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采用SCFL的GaAs双模高速分频器 王国全1 (1.信息产业部电子13所GaAsIC国家重点实验室,石家庄050051) 摘要:介绍了三种GaAs双模高速分频器的设计,分别讨论了双模分频器的工作原理及三种电路的逻辑设计,以及基于源耦合场效应管逻辑的电路结构,并给出了三种电路的模拟结果. 关键词:GaAs源耦合场效应管逻辑; 双模分频器; 工作原理; [全文内容正在添加中] ......
非掺半绝缘GaAs单晶的垂直梯度凝固生长 莫培根1,杜立新1,赵福川1,谈惠祖1 (1.中国科学院上海冶金研究所,上海,200050) 摘要:研究了非掺GaAs半绝缘单晶的液封垂直梯度凝固法(VGF)生长技术,解决了Si沾污和C浓度的控制问题,得到了直径2英寸非掺半绝缘低位错单晶.测试表明:该单晶的位错密度较LEC单晶下降近一个数量级,电学参数与LEC单晶类似,接近国外VGF单晶的参数指标. 关键词:垂直凝固(VGF); 半绝缘GaAs单晶; 晶体生长; [全文内容正在添加中] ......
全自动在片直流测试技术对提高GaAs MMIC批量生产成品率的作用 陈新宇1,郝西萍1,吴振海1,蒋幼泉1 (1.南京电子器件研究所,南京,210016) 摘要:成品率高低是批量生产能否进行的关键.采用全自动在片直流测试,对参数进行统计分析,能判断成品率是否正常,并帮助找出影响成品率的原因.本文介绍了行之有效的测试统计和分析技术. 关键词:成品率; 在片测试; GaAs MMIC; [全文内容正在添加中] ......
GaAs霍尔开关集成电路的研制 陈新宇1,夏冠群2,詹琰2,蒋幼泉1,李拂晓1,冯明2,胡少坚2 (1.南京电子器件研究所,南京,210016;2.中科院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050) 摘要:成功地设计并制造出 GaAs MESFET霍尔开关集成电路.该电路采用了方形霍尔元件,绝对 灵敏度为 704mV/T;信号处理电路由差分放大电路和触发电路组成,触发电路结构类似于 SCFL 的 D触发器.结果表明,开关性能良好,工作点合理,达到设计要求.实验结果还表明,霍尔元件 和放大电路可构成灵敏度很高的霍尔线性集成电路. 关键词:霍尔效应; 磁传感器; 开关; GaAs; 集成电路; [全文内容正在添加中] ......
变掺杂GaAs光电阴极的研究进展 牛军1,陈怀林3,常本康3 (1.南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京210094;2.南阳理工学院电子与电气工程系,南阳473004;3.南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京,210094) 摘要:从变掺杂阴极的结构种类,变掺杂GaAs光电阴极的光电发射机理,制备技术以及变掺杂结构对阴极性能的影响等方面介绍了当前国内研究变掺杂GaAs光电阴极的进展.目前该工作还处于起步阶段,理论研究还有待于进一步深入.开展变掺杂阴极研究是我国走自主创新道路,提高国内三代微光器件性能的有效途径. 关键词:GaAs; 光电阴极; 变掺杂; [全文内容正在添加中] ......
中子辐照GaAs缺陷的退火行为研究 张灶利1,王佩璇1,刘键2 (1.北京科技大学材料物理系,北京100083;2.中国科学院高能物理研究所,北京100080) 摘要:采用霍尔测量,沟道卢瑟福背散射 (沟道RBS) 以及低温光荧光方法对中子辐照GaAs缺陷的快速退火行为进行了研究. 嬗变杂质锗未能全部激活的原因之一是部分锗原子占据砷位形成受主. 在快速退火过程中可形成反位缺陷GaAs(Ev+200 meV) 以及复合缺陷IGa-VAs. 关键词:中子辐照; GaAs; 缺陷; [全文内容正在添加中] ......
垂直梯度凝固法生长半绝缘GaAs单晶的工艺研究 杜立新1,赵福川1,谈惠祖1 (1.中国科学院上海冶金研究所,上海,200050) 摘要:在国产三温区VGF单晶炉上,研究了非掺GaAs半绝缘单晶的液封垂直梯度凝固法生长技术.讨论了引晶,坩埚设计与质量,PBN坩埚的剥落,B2O3的水份控制等因素对单晶生长的影响,基本解决了VGF的工艺问题.通过多炉生长,得到了Φ2″=VGF非掺半绝缘低位错全单晶. 关键词:垂直梯度凝固(VGF); 半绝缘GaAs单晶; 晶体生长; [全文内容正在添加中] ......
GaAs单晶材料发展现状和展望邓志杰北京有色金属研究总院摘 要:概述了各种GaAs单晶生产工艺的发展现状 ,并进行了简要比较.目前 ,全世界GaAs单晶产量约 80~ 10 0t.随着各类GaAs器件和电路需求量的增长 ,GaAs单晶生产规模还在不断扩大 ;并因此带动了对原料Ga的强烈需求和价格上扬关键词:GaAs;单晶生产工艺;位错;热应力;原料Ga;......
退火对GaAs窗口晶体断裂模数的影响 黎建明1,郑安生1,屠海令1 (1.北京有色金属总院红外材料研究所,北京,100088) 摘要:LEC GaAs 晶片经高温退火后, 残余应力得以部分释放; 从而减小残余应力诱生断裂的可能性, 提高了GaAs晶体的断裂模数. 原生GaAs晶片加工的样品的断裂模数平均值约为135 MPa, 经退火的GaAs晶片加工样品的断裂模数平均值更高, 约为150 MPa, 断裂模数最高值达163 MPa. 关键词:GaAs; 断裂模数; 退火; [全文内容正在添加中] ......
光学加工对GaAs窗口晶体断裂模数的影响 黎建明1,郑安生1,屠海令1 (1.北京有色金属总院国家半导体材料工程研究中心,北京,100088) 摘要:用四点弯曲法测量了GaAs晶体断裂模数,其结果表明加工方法是影响GaAs晶体断裂模数测量值的重要因素.切割加工的GaAs晶体的断裂模数最低,研磨加工GaAs晶体的断裂模数其次,机械抛光的断裂模数再其次,而机械抛光后再化学抛光的GaAs晶体的断裂模数平均值最高,其平均值约为135 MPa.光学加工表面损伤层及损伤层中的缺陷,裂纹和应力将导致GaAs晶体的断裂模数值下降. 关键词:GaAs; 光学加工; 断裂模数; 损伤层; [全文内容正在添加中] ......
