共搜索到397条信息,每页显示10条信息,共40页。用时:0小时0分0秒156毫秒
过氧化法常压干燥制备的V2O5气凝胶的性能探究 沈军1,崔朝军1,杨辉宇1,吴广明1,孙娟萍1,张明霞1 (1.同济大学上海市特殊人工微结构材料与技术重点实验室,波尔固体物理研究所,上海,200092) 摘要:以V2O5晶体粉末,H2O2(30%(质量分数))为原材料,采用溶胶-凝胶法,通过溶剂替换工艺在常压下成功地制备了纳米多孔结构的V2O5气凝胶材料.采用扫描电镜(SEM),透射电镜(TEM),比表面积仪(BET),粉末X射线衍射(XRD),傅立叶红外分光光度计(FTIR)和拉曼光谱仪(Raman)等方法分别观察和测试了V2O5气凝胶材料的形貌,晶态结构及分子振动.SEM,TEM观察表明,常压干燥制备的V2O5气凝胶呈比较规则的具有层状结构的纤维网络状结构;XRD分析表明,由于结合水插入层间而使V2O5气凝胶的层间距有明显的增加;BET测试结果表明,常压干燥制备的V2O5气凝胶......
V2O5熔体的微量氧化还原研究 谷臣清1,魏劲松1,赵康1 (1.西安理工大学材料科学与工程学院,) 摘要:将700,800,1100℃三种温度下的V2O5熔体制得V2O5溶胶,在非晶玻璃基片上将V2O5溶胶制成V2O5凝胶薄膜试样.通过对V2O5凝胶薄膜试样的电阻随温度的变化测试和电子能谱(ESCA)和X射线衍射分析发现V2O5凝胶薄膜中有四价钒的存在,本文从V2O5熔体的微量氧化还原和晶体结构的角度分析讨论了微量氧化还原影响钒离子价态变化的机理. 关键词:溶胶-凝胶; 薄膜; V2O5; [全文内容正在添加中] ......
含纳米V2O5颗粒钒催化剂的制备 徐楚韶1,高家诚1,王勇1,杨绍利1,陈功明1 (1.重庆大学,重庆,400044) 摘要:介绍了1种制备纳米钒催化剂的新方法.用TEM,SEM,XRD,DSC等手段研究了纳米V2O5溶胶-凝胶,以及活性组分V2O5颗粒在钒催化剂中的形貌,大小和分布等.试验结果表明,随着水钒比的降低,纳米V2O5颗粒的形状由针状,椭球状向球状变化;制备纳米V2O5溶胶-凝胶适宜的熔化工艺参数为800℃~860℃,15 min ~10 min.采用本工艺方法制备出了含粒径为30 nm~60 nm的纳米V2O5溶胶-凝胶和纳米钒催化剂. 关键词:溶胶-凝胶; 纳米V2O5; 钒催化剂; [全文内容正在添加中] ......
V2O5溶胶掺杂Li1.05Nb0.55Ti0.55O3微波介质陶瓷的烧结特性及介电性能 王焕平1,杨辉1,张启龙1 (1.浙江大学,浙江,杭州,310027) 摘要:研究了V2O5溶胶含量对Li1.05Nb0.55Ti0.55O3陶瓷烧结特性及介电性能的影响.实验结果发现,V2O5溶胶与基质形成低熔点LiVO3界面相,促使Li1.05Nb0.55Ti0.55O3烧结温度从1 100℃降至900℃;XDR表明,LiVO3相在烧结后期固溶入M相晶格中.随V2O5添加量增加,致密化温度降低,介电常数εr减少,品质因子Qf降低,频率温度系数τf变化较小:掺加2%V2O5(质量分数,下同)溶胶的Li1.05Nb0.55Ti0.55O3陶瓷在900℃烧结2 h,其微波介电性能:εt=60.2,Qf=3 868 GHz,τf=35.7×10-6/℃. 关键词:介电性能; 低温烧结; sol......
锂电池阴极材料V2O5常压干燥气凝胶的制备及离子输运特性 王爱荣1,周斌1,沈军1,肖锟1,吴广明1,房兴梅1 (1.同济大学波耳固体物理研究所,上海,200092) 摘要:以VO(OC3H7)3,丙酮和水为原材料,采用溶胶-凝胶技术制备溶胶,通过溶剂替换工艺在常压下制备出了纳米多孔结构的V2O5气凝胶材料.使用扫描电镜(SEM),透射电镜(TEM),粉末X射线衍射(XRD),BET分别观测和测试了V2O5气凝胶材料的形貌,晶态,气凝胶比表面积,孔径分布.结果表明:常压干燥制备的V2O5气凝胶呈比较规则的纤维状纳米多孔结构,比表面积达138.9m2/g,平均孔径约为15nm,材料经300℃热处理后结晶.测试了V2O5气凝胶材料在不同电压下的交流阻抗谱(EIS),用等效电路进行了模拟,并对其动力学参数进行了分析和讨论.电化学测试表明,V2O5气凝胶首次放电容量为300.45mAh/g......
V2O5薄膜用作SO2气敏传感器 范正修1,孙玉琴1,汤兆胜1 (1.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800) 摘要:在O2/Ar气氛中,用射频磁控溅射法在常温下溅射V2O5粉末靶得到氧化钒薄膜.在350℃热处理后,经XRD分析.薄膜的主要成分为V2O5.在不同温度下对v2O5薄膜作了对"空气和SO2"的混合气氛的敏感特性测试分析,发现在300~390℃范围内,薄膜对SO2气体灵敏度随温度的升高而增大,在超过390℃后,灵敏度随温度升高而降低.在SO2气体去除后,薄膜的电阻值能恢复到初始状态,气敏过程可反复进行.文章对V2Os薄膜的气敏机理作了定性描述. 关键词:V2O5; 薄膜; 传感器; SO2; [全文内容正在添加中] ......
V2O5直接合金化的热力学分析 李正邦1,周勇1 (1.钢铁研究总院,北京,100081) 摘要:运用HSC软件对V2O5直接合金化过程中V2O5和还原剂构成的多元,多相复杂反应体系进行还原成分的计算和分析.热力学计算结果表明,2O5碳热还原产物是V的碳化物;硅热还原体系中需配加CaO;铝热还原可以得到99%的还原率,l的还原能力比C和Si都要强.V2O5的硅铝热复合还原用少量的Al可得到高的还原率.计算结果与工业实践中电硅热法冶炼钒铁反映的热力学规律一致. 关键词:V2O5; 直接合金化; 碳热还原; 硅热还原; 铝热还原; 热力学分析; [全文内容正在添加中] ......
V2O5对BaTiO3陶瓷PTC效应的影响 曲远方1,郝艳霞1,马卫兵1,白杰1 (1.天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点试验室,天津,300072) 摘要:以BaTiO3为基,以Y2O3作为主要施主掺杂物,研究了钒取代钇和钒取代锰时对材料的PTC效应的作用.测试了试样的阻温特性,观察了试样的显微结构.结果表明:V2O5为弱施主掺杂物,有促进半导化的作用;适量添加V2O5可以降低室温电阻率和提高温度系数. 关键词:V2O5; PTCR; BaTiO3; [全文内容正在添加中] ......
纳米V2O5的晶体缺陷与导电性能研究 俞文海1,王大志1,刘皖育1,潘登余2 (1.中国科技大学材料科学与工程系,安徽,合肥,230026;2.安徽机电学院基础部,安徽,芜湖,241000) 摘要:用溶胶-凝胶法制备纳米V2O5粉体,利用LR,ESR结构分析手段研究晶体缺陷,并用阻抗谱研究它的导电性能.阻抗谱表明,在较低退火温度下得到的纳米V2O5粉体(平均粒径为5.0nm)表现出超常的导电性能,其电导率高于其它样品二个数量级.IR,ESR分析指出,该样品中V2O5结构发生严重畸变,引起氧空位浓度增加,并认为是导致良好导电性能之主要原因. 关键词:溶胶-凝胶法; 纳米V2O5; 晶体缺陷; 电导率; [全文内容正在添加中] ......
我国钒资源和V2O5研究,生产的现状及前景 马化龙1,王秋霞1 (1.中国地质科学院郑州矿产综合利用研究所;2.国家非金属矿资源综合利用工程技术研究中心,郑州,450008) 摘要:介绍了国内钒资源情况,V2O5的生产工艺,提钒新技术研究现状和V2O5产品生产存在的问题和发展前景,提出应在保护资源和环境的前提下适度发展钒产品加工业. 关键词:钒资源; V2O5; 生产; [全文内容正在添加中] ......