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GaN MOCVD生长速率及表面形貌随生长参数的变化 符凯1,谢自力1,韩平1,陈敦军1,张禹1,张荣1 (1.南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏南京,210093) 摘要:根据现有氮化镓(GaN)金属有机物化学气相淀积(Metalorganic Chemical Vapor Deposotion)生长动力学理论,结合具体的MOCVD反应腔体的构造,用计算流体力学和动力学蒙特卡罗方法对GaN MOcvD生长过程中的生长速率和表面形貌演变进行了计算机模拟.结果表明,在950~1350 K的温度范围内反应气体充分热分解,是适合GaN外延生长的温度区间;温度低于950 K,......
氧化锌纳米晶体的生长及生长机理分析 丁凤莲1,朱柏瑾1,孙萍1,熊波1,张国青1 (1.北京师范大学物理系,北京,100875) 摘要:采用沉淀法生长了不同粒径且性能良好的氧化锌纳米晶体,探讨了晶粒尺寸与煅烧温度的变化关系,研究了ZnO纳米晶体的生长机理.通过实验验证了在中间产物Zn(OH)2中加入NH4HCO3后,ZnO纳米晶体实现了局域生长,很好地阻碍了晶核的过度生长,从而使生成的ZnO纳米晶体保持很小的粒径.煅烧温度较低时,ZnO纳米晶体的生长模式为正常扩散生长,煅烧温度在800℃时,发生了竞争生长现象. 关键词:ZnO纳米晶体; 竞争生长; 热沉淀法; 局域生长; [全文内......
温度梯度和生长速率对CdZnTe-VBM生长晶体的影响 介万奇1,郭喜平1,刘俊成2,王佩1 (1.西北工业大学材料科学与工程学院,西安,710072;2.山东理工大学材料科学与工程学院,淄博,255091) 摘要:计算模拟了半导体材料 CdZnTe垂直布里奇曼法(CdZnTe-VBM)单晶体生长过程,分析了 炉膛温度梯度和坩埚移动速率对结晶界面形态和晶体内组份偏析的影响.计算结果表明炉膛温 度梯度和生长速率的变化明显影响固-液界面前沿对流场的形态和强度.界面凹陷深度随着炉 膛温度梯度的增加和生长速率减小而减小.炉膛温度梯度的增加和生长速率的减小虽然均能有 效的减小径向偏析,但却增加轴向......
不同择优生长取向角枝晶生长的数值模拟石玉峰,许庆彦,柳百成(清华大学 机械工程系 先进成形制造教育部重点实验室,北京 100084)摘 要:通过耦合溶质扩散方程,并考虑成分过冷和曲率过冷对界面平衡溶质成分的影响,建立改进的元胞自动机模型来模拟溶质扩散控制的立方晶系合金的枝晶生长过程.模型在计算固液界面生长速率时考虑立方晶系枝晶择优生长取向 的影响,同时采用斜中心差分格式对界面生长速率方程进行离散,从而能够模拟择优生长取向与坐标轴成不同夹角的枝晶生长形貌演变.为验证模型的可靠性,模拟NH4Cl-H2O系透明合金单个等轴枝晶以及不同择优生长取向角的多个等轴枝晶和柱状枝晶的形貌演化,模拟结果与实验结......
Trans. Nonferrous Met. Soc. China 26(2016) 1433-1438 Growth interface of CdMnTe crystal by traveling heater method Wen-qi WU, Ji-jun ZHANG, Lin-jun WANG, Jia-hua MIN, Xu-liang WEN, Xiao-yan LIANG, Jian HUANG, Ke TANG School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 2......
VGF法生长6英寸GaAs单晶生长速率的优化丁国强1,2,屠海令1,苏小平1,2,张峰燚1,2,涂凡1,2,王思爱1,21. 北京有色金属研究总院2. 北京国晶辉红外光学科技公司摘 要:晶体的生长速率关系着晶体质量和生产效率,保证晶体质量的同时,实现较高的生产效率是晶体生长速率优化的主要目标.VGF技术生长晶体时,晶体的生长速率主要取决于控温点的温度及降温速率.在保持加热器控温点不变的情况下,利用数值模拟方法研究了0.9,1.8,3.6mm.h-13个速率下6英寸VGF GaAs单晶的生长,通过对比不同生长......
炭纤维表面原位生长CNT/CNF及其生长机理徐先锋1,2,洪龙龙1,肖鹏2,李辉1,卢彩涛31. 华东交通大学机电工程学院载运工具与装备重点实验室2. 中南大学粉末冶金国家重点实验室3. 北京康普锡威科技有限公司摘 要:以电镀Ni颗粒为催化剂,丙烯(C3H6)为碳源,H2为载气,N2为稀释气体,采用催化化学气相沉积(CCVD)法,在炭纤维表面原位生长碳纳米管/碳纳米纤维(CNT/CNF),并对炭纤维进行表面改性.利用SEM和TEM对生长的CNT/CNF进行表征.利用Raman光谱表征未经处理的炭纤维和由CC......
生长工艺对生长室内温度分布影响的数值模拟刘旭东1,毕孝国1,唐坚1,牛微1,孙旭东21. 沈阳工程学院能源与动力学院2. 东北大学材料与冶金学院摘 要:为给实验研究晶体生长工艺提供必要的理论指导,以氢气和氧气的燃烧为基础,研究了焰熔法生长金红石单晶体过程中生长室内的温度分布特征,分析了H2和O2流量,喷嘴尺寸对温度分布的影响.研究表明:适合金红石单晶体生长的最佳燃烧器为内O2,中H2和外O2的三管结构;随着H2流量增加,生长室轴心线上和径向温度逐渐增大,H2流量增加2 L/min,中心最高温度平均升高160......
文章编号: 1004-0609(2005)02-0282-06 Al-Si-Zn合金的直接氧化生长 赵敬忠1, 2, 高积强1, 金志浩1 (1. 西安交通大学 材料强度国家重点实验室, 西安 710049; 2. 西安理工大学 材料科学与工程学院, 西安 710048) 摘 要: 通过热重分析, 研究了高温下Zn引发剂以金属和氧化物两种形式的引入对Al-Si合金直接氧化生长过程的影响. 结果表明: 当合金中Zn含量超过3%(质量分数)时, 能生成Al2O3/Al复合材料, 且随着Zn含量的增加, 孕育期随之缩短, 复合材料的生成量也随之增加; ZnO粉末覆盖量的最佳值为3......
Hg1-xMnxTe晶体的生长及电学性能 介万奇1,李宇杰1,刘晓华1 (1.西北工业大学凝固技术国家重点实验室) 摘要:利用ACRT-VBM法生长Hg1-xMnxTe晶体,并对所得晶体作出宏观和微观质量评价.为改善晶体的电学性质,将生长态的晶体在低温下长时间退火,实现了晶片的反型. Hall电测量的结果表明位错的数量,分布及富Te相,晶界,杂质等的存在都对晶体的电学性质有显著的影响. 关键词:Hg1-xMnxTe; 宏观质量评价; 微观质量评价; 低温退火; Hall电测量; [全文内容正在添加中] ......
