热导率,而不会明显影响其热电性能.致密度可以影响材料的热电性能,适当的热压条件可以使合金的ZT值达到最大,约为0.45. 关键词:Half-Heusler合金; 热电材料......

• Te掺杂对TiCoSb基Half-Heusler化合物高温热电性能的影响

  来源： 《稀有金属材料与工程2007年增刊第2期》——江莞 张建峰 陈立东 李小亚 吴汀

  Te掺杂对TiCoSb基Half-Heusler化合物高温热电性能的影响 江莞1,张建峰1,陈立东1,李小亚1,吴汀1 (1.中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室,上海,200050;2.中国科学院研究生院,北京,100049) 摘要:采用固相反应法制备了Te掺杂的TiCoSb基half-Heusler化合物.X射线衍射分析表明,Te掺杂的TiCoSb化合物是单相.在300~850 K的温度范围内测量了材料的电阻率,赛贝克系数和热导率.结果表明:未经掺杂的TiCoSb化合物是n型半导体,在高温下有很高的赛贝克系数.在Sb位掺杂Te后,材料的电阻率和赛贝克系数的绝对值随着掺杂量的增加明显降低.材料的热导率随着掺杂量的增加而呈小幅度减小.Te掺杂后材料ZT值提高,最高的ZT值比基体提高了5倍多. 关键词:half-Heusler化合物; TiCoSb; 固相反......

• Half-Heusler热电材料性能优化策略及研究进展

  来源： 《材料导报2019年第S1期》——王怡心 马勤 贾建刚 高昌琦 张瑄瑄

  Half-Heusler热电材料性能优化策略及研究进展王怡心,马勤,贾建刚,高昌琦,张瑄瑄摘 要:研究废热再利用和太阳能发电在应对能源短缺等方面具有重大现实意义.热电发电装置基于热电效应,以热电材料为核心部件,可直接实现热能与电能间的相互转换.Half-Heusler材料以其良好的电学性能,优异的力学性能等优点在众多热电材料中脱颖而出.本文结合目前Half-Heusler材料的研究现状,从原子尺度下的元素组分,纳米尺度下的微观组织结构两个方面来探讨提升材料热电性能的策略.随后简单介绍了Half-Heusler合金作为热电材料的主要应用.最后对这类材料的研究做一总结和展望.关键词:Half-Heusler;热电性能;合金化散射;纳米工程;......

• Preparation and Thermoelectric Properties of Zr_1-xTi_xNiSn_0.975Sb_0.025 Half-Heusler Alloys

  来源： 《JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE TECHNOLOG2009年第6期》——Cui Yu, Yun Zhang, Tiejun Zhu, Guangyu Jiang, Ji Xu, Bo Zhao and Xinbing Zhao State Key Laboratory of Silicon Materials, Department of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou , China

  Preparation and Thermoelectric Properties of Zr1-xTixNiSn0.975Sb0.025 Half-Heusler AlloysCui Yu, Yun Zhang, Tiejun Zhu, Guangyu Jiang, Ji Xu, Bo Zhao and Xinbing Zhao State Key Laboratory of Silicon...) half-Heusler thermoelectric materials have been prepared by levitation melt, melt spinning and hot pressing. X-ray diffraction analysis and scanning electron microscopy observation showed that nearly......

• 机械合金化与放电等离子体烧结制备TiNiSn基Half-Heusler热电化合物

  来源： 《稀有金属材料与工程2009年增刊第2期》——李敬锋 邹敏敏

  机械合金化与放电等离子体烧结制备TiNiSn基Half-Heusler热电化合物 李敬锋1,邹敏敏1 (1.清华大学,新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084) 摘要:研究了TiNiSn基Half-Heusler热电化合物的机械合金化(MA)结合放电等离子体烧结(SPS)制备工艺.实验以Ti,Ni,Sn单质粉末为原料,研究了MA和SPS过程中的化学反应与相组成的变化以及所制备的...试范围内其功率因子最高可达到1380 mW/m·K~2. 关键词:热电材料; Half-Heusler; 机械合金化; 放电等离子体烧结; thermoelectric material; Half-Heusler; MA; SPS; [全文内容正在添加中] ......

• Sb掺杂对N型half-Heusler材料热电性能的影响

  来源： 《无机材料学报2014年第9期》——樊毅 李小亚 蒋永锋 包晔峰

  Sb掺杂对N型half-Heusler材料热电性能的影响樊毅1,2,李小亚2,蒋永锋1,包晔峰11. 河海大学常州校区机电工程学院2. 中国科学院上海硅酸盐研究所中国科学院能量转换重点实验室摘 要:研究了Sb掺杂对N型half-Heusler化合物Zr0.25Hf0.25Ti0.5NiSn1-xSbx(x...ZT值在0.77左右,掺杂量x=0.005的样品ZT值在整个温度区间内最优.关键词:N型Half-Heusler;Sb掺杂;热电传输特性;......

• Tailoring thermoelectric properties of Zr_0.43Hf_0.57NiSn half-Heusler compound by defect engineering

  来源： 《Rare Metals2020年第6期》——Wenjie Xie Myriam H.Aguirre Anke Weidenkaff

  Tailoring thermoelectric properties of Zr0.43Hf0.57NiSn half-Heusler compound by defect engineeringWenjie Xie2,Myriam H.Aguirre4,5,6,Anke Weidenkaff2,72. Department of Materials Science,Technische..., Universidad de Zaragoza摘 要:The thermoelectric transport properties of Zr0.43Hf0.57 NiSn half-Heusler compounds were investigated for samples sintered......

• Ti掺杂对half-Heusler合金YNiSb热电性能的影响

  来源： 《材料科学与工程学报2011年第2期》——肖凯 朱铁军 蔚翠 杨胜辉 赵新兵

  Ti掺杂对half-Heusler合金YNiSb热电性能的影响肖凯,朱铁军,蔚翠,杨胜辉,赵新兵浙江大学材料科学与工程系硅材料国家重点实验室摘 要:通过悬浮熔炼方法制备了Y1-xTixNiSb(x=0,0.015,0.02,0.025)材料并研究了Ti掺杂对材料热电性能的影响.经过孔隙率修正后,Ti掺杂样品的热导率和电导率均比未掺杂样品要低,并且随着Ti含量的增加呈现先下降后上升的趋势.分析发现Ti掺杂后样品热导率的降低是由于电子热导率的下降所致,电子载流子的引入则导致了电导率的下降.Ti掺杂后样品Seebeck系数在室温下有变负趋势,表明材料在室温下可能呈现N型传导特性.最终,Ti掺杂提高了材料的热电性能.Ti含量x=0.015的样品在770K左右获得最大ZT值0.085,与未掺杂样品相比,提高了约......