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文章编号:1004-0609(2008)10-1819-06 利用FE-SEM分析Al-Si-Mg系和Al-Mg-Si系合金中Mg2Si沉淀相 李建国,谭红艳,史子木,何 迁 (清华大学 材料科学与工程系,北京 100084) 摘 要:以Al-Si-Mg系的A356合金和Al-Mg-Si系的6061合金中的Mg2Si沉淀相为研究对象,通过场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)的In-lens探头及低电压模式,分析Mg2Si沉淀相的析出情况及其表面形貌.结果表明:在低电压模式及In-lens探头双重条件下,可获得较好分辨率的Mg2Si沉淀相表面立体显微形貌;通过透射电子显微镜衍射分析发现在扫描电子显微镜中观察到的相确实为Mg2Si沉淀相.这种分析方法能够清晰观察到Mg2Si沉淀相的普遍析出情况. 关键词:Al-Si-Mg合金;Al-Mg-Si合金;Mg2Si......
Mg-4Al-2Si合金固溶处理过程中Mg2Si相颗粒的球状化 徐春杰1,张忠明1,郭学锋1,井晓天1,宋佩维1 (1.西安理工大学,材料科学与工程学院,西安,710048;2.陕西理工学院,机电工程系,陕西,汉中,723003) 摘要:实验研究了Mg-4Al-2Si合金固溶处理过程中汉字状Mg2Si相颗粒的球化现象及其工艺参数对球化的影响.结果发现:Si沿Mg/Mg2Si界面扩散,使粗大的汉字状Mg2Si颗粒发生部分溶断,并依靠自发球化的趋势通过向未溶的粒状Mg2Si扩散聚集完成球化;最佳球化工艺为420℃保温16h. 关键词:Mg-4Al-2Si合金; 固溶处理; Mg2Si颗粒球化; [全文内容正在添加中] ......
Mg2Si基热电材料的研究现状与展望梁超龙1,代平21. 北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室2. 中国联通哈尔滨分公司南岗移动客户服务中心摘 要:中温区域(500~900K)热电材料可用于汽车尾气,工厂余废热等低品位热源的热电发电回收利用,有望大幅提高化石能源的利用率,其研究和开发对我国节能减排具有重要的战略意义.Mg2Si基热电材料,是一类适用于中温区的环境友好型热电材料,具有原料蕴藏丰富,价格低廉,不含有稀缺昂贵元素,组成元素无毒以及密度小等优点,近年来其研究受到国际上的广泛关注.由于镁的活性较高,如何制备出性能更加优良的Mg2Si基块体热电材料成为本领域研究的重点.简要介绍了Mg2Si基热电材料的基本性质,阐述其各种制备方法和研究现状,并展望其未来研究方向.关键词:Mg2Si......
金属间化合物Mg2Si的研究进展 熊伟1,秦晓英1,王莉1 (1.中国科学院固体物理研究所材料物理重点实验室,合肥,230031) 摘要:金属间化合物Mg2Si作为高强轻质结构材料以及半导体热电材料均很有发展前途.综述了Mg2Si的基本性质,制备工艺和应用,着重阐述了Mg2Si制备及其作为增强相的研究进展,指出了存在的问题以及今后的研究方向. 关键词:Mg2Si; 增强相; 热电材料; 机械合金化; 增韧; [全文内容正在添加中] ......
Modification effect of lanthanum on primary phase Mg2Si in Mg-Si alloys GUO Erjun1,WANG Liping1,MA Baoxia1 (1.Department of Materials Science and Engineering, Harbin University of Science and Technology, Harbin 150040, China) Abstract:The modifying effect of La addition on primary phase Mg2Si in Mg-5Si alloys was investigated. The results showed that a proper amount of La could effectively......
Mg2Si半导体薄膜的磁控溅射制备肖清泉,谢泉,余志强,赵珂杰贵州大学理学院新型光电子材料与技术研究所摘 要:采用磁控溅射技术和退火工艺制备出Mg2Si半导体薄膜,研究了退火时间对Mg2Si薄膜的形成和结构的影响.首先在Si(111)衬底上溅射沉积380nmMg膜,然后在退火炉内氩气氛围500℃退火,退火时间分别为3.5h,4.5h,5.0h,5.5h,6.0h.采用X射线衍射和扫描电镜对薄膜的结构和形貌进行了表征.结果表明,采用磁控溅射方法成功地制备了环境友好的半导体Mg2Si薄膜.Mg2Si薄膜具有Mg2Si(220)的择优生长特性,最强衍射峰出现在40.12°位置;随着退火时间的延长,Mg2Si外延薄膜的衍射峰强度先逐渐增强后逐渐减弱,退火5h后,样品的衍射峰最强.Mg2Si晶粒随着退火时间的延......
电场激活合成Mg2Si的热电性能研究 王丽七1,张楠1,陈超1,李柏松1,孟庆森1 (1.太原理工大学材料科学与工程学院,山西太原,030024) 摘要:用Mg粉和Si粉通过电场激活加压辅助法(Field-activated and Pressure-assisted Synthesis,FAPAS),在1073 K,50 MPa条件下快速实现了Mg2Si块体热电材料的一步法合成与致密化;合成过程反应物反应完全,产物的XRD曲线的Mg2Si峰型尖锐,占产物含量的99.5%.合成样品的Seebeck系数,电导率,功率因子分别在562K,773 K,600 K时达到最大值.分别为445μVK-1,54.4 Scm-1,4.35 W/craK2.通过对比多种方法合成的Mg2Si热电材料的热电性能发现,FAPASA样品的功率因子比其它方法具有明显的优势. 关键词:热电材料; Mg2Si......
Mg2Si对Al2O3f/AZ91D复合材料硬度的影响 金志新1,袁森1,王武孝2 (1.西安理工大学,材料科学与工程学院,西安,710048;2.西安交通大学,材料科学与工程学院,西安,710049) 摘要:采用熔体浸渗法制备Al2O3f/AZ91D复合材料,发现有Mg2Si新相生成.利用SEM,XRD等手段对其成分和组成进行了分析,研究了粘结剂的加入量对材料硬度的影响.结果表明:随着硅溶胶量的不断增大,材料硬度随之增大,当硅溶胶加入量大于10%(质量分数)时,对材料硬度的影响较小,且不利于材料的其他力学性能. 关键词:复合材料; Mg2Si; 硅溶胶; 硬度; [全文内容正在添加中] ......
镧对Mg-Si合金中Mg2Si相变质的影响 王丽萍1,郭二军1,马宝霞1 (1.哈尔滨理工大学,材料科学与工程学院,黑龙江,哈尔滨,150040) 摘要:研究了Mg-5Si合金中La的添加对初生Mg2Si相变质的影响.结果表明,适量的La能够有效地变质初生Mg2Si相.基于本文的研究,在添加约0.5%La时,获得了最佳的变质效果,此时,初生Mg2Si相的尺寸减小到25μm以下,其形态从粗大的树枝形状变为多面体形状.然而,当La增加到0.8%或者更高时,初生Mg2Si相又生长为粗大的树枝形态.而且,在凝固过程中发现形成了一些LaSi2化合物,这些化合物的数量随着La的增加而呈现逐渐增加的趋势. 关键词:变质; 镁; 显微组织; Mg2Si; 镧; 稀土; [全文内容正在添加中] ......
纳米Mg2Si块体的制备及其热稳定性的研究 梁齐1,秦晓英2,王莉1 (1.合肥工业大学理学院电子科学与技术教研室,合肥,230009;2.中国科学院固体物理研究所,合肥,230031) 摘要:采用机械球磨和真空热压相结合的方法,在1.5GPa压力下于400℃热压1h制得纳米晶Mg2Si金属间化合物块体.纳米晶Mg2Si块体晶粒度为30nm,致密度为91.45%.采用原位高温XRD对纳米Mg2Si块体的热稳定性进行了研究.纳米晶Mg2Si块体在700℃,800℃和900℃时晶粒的生长指数分别为6,5和4,说明其具有良好的热稳定性. 关键词:纳米材料; 金属间化合物; 热稳定性; Mg2Si; [全文内容正在添加中] ......