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GaAs(001)-(2×6)重构下的表面形貌及其重构原胞周勋1,罗子江2,王继红3,郭祥3,丁召31. 贵州师范大学物理与电子科学学院2. 贵州财经大学信息学院3. 贵州大学理学院摘 要:采用RHEED与STM技术对GaAs(001)-(2×6)表面重构下的表面形貌进行研究,研究发现GaAs(001)-(2×6)重构表面是GaAs(001)-β2(2×4)重构表面经530℃,1.33μPa As BEP退火获得,在(2×6)重构下的GaAs(001)表面形貌已经进入表面存在系列单层岛和坑覆盖的无序平坦状态.为了进一步确定(2×6)重构的原胞结构,采用球棍模型对其原胞结构进行模拟,提出新的As表面覆盖率计算方法,结合STM图片分析对球棍模型进行验证和筛选,首次在实验上证实(2×6)重构原胞中存在2个......
GaAs材料在光电化学电池中的稳定性曹诗瑶,闫小琴北京科技大学材料科学与工程学院摘 要:光电化学水分解制氢被誉为人工光合作用,其利用太阳能将水分解为氢气和氧气,是未来可持续能源体系潜在的重要能源转换手段.随着光电化学电池的发展,光电化学电池的转换效率得到了大幅提升,然而光电化学电池的使用寿命却与实际应用标准寿命(10年)相差甚远.光电化学电池材料体系中Ⅲ-Ⅴ族半导体GaAs由于其优异的光物理性能逐步受到科学家们的广泛关注.然而,GaAs在光电化学体系中存在严重的光腐蚀问题.如何在充分发挥GaAs本征优势的前提下提升其在电解液中的稳定性近年来已成为Ⅲ-Ⅴ族半导体研究的热点.研究表明,针对不同环境下GaAs电极的腐蚀机制设计不同保护层薄膜对GaAs进行防护,能有效地在保证转换效率的前提下延长GaAs电极的......
真空度对MBE GaAs光阴极激活结果的影响 牛军1,陈怀林1,常本康1 (1.南京理工大学,电子工程与光电技术学院,江苏,南京,210094) 摘要:采用分子束外延(MBE)技术生长的GaAs光阴极材料,按照常规方法进行高-低温两步激活时,总是出现低温灵敏度比高温低的反常现象.研究中,当激活时的系统真空度从1×10~(-7)Pa提升到1×10~(-8)Pa时,发现结果能够重新出现低温灵敏...空度条件不同而调整. 关键词:GaAs; MBE; 真空度; 激活; GaAs; MBE; vacuum pressure; activation; [全文内容正在添加中] ......
电子束诱导非晶GaAs晶化的形核与长大 徐永波1,贺连龙1,刘路1,李志成1 (1.中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,沈阳110016) 摘要:利用高分辨电子显微镜对电子束辐照诱发非晶GaAs晶化过程现象进行了原位观察.结果表明,具有几个原子大小的原子簇在辐照初期产生,并作为晶化的核心在随后的辐照过程中不断长大;大部分结晶晶粒保持相同的晶体取向,其余少量不同取向的晶粒也与前者保持孪晶关系.电子束辐照诱发非晶GaAs晶化的速率与电子束流密度有关;电子束辐照非晶GaAs结晶不是电子束诱发材料温度升高的结果,而与电子能量有关.本文对辐照晶化的机制和结晶过程进行了讨论. 关键词:非晶GaAs; 电子束辐照; 结晶; 原位观察; [全文内容正在添加中] ......
GaAs(001)表面重构罗子江1,2,周勋2,3,王继红2,郭祥2,丁召21. 贵州财经大学教育管理学院2. 贵州大学理学院3. 贵州师范大学物理与电子科学学院摘 要:GaAs的高迁移率与其表面重构和表面形貌有密切关联,对于GaAs表面重构的研究一直是研究低维半导体的重点和难点.重点回顾了几十年来研究者们对于GaAs(001)表面重构的研究成果,结合所在实验室最近的实验数据,对GaAs(001)表面重构的相关研究成果进行了汇总和遴选,重点讲述了在实际应用中常用的几种表面重构;从富As表面的C(4×4)重构,不同(2×4)重构到逐渐富Ga的(n×6)重构,(4×2)重构,结合RHEED衍射花样,STM扫描图片以及球棍模型,对它们的倒,实空间图像以及理论模型都进行了深入的探讨和研究,为将来进行GaAs......
Microprecipitates in Semi-Insulating GaAs Single CrystalsMo Peigen;Zhu Jian;Wu Ju Shanghai Institute of Metallurgy,Academia Sinica摘 要:<正> The microprecipitates in the as-grown undoped and In-doped semi-insulating GaAs single crystals have been ex-amined by JEM 200 CX transmission electron microscope.The microprecipitates consist of GaAs......
GaAs与Si之间过渡层的设计及其分析 王雪雯1,谭红琳2 (1.云南广播电视学校,云南,昆明,650041;2.昆明理工大学,材料系,云南,昆明,650093) 摘要:从理论上计算出GaAs/Si异质结在Si的(211)面上界面态密度最小,故GaAs在Si(211)面上生长晶格失配度较小.同时,为了缓解晶格失配,我们采用生长一层GaAs多晶层或Te过渡层得到较好的结果. 关键词:晶格失配; 界面态密度; 过渡层; [全文内容正在添加中] ......
氢离子注入GaAs晶片表面剥离机理 郭育林1,倪敏璐1,黄宜平1,周嘉1,竺士炀1 (1.复旦大学专用集成电路及系统国家重点实验室,微电子学系,上海,200433) 摘要:为了更深入的了解GaAs经氢离子注入后的剥离特性,实验研究了GaAs晶片经6×1016 /cm2剂量氢离子以不同能量注入,再经过不同温度和不同时间的退火过程后,晶片表面的剥离情况.研究表明:注入能量小的晶片较容易表面剥离,当注入能量大到一定程度,表面将不会出现剥离的现象;在相同的注入能量情况下,GaAs晶片的表面剥离随着退火温度的升高,退火时间的增加变得更加的显著.晶片在300 ℃下退火后,未发现有剥离现象,实验发现GaAs的临界剥离温度在300-400 ℃之间.研究结果有助于优化GaAs/Si异质结构材料的智能剥离制备工艺. 关键词:GaAs; 智能剥离; 异质结构材料; 氢离子注入; [全文内容正在添加......
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GaAs衬底上立方GaN的低温生长 张砚臣1,顾彪1,徐茵1,丛吉远1,秦福文1,孙捷1 (1.大连理工大学电磁工程系,大连116023) 摘要:研究了以 (001) GaAs为衬底的用ECR-PAMOCVD法生长的立方GaN薄膜的主要性质, 阐述了实验过程与生长用设备. 在生长过程中, 衬底温度约为600℃, 反应器内压力约0.4 Pa. 关键词:立方GaN; 低温生长; 活化氮源; ECR-PAMOCVD; [全文内容正在添加中] ......