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几种单晶半导体材料在压痕下的变形与断裂行为比较 尧志刚1,朱晓飞1,张广平1 (1.中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,沈阳,110016) 摘要:采用显微压痕方法研究了Si,Ge,GaAs和InP四种半导体单晶的变形与断裂行为.通过测量[100]取向单晶体面内的显微硬度,裂纹开裂的临界压痕尺寸以及断裂韧性,分析了这四种材料力学性能的面内各向异性行为.结果表明:在压痕载荷的作用下,Si和Ge的塑性变形以剪切断层为主,而GaAs和InP则通过滑移系的开动协调变形.[100]取向的Si,Ge,GaAs和InP四种单晶的面内显微硬度,弹性模量和断裂韧性表现出不同程度的各向异性.裂纹长度与压痕尺寸间的关系表明,与GaAs和InP相比,Si,Ge具有较小的临界压痕尺寸和拟合直线斜率,这一临界压痕尺寸和拟合直线斜率的变化规律分别与材料的硬度和断裂韧性的变化规律一致. 关键词......
离子注入在1.3μm面发射激光器结构中的应用 劳燕锋1,吴惠桢1,谢正生1,曹萌1,曹春芳1,刘成1 (1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;2.中国科学院研究生院,北京,100039) 摘要:研究了H+离子注入对InP材料和1.3μm面发射激光器结构的电学,光学性能的影响.当离子注入后InP表面电学特性退化,在300℃以上退火后,材料表面回复较好,H+离子注入区电阻率约为InP体材料的104倍.接着,将离子注入工艺应用于1.3μm面发射激光器结构电流限制孔径的制作,通过比较电学特性得出450℃的最佳退火温度,并发现高温退火后电致发光强度增强. 关键词:垂直腔面发射激光器; 离子注入; 退火; [全文内容正在添加中] ......
张应变GaAs层引入使InAs/InP量子点有序化排列的机理研究 杜国同1,李献杰1,殷景志1,张树人1,王新强1 (1.吉林大学电子工程系,长春,130012) 摘要:采用LP-MOVPE技术,在(001)InP衬底上生长的InAs /InP自组装量子点是无序的.为了解决这个问题,在InP衬底上先生长张应变的GaAs层,然后再生长InAs层,可得到有序化排列的量子点.本文对张应变GaAs层引入使量子点有序化排列的机理进行了分析.为生长有序化,高密度,均匀性好自组装量子点提供了依据. 关键词:自组装量子点; 有序生长; 张应变GaAs层; Self-assembled quantum dots; Ordering growth; Tensile strained GaAs layer; [全文内容正在添加中] ......
光谱. 三元GaxIn1-xP的喇曼谱表现为双模形式, 在DALA带上叠加了FLA模, 在有序样品中观察到了类GaP的TO1模和类InP的TO2模, 类GaP的LO1模和类InP的LO2模的分裂, 表示有序度的b/a比从无序样品的0.40变化到有序样品的0.10, 有序样品b/a比的降低是由于TO1模和LO1模分裂的影响所造成的. 四元(AlxGa1-x)0.51In0.49P为三模形式, 观察到了双峰结构的FLA模, 由于Al组分的影响, 类GaP的LO模成了类InP的LO模的肩峰. 所有模式与经验公式吻合得很好. 关键词:喇曼谱; 有序化; Ⅲ-Ⅴ族半导体; [全文内容正在添加中] ......
Ag/InP复合材料的制备,表征及其性能刘淑玲1,2,韩晓莉1,2,仝建波1,21. 陕西科技大学教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室2. 陕西科技大学化学与化工学院摘 要:通过溶剂热法制得磷化铟微晶,然后以光化学还原法成功将Ag单质均匀地复合到磷化铟微晶表面,制备Ag/InP复合材料.采用X射线衍射仪和扫描电子显微镜等对所得产物进行分析,结果表明:复合材料由尺寸为500nm左右的球状微晶组成,其中20nm左右的Ag纳米颗粒均匀附着在立方相InP微球表面上,表面较为粗糙.以刚果红为目标降解物,利用荧光和紫外光谱对所得产物进行光催化性能测试,结果发现,与单体InP微晶相比,Ag/InP复合材料形成后,其对刚果红的光催化降解活性提高,这可能是由于Ag纳米颗粒均匀附着后,有效分离InP的光生电子和空穴.此外......
三五族器件技术与产业趋势报告王轶滢2,贺宇32. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所战略研究室3. 上海理工大学摘 要:以GaAs,InP和GaN为代表的三五族化合物材料具有比硅材料更大的禁带宽度和电子迁移率等特性,满足现代电子技术对高温,高频,大功率等条件的新要求,在通信技术,汽车电子领域成为发展前沿.随着5G,新能源汽车,太阳能,节能(快充)技术的迅速发展,三五族化合物市场将持续增长.GaAs,InP和GaN器件技术与产业在射频,光电和功率器件应用方面发展趋势乐观.关键词:GaAs;InP;GaN;射频器件;光电器件;功率器件;......
几何参数.通过实验和理论分析研究热场条件对InP晶体生长的影响,通过晶锭退火,晶片退火,位错测量,应力测量等实验研究,分析位错密度与残余热应力的关系和减除热应力的方法.在InP晶体生长阶段,熔体温度,炉内气体压强,氧化硼厚度,熔体及晶体的形状,炉体结构,加热功率等都是影响晶体生长过程中热场分布的因素.这些因素共同导致晶体内部产生径向和轴向温度梯度,从而产生热应力.晶体长时间处于温度梯度很小的高温状态,能使其应力得到释放并且内部的晶格畸变也会发生变化.通过后期适当的高温热处理可以使晶体内部残余热应力得到释放.采用金相显微镜观察InP样片观察到的位错呈现"十"字状分布,中心和边缘位错低,两者之间的"十"字部分位错高,与晶片残余应力分布基本保持一致.晶体生长过程中,热应力大于临界剪切应力导致的晶格滑移使InP的晶格结构产生畸变,导致晶体内部形成位错.关键词:InP;单晶;热场;热应......
磷化铟纳米材料制备方法的最新研究进展梁建1,2,赵国英1,2,赵君芙1,2,贾伟1,2,章海霞1,21. 太原理工大学新材料界面与工程教育部重点实验室2. 太原理工大学材料科学与工程学院摘 要:详细介绍了InP纳米材料各种制备方法的特点和原理,主要包括金属有机化学气相沉积(MOCVD),分子束外延(MBE),化学束外延(CBE),化学气相沉积(CVD),热蒸发法,脉冲激光沉积(PLD),溶剂热法,溶液-液相-固相法(SLS),胶体化学法等,并通过比较各种制备方法的优缺点以及分析所得产物的特征概述了InP纳米材料制备技术的最新研究进展.关键词:磷化铟;制备方法;纳米材料;......
生物合成材料制备电子合成材料 () 摘要: 被称为生物合成材料的混合材料是由病毒中的蛋白质与半导体,金属粒子合成制备的.据报导:澳大利亚 Texax大学的Angela,Belcher博士和他的研究小组已分离出包含蛋白质的病毒,此病毒可被识别并可与Ga,As,Si,InP,ZnSe相结合,它们所具有的蛋白质在末端能形成特殊粒子.当这些活蛋白质合成无机粒子时,可按预先选定的结构类型生长.研究人员分析研究了1亿个病毒后才发现了与半导体及金属结合性能最好的病毒. [全文内容正在添加中] ......
制备工艺对InP/SiO2纳米膜性能的影响 于英敏1,佘卫龙2,丁瑞钦2,王宁娟1,王浩1 (1.五邑大学;2.中山大学超快速激光光谱国家重点实验室) 摘要:应用射频磁控共溅射方法,分别在InP薄片与磁控靶底座紧接触(方法1)和InP薄片放在石英靶表面(方法2)两种情况下制备了 InP/SiO2复合薄膜,并分别在高纯H2中和在P气氛中对薄膜进行了热处理X射线光电子能谱表明,对于用方法1制备的复合膜,其SiO2中的氧缺位,P和 In的氧化物的含量都比用方法2的少得多X射线和卢瑟福背散射实验结果表明,在P气氛下的高温 (520℃)热处理,可以彻底地消除这些氧缺位和氧化物而得到符合化学计量的InP/SiO2纳米颗粒复合薄膜复合薄膜的光致发光特性与制备工艺密切相关较详细地阐述了俘获态对光致发光影响的机理 关键词:InP/SiO2纳米复合膜; 化学组分; 微观结构; 光致发光; [全文......
