共搜索到25745条信息，每页显示10条信息，共2575页。用时：0小时0分0秒510毫秒
and properties of in situ hypereutectic Al-Si functional graded materials [J]. The Chinese of Journal Nonferrous Metals, 2002, 12(3): 521-524. (in Chinese) 铝硅熔体超重力凝固提纯硅 李京伟1,郭占成1,唐惠庆1,王 志2,孙士瞳1 1. 北京科技大... Trans. Nonferrous Met. Soc. China 22(2012) 958-963 Si purification by solidification of Al-Si melt with super gravity LI Jing-wei1, GUO Zhan-cheng1, TANG Hui-qing1, WANG Zhi2, SUN Shi-tong1 1. State......
Trans. Nonferrous Met. Soc. China 23(2013) 2962-2970 Si-doped diamond films prepared by chemical vapour deposition Yu-xiao CUI1, Jian-guo ZHANG1, Fang-hong SUN1,2, Zhi-ming ZHANG1,2 1. School... Abstract: The effects of Si doping on morphology, components and structure characteristics of CVD diamond films were studied. Si-doped CVD diamond films were deposited on Si substrate by adding......
初始Si含量对离心法制备过共晶Al-Si合金FGM中初晶硅分布的影响 刘耀辉1,于思荣1,张新平1,何镇明1 (1.吉林大学,材料科学与工程学院,长春,130025;2.清华大学,机械系,北京,100084) 摘要:很多实验表明,Si含量不同导致离心法制备过共晶Al-Si合金梯度功能材料(FGM)中初晶硅分布内外侧不同.为了解释这一实验现象,通过理论分析,提出存在一临界初始含量和临界析出温度的观点.分析表明:当Si含量低于临界含量和析出温度低于临界析出温度时,过共晶Al-Si合金析出的初晶硅密度小于残余合金熔液密度;当Si含量高于临界含量时,在临界温度以上合金析出的初晶硅密度大于合金熔液密度,临界温度以下合金析出的初晶硅密度小于合金熔液密度.这导致了离心法制备不同初始Si含量的过共晶Al-Si合金FGM中初晶硅分布于内外侧不同.最后采用实验进行了验证. 关键词:离心法; 过共晶......
锰及其硅化物在Si(100)表面的反应外延生长 赵明海1,邹志强2,陈礼3,王丹4,孙静静4 (1.上海交通大学物理系,上海,200240;2.上海交通大学分析测试中心,上海,200240;3.上海交通大学材料科学与工程学院,上海,200240;4.上海交通大学微纳科学技术研究院,上海,200240) 摘要:采用超高真空分子束外延-扫描隧道显微镜(UHVMBE-STM)系统研究了不同温度下锰及其硅化物在Si(100)-2 ×1重构表面上的外延生长情况.实验结果表明当生长过程中衬底温度控制在室温到135℃时,生成大小基本一致的锰纳米团簇;当衬底温度达到210℃时锰与硅开始发生反应,形成硅化物,并有纳米线结构出现;当衬底温度达到330℃时,纳米线完全被棒状物或不规则的三维岛状硅化物取代.随着沉积时衬底温度升高,生成物的成核密度与生长温度的关系与经典的二维岛成核理论相符合. 关键词:扫......
硅含量对喷射沉积SiCp/Al-Si功能梯度复合材料摩擦磨损性能的影响苏 斌,严红革,陈吉华,陈 刚,杜嘉庆(湖南大学 材料科学与工程学院,长沙 410082)摘 要:对喷射沉积技术制备的不同硅含量铝基功能梯度复合材料进行室温摩擦学性能研究.结果表明:当硅含量分别为7%,17%和20%时,SiCp/Al-Si功能梯度复合材料的摩擦因数随载荷或滑动速度(转速)的增加而减小...中生成的机械混合层(MML)厚度呈减小趋势.关键词:硅含量；喷射沉积；功能梯度复合材料；摩擦因数；磨损性能Effect of silicon content of substrate on wear properties of spray-deposited SiCp/Al-Si functionally gradient compositesSU Bin, YAN Hong-ge, CHEN......
with different Si contents 表2 退火态合金组成相的平均成分 Table 2 Average composition of phases in annealed alloy 图2 退火态合金的XRD谱 Fig. 2 XRD patterns of alloys after annealing 2.2 硅对合金... with different Si contents 图4所示为合金氧化增量随Si含量的变化曲线.由图4可知,氧化增量与合金中的硅含量之间的关系比较复杂.但合金中加入Si后避免了灾难性氧化.其中,合金2,3,4,5和6的氧化动力学曲线类似,都呈抛物线型.随着Si含量的加入,氧化增量随硅含量增加而减少,当Si含量高于1.5%后,氧化增量迅速降低,特别是Si含量达到3%~4%时,合金经过前期的质量增加和质量损失......
......
Si基太阳电池发展现状邓志杰北京有色金属研究总院摘 要:晶体硅是目前光伏应用中最主要的材料 ,本文简要介绍了单晶,多晶,带状,非晶硅电池以及多晶和微晶硅电池的发展现状.关键词:硅;光伏材料;太阳电池;......
离子束溅射Si薄膜的低温晶化生长 冯林永1,杨瑞东1,宋超1,杨宇1 (1.云南大学材料科学与工程系,昆明,650091) 摘要:采用离子束溅射技术,在低生长束流(4~10 mA)范围内,对低温(25~300 ℃)Si薄膜的晶化进行了研究.由Raman和XRD表征分析得出:在300℃采用6mA的生长束流,可在硅衬底上得到结晶性和完整性较好的Si外延薄膜;25℃时,在硅衬底上得到Si薄膜的多晶结构,实现了Si薄膜的低温晶化生长. 关键词:Si薄膜; 离子束溅射; 束流; 低温; [全文内容正在添加中] ......
prismatic-shaped primary Si. Key words: five-pyramid prismatic-shaped primary Si; layer growth trace; sub-step growth theory 在铸态下过共晶铝硅合金中存在多种形貌的初生硅,如八面体,板状,五瓣星状及其他复杂形貌[1-6].在平衡凝固条件下,具有面心立方金刚石型结构的Si晶由{111}面包围生长成为八面体形貌.在一般非平衡凝固条件下,由于纯度和冷却速度等原因,在Si晶内部总会形成一定数量的生长孪晶,Si晶体依靠这些孪晶形成的凹角生长成板片状,是孪晶凹角生长机制[1].KOBAYASHI等[3]和桂满昌等[4]分别从结构和热力学角度研究了五瓣星状初生硅及其五重孪晶凝并形核过程,认为它是由预存在熔体中的5个四面体初生硅结合成一个十面体后发展形成的.本文作者在研究一般凝固条件......
