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TSCR工艺生产SPHC板过程硼微合金化对AlN,MnS析出的影响 朱苗勇1,郭亚东1,肖丽俊2,颜慧成2,仇圣桃2 (1.东北大学材料与冶金学院,辽宁沈阳110004;2.钢铁研究总院连铸技术国家工程研究中心,北京100081) 摘要:结合TSCR工艺生产SPHC钢热轧板过程,对微量B影响AlN,MnS的析出行为进行了试验研究与热力学分析,理论分析与热轧板在线取样的相分析结果能很好地吻合.结果表明高温时B优先于Al与N结合生成粗大的BN粒子(约900 nm),有效降低了热轧过程细小而弥散的AlN析出量,同时BN依附MnS析出而粗化MnS粒子,减弱了细小弥散析出粒子对奥氏体晶界钉扎以及相变后铁素体晶粒长大的抑制作用. 关键词:硼微合金化; AlN析出; MnS析出; [全文内容正在添加中] ......
Hydrolysis Mechanism of Borazine-derived Boron Nitride Pyrolysized below 1200 ℃Feng Cao ,Kun Liu,Zhenyu Fang and Siqing Wang National Key Laboratory of Advanced Ceramic Fibers and Composites,College... by pyrolysis at various temperatures to investigate the hydrolysis mechanism of borazine-derived BN pyrolysized below 1200 C.The BN was hydrolysized near room temperature at 65% or 90% relative humidity(RH......
AlN基稀磁半导体的研究进展王腊节1,聂招秀21. 南昌大学共青学院工程技术系2. 重庆大学数理学院摘 要:主要介绍了AlN基稀磁半导体(DMS)的研究进展,包括其发展过程,AlN基DMS的研究现状,描述了理想的AlN基DMS材料应具备的特征,并展望了其未来的研究方向.关键词:AlN;稀磁半导体;居里温度;掺杂;过渡元素;......
机械力活化合成AlN粉末 席生岐1,郑锐1,周敬恩1,刘新宽1 (1.西安交通大学材料学院,) 摘要:机械力活化由于能大幅度地降低AlN粉末反应合成温度,缩短反应时间,是制备AlN粉末经济有效的实用化途径之一.简要介绍了机械力活化合成AlN粉末的反应机制,并分析了机械力活化对AlN粉末合成过程的促进作用. 关键词:机械力活化; 团聚; 机械力化学效应; [全文内容正在添加中] ......
碳热还原法制备AlN超微粉工艺和材料研究 赵志江1,孙旭东1,林生2 (1.东北大学材料与冶金学院,沈阳,110004;2.钢铁研究总院粉末冶金研究室,北京,100081) 摘要:以勃母石(γ-AlOOH)和蔗糖为原料,采用碳热还原法在1480℃,N2气氛中保温60min,制备出平均粒径为350nm的AlN粉.勃母石,蔗糖在高温作用下分解成粒度小,活性大的γ-Al2O3和C,有效降低了反应激活能,提高了反应效率,降低了反应温度,缩短了反应时间.其反应合成机理为:在高温下,部分Al2O3被C还原成气态Al 和Al的低价氧化物(Al2O,AlO),它们与N2直接反应生成AlN和中间相AlON.随着反应的进行,中间相AlON逐步生成AlN. 关键词:勃母石(γ-AlOOH); 蔗糖(C12H22O11); AlN粉体; 碳热还原法; 反应机理; [全文内容正在添加中] ......
AlN陶瓷热导率影响因素的研究 周新贵1,匡加才1,曹英斌1,张长瑞1,王思青1 (1.国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室,长沙,410073) 摘要:基于AlN陶瓷的导热机理,从显微结构,材料组成,工艺因素三方面来对AlN热导率的影响进行了探讨.AlN高热导率取决于AlN晶间良好接触,第二相含量少呈孤岛状分布以及低气孔率的显微结构,而材料组成,制备工艺的优化是为了具有良好显微结构的AlN陶瓷得以实现和改善. 关键词:AlN; 热导率; 材料组成; 显微结构; 工艺因索; [全文内容正在添加中] ......
烧成制度对AlN陶瓷性能及显微结构的影响姚义俊,万韬瑜,刘斌,张乐彬,李军南京信息工程大学物理与光电工程学院摘 要:为了制备结构致密的Al N陶瓷,在Al N粉末中加入2%(w)的Y2O3,经细磨,造粒,成型烘干后,在热压炉内于氮气气氛中1 8001 950℃分别保温14 h无压烧结制得Al N陶瓷,并研究了烧成温度和保温时间对Al N陶瓷致密度,导热性及显微结构的影响.结果表明:随着烧成温度的提高和保温时间的延长,添加Y2O3的Al N陶瓷的晶粒趋于均匀,显气孔率下降,致密化程度提高;当烧成温度为1 850℃,保温时间达到2 h时,Al N陶瓷的相对密度达到99.8%,热导率达到94.8 W·(m·K)-1.关键词:AlN陶瓷;氧化钇;烧成制度;保温时间;致密度;热导率;......
Synthesis of Y2O3 phosphor by a hydrolysis and oxidation method王晓旭1,胡业旻1,孟详海2,李瑛1,朱明原1,金红明11. Laboratory for Microstructures, School of Materials Science and Engineering, Shanghai University2. Department of Mechanical Engineering, Tangshan Polytechnic College摘 要:A novel and convenient hydrolysis and oxidation method was first used in preparation......
Synthesis of Y2O3 phosphor by a hydrolysis and oxidation method王晓旭1,胡业旻1,孟详海2,李瑛1,朱明原1,金红明11. Laboratory for Microstructures, School of Materials Science and Engineering, Shanghai University2. Department of Mechanical Engineering, Tangshan Polytechnic College摘 要:A novel and convenient hydrolysis and oxidation method was first used in preparation......
衬底温度对直流磁控溅射沉积AlN薄膜组织结构的影响 李绍禄1,门海泉1,李德意1,周灵平1,刘新胜1 (1.湖南大学,材料科学与工程学院,湖南,长沙,410082) 摘要:采用直流反应磁控溅射法在不同衬底温度(20~490 ℃)下沉积了AlN薄膜,用XRD分析了薄膜的择优取向,用高分辨场发射扫描电镜来表征了薄膜的表面型貌.实验结果表明,当衬底处在20 ℃冷却的样品台沉积AlN时其上没有晶态的薄膜生成;衬底处于等离子体自加热时,薄膜具有混合的取向;随着温度的升高,薄膜的(002)晶面择优取向度逐渐增大,薄膜的结晶度越来越高,同时更加致密化.当温度到达 400 ℃时,(002)晶面取向度达到最大.温度达到490 ℃时,薄膜再度出现了明显的(100),(101)晶面的衍射峰. 关键词:AlN薄膜; 衬底温度; 择优取向; 表面形貌; 反应磁控溅射; [全文内容正在添加中] ......