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附加碳源对SiC单晶生长过程的影响 蒋仙1,刘军林1,乔冠军1,杨建峰1,高积强1,程基宽1 (1.西安交通大学,陕西,西安,710049) 摘要:研究了用物理气相传输(PVT)法制备SiC单晶的过程中附加碳源对晶体生长速度及缺陷的影响,并将活性炭与SiC粉末一起加入到石墨坩埚中进行晶体生长.用XRD分别测定了晶体生长前后坩埚与活性炭的石墨化度,并用光学显微镜观察了晶体中的缺陷.结果表明,随晶体生长过程的进行石墨坩埚的活性降低,直接导致晶体生长速度减慢,并使籽晶表面Si液相形成的可能性增大,与Si液相相关的缺陷增多.活性炭的加入给生长过程提供了充足的碳源,提高了晶体的生长速度,并抑制了籽......
热处理对n-SiO2/Ni镀层接触疲劳性能的影响 丁培道1,董世运2,徐滨士2,蒋斌1 (1.重庆大学,重庆,400044;2.装甲兵工程学院,北京,100072) 摘要:用电刷镀技术制备了n-SiO2/Ni复合刷镀层,分析了复合镀层的微观组织,测试了该镀层的接触疲劳性能,考察了热处理对组织和接触疲劳性能的影响,并与纯镍镀层进行了对比.结果表明,复合镀层的组织细小,纳米颗粒呈弥散分布;热处理后n-SiO2/Ni的接触疲劳寿命超过130万次,是热处理后纯镍镀层的4.67倍,与镀态n-SiO2/Ni的接触疲劳性能相当.热处理后n-SiO2/Ni镀层的疲劳断口呈塑性变形特征,热处理能在一定程度......
不同界面对等离子喷涂钨结合强度的影响 都娟1,周张健1,葛昌纯1,宋书香1,姚伟志1 (1.北京科技大学材料科学与工程学院特陶中心,北京,100083) 摘要:在无氧铜的基体上制备了等离子喷涂钨基涂层以应用于核聚变反应堆中偏滤器部件的面向等离子体材料.比较了不同过渡层对等离子喷涂钨基涂层结合强度的影响.采用扫描电镜和能谱分析仪对涂层的微观形貌和组成进行了观察和分析.发现在涂层中和铜结合的界面比较疏松,而和钨结合的界面则较为致密.拉伸试验结果表明,和其他样品相比,室温下没有过渡层的钨涂层界面表现出较高的结合强度. 关键词:钨; 等离子喷涂; 结合强度; 界面; 面向等离子体材料; [......
掺杂方式对Mo-La2O3合金组织和力学性能的影响 赵宝华1,王林2,王建武1,孙军2,孙院军2,罗建海1 (1.金堆城钼业集团有限公司,陕西,西安,710068;2.西安交通大学,陕西,西安,710049) 摘要:分别采用液-固和液-液掺杂方式向钼粉中引入氧化镧,烧结出Mo-La2O3合金,通过扫描电镜和透射电镜观察,研究了不同掺杂方式制备的Mo-La2O3合金中第二相粒子的粒度分布和形貌,分析了第二相粒子在钼基体中的分布规律,检测了钼丝的拉伸性能,通过位错塞积理论讨论了La2O3颗粒形貌和分布对Mo-La2O3拉伸性能的影响机制.结果表明:液-液掺杂方法能够使钼基体中的La2O3粒子......
添加元素对Gd0.73Tb0.27合金磁热性能的影响 李士涛1,张岸1,侯雪玲1 (1.上海大学,上海,200072) 摘要:对Gd1-xTbx合金的磁热性能进行了研究.结果表明:Gd0.73Tb0.27的绝热温变比纯度为99.9%的Gd大,居里温度比Gd低14 K,其磁热性能优于Gd.添加元素对Gd0.73Tb0.27磁热性能的影响表明:Dy的添加使Gd0.73Tb0.27的最大绝热温变略有减小,但仍保持比纯度为99.9%的Gd大;少量Nd的加入可显著降低居里温度,使最大绝热温变略有减小,它是十分有效的制冷温区调节剂;少量Fe的加入可提高居里温度,同时又能保持较大的绝热温变;Ge的添加......
超重力对燃烧合成NiAl金属间化合物的影响 宁晓山1,陈克新1,钟继东1,周和平1 (1.清华大学材料科学与工程系,新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084) 摘要:在超重力条件下,采用Ni,Al粉末为原料,燃烧合成NiAl金属间化合物.对所得产物进行了XRD,SEM分析,密度测定和晶粒尺寸计算.结果表明:超重力下燃烧合成所得产物为单相NiAl块体材料,断口晶粒变小,密度随离心力增大而增大,晶粒尺寸随离心力增大而减小,单一块体材料中晶粒尺寸自上而下减小. 关键词:超重力; 燃烧合成; NiAl; [全文内容正在添加中] ......
合成条件对纳米SiC介电性能的影响 李智敏1,罗发1,苏晓磊1,朱冬梅1,周万城1 (1.西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072) 摘要:;用蔗糖,SiO2,Al2O3溶胶,利用碳热还原法合成了碳化硅粉体.研究结果表明,在1450℃有少量碳化硅合成.随着合成温度的提高,合成产物逐步由非晶态转化碳化硅;随着合成产物中碳化硅含量的升高,合成粉末的复介电常数增大.与合成的纯碳化硅相比,添加少量Al2O3溶胶后合成的碳化硅的复介电常数明显升高,其原因在于Al,O分别替代Si,C,导致SiC晶格中出现带电缺陷所致.在N2气氛中合成的碳化硅的复介电常数明显高于Ar气氛中合成的SiC的复介电常数,这是由于N原子固溶到SiC晶格中产生带电缺陷引起的.添加较多Al2O3溶胶后,合成产物的复介电常数的实部,虚部低于添加少量Al2O3溶胶时的合成产物的复介电常数的实部,虚部.分析......
SPS烧结对磷酸镧晶体取向及热导率的影响 潘伟1,覃业霞1,瞿志学1,杜爱兵1,万春磊1 (1.清华大学材料科学与工程系,新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084) 摘要:以放电等离子体烧结(Spark Plasma Sintering:SPS)技术制备了相对密度较高的磷酸镧(LaPO4)陶瓷,利用X射线衍射(XRD)分析了不同压力对LaPO4陶瓷晶体取向的影响,并测得在1350 ℃,40 MPa下保温3 min样品从室温到1473 K的热导率,结果表明:利用SPS制备的LaPO4陶瓷出现了较为明显的织构,其(200)晶面与(120)晶面XRD衍射峰积分面积的比值由无压烧结时......
MgO和SiO2烧结添加剂对陶瓷刚玉磨料性能的影响 李志宏1,张云浩1,朱玉梅1 (1.天津大学材料科学与工程学院,先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津,300072) 摘要:以氧化镁和氧化硅为烧结添加剂,利用无压烧结工艺制备了陶瓷刚玉磨料.借助扫描电子显微镜和金刚石静压强度测定仪等测试设备,研究了氧化镁,氧化硅配比的变化对陶瓷刚玉磨料显微结构,力学性能和烧结温度的影响.实验结果表明,提高添加剂中氧化镁成分的相对含量,晶粒呈明显各向异性生长;随着添加剂中氧化镁含量的相对增加,磨料单颗粒抗压强度先增加后降低;磨料的烧成温度随添加剂中氧化镁含量的增加逐渐升高. 关键词:烧结添加剂; M......
温度对硅铁合金氮化产物相组成的影响 房明浩1,夏银凤1,黄朝晖1,杨景周1,王欣颖1,刘艳改1 (1.中国地质大学(北京)材料科学与工程学院,北京,100083) 摘要:分别在1400,1500,1600,1700 ℃的温度下,于0.9 MPa氮气气氛条件下保温3 h,对FeSi75硅铁合金粉体进行了氮化实验.研究结果表明:FeSi75合金粉体氮化后产物为Si3N4和Fe3Si,其中1400 ℃和1500 ℃氮化产物中的氮化硅为α-Si3N4;1600 ℃和1700 ℃氮化产物中的氮化硅为α-Si3N4和β-Si3N4.α-Si3N4的数量随温度升高而减少,β-Si3N4的数量随温度升高......