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of growth of three different morphologies of zinc oxide nanoparticles(ZnO NPs): i) flower-like nanorod and nanoflakes, ii) assembled hierarchical structure,and iii) nano granule. Oleic acid(C18H34O2......
(CVD) method.The devices based on 2D ultrathin BiOBr single-crystal nanoflakes show a high UV detecting performance including low dark current(Idark) of 1.46pA and high re s ponsivity(R),external......
nanoflakes to nanocrystals. Under the excitation of UV light, rare earth ions(Eu3+, Ce3+, Tb3+) doped β-Sr HPO4 nanocrystals exhibited the characteristic emission of Eu3+, Ce3+ and Tb3+ ions, respectively......
丁酰壳聚糖树枝网络交联膜的制备及其固定酶的应用 王刚1,沈健2,朱爱萍2,成大明2 (1.南京大学,化学系,江苏,南京,210093;2.南京大学,表面和界面化学工程技术研究中心,江苏,南京,210093) 摘要:通过丁酰壳聚糖与丙烯酰氧基丙基二甲氧基硅烷的迈克尔加成反应合成了含有甲氧硅烷基(Methoxysilyl-)的丁酰壳聚糖(MoS-butyrylchitosan),Mos基团通过水解缩合成树枝网络膜(DBCSF).SEM测定表明,该膜具有微孔结构.当丁酰壳聚糖树枝网络膜固定辣根过氧化酶(HRP)修饰金电极表面,采用示差脉冲极谱(DPV)方法对过氧化氢进行监测,测量限度可达到2×10-10mol/L,传感器4℃储存2个月以后酶的活性可保持75%. 关键词:丁酰壳聚糖; 树枝网络; 交联; 生物传感器; 辣根过氧化酶; [全文内容正在添加中] ......
,这有利于MOS晶体管的进一步尺度缩小. 关键词:高介电栅介质材料; 激光分子束外延; 二氧化铪; High-k gate dielectric; LMBE; HfO2; [全文内容正在添加中] ......
新型钛铁矿捕收剂捕收性能和作用机理的研究 谢建国1,陈让怀1,魏民1 (1.长沙矿冶研究院,湖南,长沙,410012) 摘要:实验合成了一种对钛铁矿浮选选择性强的阴离子捕收剂TAO,以此为基础与一种廉价脂肪酸皂组合复配研制出一种新型钛铁矿捕收剂RHB.单矿物浮选实验表明:pH=6~10范围内RHB对钛铁矿/钛辉石体系有较强的选择性.人工混合矿(钛铁矿占40%,钛辉石占60%,钛总品位20.34%)实验表明:RHB一次粗选获得的粗精矿品位达到42.62%,与目前生产用捕收剂MOS相比,在回收率指标相近的情况下,粗精矿品位提高了5.32个百分点.对新型捕收剂的关键组分TAO在钛铁矿表面的作用机理进行了探讨. 关键词:捕收剂; 钛铁矿; 作用机理; [全文内容正在添加中] ......
新型高k栅介质HfSiON薄膜的制备及性能研究 田浩1,冯丽萍2,刘正堂1 (1.西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072;2.西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072) 摘要:为了替代传统的SiO2栅介质,利用射频反应溅射法在Si衬底上制备了新型HfSiON薄膜.研究了HfSiON薄膜的成分,结构和介电性能.由XRD图谱可知,HfSiON薄膜经900℃高温退火处理后仍为非晶态,显示出良好的熟稳定性.MOS电容的高频C-V曲线测量显示,HfSiON薄膜具有较好的介电特性,其介电常数可达到18.9,电容等效氧化层厚度为4.5 nm.I-V测量结果表明,HfSiON薄膜的漏电流密度很低,在外加偏压(Vg)为±1.5 V处的漏电流密度分别为3.5×10-7A/cm2(+1.5 V)和1.5×10-6A/cm2(-1.5 V).研究表明,HfSiON薄膜将会是......
退火对栅介质SrHfON薄膜性能的影响刘璐,刘正堂,冯丽萍,田浩,刘其军,王雪梅西北工业大学凝固技术国家重点实验室摘 要:采用射频磁控溅射法在Si衬底上制备新型栅介质SrHfON薄膜.采用X射线衍射(XRD)仪,高分辨透射电镜(HRTEM)和X射线光电子谱(XPS)分析退火对SrHfON薄膜的界面形态,薄膜的结构和电学性能的影响.结果表明,SrHfON薄膜经900℃退火后仍保持非晶态,表现出良好的热稳定性.SrHfON薄膜与Si衬底的界面主要由HfSixOy和SiO2组成.以SrHfON薄膜为栅介质的MOS电容结构具有较小的漏电流密度,并且漏电流密度随着退火温度的升高而减小.在外加偏压(Vg)为+1V时样品在沉积态和900℃退火后的漏电流密度分别为4.3×10-6和1.2×10-7A/cm2.研究表明......
ICP-AES法测定太阳能级硅中磷等12种痕量杂质元素孙东亚1,何丽雯2,谢安11. 厦门理工学院材料科学与工程学院2. 华侨大学材料科学与工程学院摘 要:用电感耦合等离子体原子发射光谱仪(ICP-AES)测定太阳能级硅(SOG-Si)中磷等12种杂质元素.实验发现,在150℃时,用HF和HNO3的混合溶液,试样在PFA烧杯中能较快溶解.在1000级洁净室中,用金属氧化物半导体(MOS)级试剂溶解电子级硅(EG-Si,纯度大于9N)可控制样品空白中各元素的含量均小于1μg/L,并能较好的补偿基体效应.在选定仪器工作条件下,被测元素检出限为550 ng/mL,回收率在93%105%,相对标准偏差RSD≤9.8%(n=11).测定结果与电感耦合等离子体原子发射质谱(ICP-MS)法及辉光放电质谱(GDMS......
properties of GDH film and the interface characteristic of GDH/Si system.NH3 annealing also led to the decrease of interface layer thickness.The leakage current density of Pt/GDH/p-Si MOS capacitor......
