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于Ti2AlC的生成,而有利于Ti3AlC2的生成机理,说明了掺Si后固溶体的产生过程. 关键词:硅掺杂;放电等离子烧结;Ti2AlC/Ti3AlC2;理论分析 中图分类号:TQ 174 文献标识码:A Synthesis of Ti2AlC/Ti3AlC2with Si doping by spark plasma... 2.0Ti/1.1Al/1.0C at 1 200 ℃. On the other hand, the samples Si doping are made of Ti2AlC, Ti3AlC2 and Ti3SiC2. When the amount of Si doping increases and molar ratio of Al to Si decreases, the amount......
Abstract: The effects of Si doping on morphology, components and structure characteristics of CVD diamond films were studied. Si-doped CVD diamond films were deposited on Si substrate by adding... of diamond films was studied by Raman spectroscopy and X-ray diffractometry (XRD). The surface roughness of the films was evaluated with surface profilometer. The results suggest that Si doping tends......
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所致.合金最好的力学性能出现在压力为75 MPa和Si含量为1.1%时,其UTS,YS和伸长率分别为237 MPa,140 MPa和9.8%. 关键词:铝铜合金;硅添加;凝固;力学性能;显微组织 (Edited by Bing YANG) Foundation item: Project (51374110) supported by the National Natural Science...Trans. Nonferrous Met. Soc. China 28(2018) 1061-1072 Effect of Si addition and applied pressure on microstructure and tensile properties of as-cast Al-5.0Cu-0.6Mn-1.2Fe alloys Wei-wen ZHANG, Yu-liang......
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; (2) 其中:εSi为硅的介电常数;ts-Si为应变硅膜厚度;L为器件的沟道长度. 图1 对称双栅高斯掺杂应变硅MOSFET的结构示意图 Fig. 1 Schematic structure of DG MOSFET with vertical Gaussian doping profile...DOI: 10.11817/j.issn.1672-7207.2016.04.017 对称双栅高斯掺杂应变Si金属氧化物半导体场效应管的二维解析模型 李劲,吴笑峰,席在芳,胡仕刚,李目 (湖南科技大学 信息与电气工程学院,湖南 湘潭,411201) 摘要:基于扩散,阈值调整和离子注入等工艺过程导致器件的沟道区的掺杂分布不均匀,提出对称双栅高斯掺杂应变硅MOSFET器件,并对其相关特性进行研究.通......
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度等力学性能的提高,这一问题还未见系统研究.不仅如此,活塞,汽缸等零部件不但要考虑强度,硬度,耐磨性特别是高温耐磨性也是重要的力学性能指标.目前高硅Al-Si合金的耐磨性研究较少,高温条件下的研究更少[8],并且Al-Si合金的摩擦磨损行为与Si相形貌,尺寸,分布间的关系一直存在意见分歧[9],如LIU等[10]和孙淑红等[11]均发现Sr或P变质处理后合金的耐磨性明显改善,但CLEGG等[12...化Al-25Si合金获得不同组织形态,研究不同Si相形貌和组织形态条件下的力学行为变化. 1 实验 1.1 试验原料 试验所用的原料为纯度为99.7%(质量分数,下同)的工业纯铝锭,纯度为99.9%的高纯硅,变质剂采用山东吕美熔体技术有限公司生产的Al-3P和Al-10Sr中间合金. 1.2 试验工艺流程 将铝锭在中频感应炉中熔化,升温至750 ℃左右时按所需比......
compounds of hypereutectic Al-Si alloys with high Fe content [J]. Transactions of Nonferrous Metals Society of China, 2013, 23: 1245-1252. 利用无定形微硅粉生产不同硅含量硅铝合金的可能性与前景 M. P. KUZ′MIN1, M. Yu. KUZ′MINA1, P. B... fines (less than 5-6 mm), and high power consumption. In the conditions when aluminum and silicon industries are located in close proximity, a method of producing silumin using 30% or 50% Al–Si liquid......
; 自从20世纪90年代首次发现纳米硅具有室温光致发光特征以来[1-2],关于Si基纳米发光材料的制备方法,结构特征,发光特性以及光电子器件的研究,已经取得令世人瞩目的重要进展.众多的研究表明,Si纳...用的关键. 在诸多制备纳米Si颗粒的方法[5, 6-9]中,由于脉冲激光烧蚀(PLA)属于"干法"制备技术,具有玷污小和生长速率快,最可能与现有硅工艺兼容等优点,因此得到长足的发展[10].在传统的PLA制备Si纳米颗粒过程中,Ar是一种普遍采用的缓冲气体[5-6, 11-12],WERWA 等[11] 利用PLA方法在Ar缓冲气氛中得到最小尺寸为2 nm 左右的纳米Si晶粒,其PL谱的半高宽大......