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Be Diffusion and Suppression in HBT StructureMaterials Grown by邱建华,陆泳,朱福英,李爱珍摘 要:BeDiffusionandSuppressioninHBTStructureMaterialsGrownbyMBEQiuJianhua;LuYong;ZhuFuyingandLiAizhen(邱建华)(陆泳)(朱福英)(李爱珍)(ShanghaiI...关键词:......
微波功率器件及其材料的发展和应用前景 晏敏1,曾健平1,文剑1 (1.湖南大学应用物理系,长沙,410082) 摘要:介绍了微波功率器件的发展和前景,对HBT,MESFET和HEMT微波功率器件材料的特点和选取,以及器件的特性和设计做了分类说明.着重介绍了SiGe合金,InPSiC,GaN等新型微波功率器件材料.并对目前各种器件的最新进展和我国微波功率器件的研制现状及与国外的差距做了概述与展望. 关键词:微波功率器件 设计 材料 HBT MESFET HEMT; [全文内容正在添加中] ......
Electron irradiation effects on DC electrical performances of SiGe HBT in a comparison with Si BJTTSIEN Peihsin摘 要:<正>The DC characteristics of SiGe HBT irradiated at different electron dose have been studied in a comparison with those of Si BJT. Generally, Ib and Ib - Ib0 increase, Ic, Ic - Ic0 and its +/- transition Vbe as well as DC current......
Si/SiGe异质结双极晶体管的研制 杨谟华1,谢孟贤1,刘道广2,杨沛锋1,张静2,何林2,李开成2,李竞春1 (1.电子科技大学微电子科学与工程系,成都610054;2.模拟集成电路国家重点试验室,重庆400060) 摘要:通过理论分析计算,计算机模拟和工艺实验,对Si/SiGe异质结双极晶体管(HBT)的结构参数进行了精细的优化设计,特别是采用了本征间隔层和新颖的Ge分布曲线,有效地削弱了基区杂质外扩散,基区复合和异质结势垒效应的不利影响.开发了兼容于硅工艺的锗硅HBT工艺,并据此试制出了Si/SiGeHBT,测量结果表明,器件的直流和交流特性均较好,电流放大系数为50,截止频率fT为5.1GHz. 关键词:锗硅材料; 分子束外延; 异质结双极晶体管; 优化设计; SiGe; MBE; HBT; optimization; [全文内容正在添加中] ......
改善多指功率SiGe HBTs热稳定性的版图设计 胡宁1,李佳1,甘军宁1,金冬月1,沈珮1,谢红云1,张万荣1 (1.北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100124) 摘要:提出非均匀指间距结构功率SiGe HBTs的版图设计用以改善热稳定性.模拟和实验结果均表明,与传统的均匀指间距结构相比,非均匀指间距结构HBT的峰值结温和温度分布非均匀性均得到显著改善.上述改善归功于非均匀指间距结构HBT中心指间距的增加,从而有效阻止热流由外侧指流向中心指处.此外,与均匀指间距结构器件相比,其热阻改善13.71%,热退化功率水平提高22.8%.因此,模拟和实验均证明采用非均匀指间距结构HBT的版图设计可有效改善功率HBTs热稳定性. 关键词:SiGe; HBT; 热稳定性; SiGe; HBT; thermal stability; [全文内容正在添加中] ......
大器.该低噪声放大器采用BiFET(Bipolar-MOSFET) Cascode结构可以同时实现极低噪声和高线性度.采用异质结晶体管(heterogenous bipolar transistor, HBT)作为输入管以提供低噪声性能,Cascode级采用MOSFET管来提高线性度.与传统的全HBT管或全MOSFET管相比,这种混合结构能更方便地实现噪声,增益和线性度之间的折中设计.当该低噪声放.... It uses a BiFET Cascode structure and achieves ultra low noise and considerable linearity simultaneously. The heterogenous bipolar transistor (HBT) input transistor provides very low noise and a cascode......
AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管直流特性研究 夏冠群1,李冰寒1,周健1,刘文超1 (1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050) 摘要:制备了大尺寸 AlGaInP/GaAs SHBT和 DHBT,对其直流特性进行了测试,并分析了 AlGaInP/GaAs单异质结晶体管(SHBT)和双异质结晶体管(DHBT)的直流特性差异,深入研究了影响 AlGaInP/GaAs HBT开启电压(Voffset)的各个因素.结果表明: AlGaInP/GaAs HBT开启电压与外加基极电流密切相关,采用宽发射区可大大降低器件的开启电压. 关键词:异质结双极晶体管; AlGaInP/GaAs; 直流特性; 开启电压; [全文内容正在添加中] ......
PET-HBT热致液晶嵌段共聚酯的合成及表征 霍红星1,杜拴丽1,王久芬1 (1.华北工学院化学工程系,山西,太原,030051) 摘要:首先以对苯二甲酸双β-羟乙酯与过量的对苯二甲酰氯合成了酰氯基封端的ET齐聚物,并以过量的双对羟基苯甲酸丁二醇酯与对苯二甲酰氯合成了酚羟基封端的齐聚物HBT.而后,以四氯乙烷为溶剂,采用溶液缩聚法以ET和HBT为原料,合成嵌段共聚酯(PET-HBT).用偏光显微镜,1H-NMR,WAXD及FT-IR表征了嵌段共聚酯的微观结构及结晶行为.在一定的温度范围内,该共聚酯是热致液晶高聚物. 关键词:嵌段共聚酯; 热致液晶; 合成; 表征; [全文内容正在添加中] ......
InP/InGaAsHBT湿法化学选择腐蚀技术 李献杰1,敖金平1,徐晓春1,梁春广1,刘伟吉1,曾庆明1 (1.信息产业部电子第十三研究所,石家庄050051;2.林大学光集成国家重点实验室,长春130023) 摘要:用H3PO4:H2O2系和HCl系腐蚀液实现了InP对InGaAs,InGaAs对InP的湿法化学选择腐蚀,并将其应用于InP/InGaAsHBT制作,发射极面积为10μm×20μm的单管共发射极直流增益β为70,截止频率Ft和最大振荡频率Fmax分别为11GHz和12GHz. 关键词:InP; InGaAs; 选择腐蚀; HBT; [全文内容正在添加中] ......
GaAsHBT直接耦合微波单片集成电路 徐晓春1,曾庆明1,刘伟吉1,赵永林1,王全树1,敖金平1,郭建魁1,揭俊锋1,李献杰1 (1.信息产业部电子第十三研究所专用集成电路国家重点实验室,石家庄050051) 摘要:叙述了基于GaAsHBT的直接耦合级联形式,设计制造的几种微波单片集成电路,包括2.5Gb/s跨阻放大器,3GHz可级联放大器和10Gb/s跨阻放大器的设计,制造和测试结果. 关键词:GaAs; HBT; 微波单片集成电路; [全文内容正在添加中] ......