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Ca3(PO4)2对Al粉氮化制备AlN粉末动力学的影响唐建成1,丘如亮2,李松2,雷绪旭31. 南昌大学材料科学与工程学院2. 广东省特种设备监测院佛山分院3. 湖南省电力公司祁阳县电力局摘 要:利用DSC,TGA等方法研究了稀释剂Ca3(PO4)2对Al粉氮化制备AlN粉末动力学的影响.结果表明,在Al粉中添加Ca3(PO4)2能显著加快氮化速率和提高氮化率.尽管稀释剂对氮化温度没有明显的影响,但添加稀释剂能降低Al熔化后的液滴尺寸,且Al液滴尺寸对氮化的动力学有重要影响,即小尺寸的熔融Al液滴有利于加快氮化速率和提高氮化率.关键词:AlN粉末;动力学;稀释剂;......
AlN压电薄膜材料研究进展 段静芳1,张富强1,许小红2,武海顺1,李佐宜2 (1.山西师范大学,山西临汾,041004;2.华中科技大学,湖北武汉,430074) 摘要:AlN压电薄膜材料具有许多优异的物理化学性质,本文对该薄膜材料的发展,结构特征,制备方法进行了综述,并对其应用前景进行了展望. 关键词:AlN压电薄膜; 结构; 制备; 应用; [全文内容正在添加中] ......
AlN低温烧结助剂的研究现状 席生岐1,郑锐1,周敬恩1 (1.西安交通大学) 摘要:介绍了在AlN烧结中,烧结助剂的种类和加入量对AlN陶瓷材料的烧结致密度和热传导系数的影响.通过分析不同烧结助剂对AlN低温烧结( 关键词:AlN陶瓷; 烧结助剂; 致密度; 热传导系数; [全文内容正在添加中] ......
AlN电子薄膜材料的研究进展 石之杰1,周继承1 (1.中南大学物理科学与技术学院,长沙,410083) 摘要:AlN是一种在热,电,光和机械等方面具有良好综合性能的材料,作为电子薄膜材料在微电子,电子元件,高频宽带通信以及功率半导体器件等领域有广泛应用.简介了AlN薄膜的制备方法,评述了国内外各科研团体的最新研究成果和进展,阐述了AlN薄膜的应用,并综述了近年来AlN薄膜作为缓冲层,SOI结构的绝缘埋层和吉赫兹级声表面渡器件压电薄膜的研究现状. 关键词:AlN电子薄膜材料; 电子元器件; 应用; 进展; [全文内容正在添加中] ......
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AlN陶瓷基片烧结曲线的研究与优化吕帅帅1,倪威1,倪红军11. 南通大学机械工程学院摘 要:研究了AlN陶瓷基片烧结曲线中液相烧结升温速率,保温时间,烧结温度对基片性能的影响.测定不同液相烧结升温速率下试样的翘曲度,确定最佳升温速率范围为0.2~0.5℃/min;同时,根据不同保温时间下试样密度的变化优选保温时间为5h,并协调出最高烧结温度为1 830℃.通过对比烧结曲线优化前后AlN陶瓷基片主要性能及组织结构,结果表明烧结曲线优化后效果明显.关键词:AlN陶瓷基片;液相烧结;保温时间;烧结温度;烧结曲线;......
AlN陶瓷粉末制备方法特点和进展 秦明礼1,黄栋生1,林健凉1,曲选辉1,李笃信1 (1.中南工业大学) 摘要:本文就国内外AlN粉末合成的研究情况,综述了直接氮化法,Al2O3碳热还原法,自蔓延高温合成法,等离子体法,气溶胶法等主要的几种AlN粉末制备方法的特点和研究进展,分析了制备AlN粉末的主要发展方向. 关键词:氮化铝(AlN); 粉末制备; 直接氮化法; A12O3碳热还原法; [全文内容正在添加中] ......
烧结方法对AlN陶瓷微观形貌及热导率的影响瞿志学,王群,张延超北京工业大学摘 要:采用真空烧结,N2保护无压烧结,放电等离子烧结等方法对AlN粉末进行烧结,研究烧结方法对粉体烧结行为以及产物物相组成,微观形貌及热导率的影响.结果表明:真空烧结会显著降低AlN材料的脱氮分解温度,无法实现其致密化;而通过N2保护无压烧结和放电等离子烧结的方法均能得到结构致密,热导率较高的AlN陶瓷,其中后者的烧结温度更低,制得陶瓷样品的致密度和热导率更高,在1650℃保温10min即可烧结得到热导率为121.5W·m-1·K-1的AlN陶瓷.关键词:AlN陶瓷;烧结方法;微观形貌;热导率;......
磷酸酸洗对AlN粉体及陶瓷烧结性能的影响龙文进,李阳,徐维,陈奎,张越嫦,成哲,黄嘉明,洪继宇五邑大学应用物理与材料学院摘 要:以镁粉和NH4Cl作为双重辅助添加剂,通过直接氮化法制备出氮化铝粉末,然后通过H3PO4酸洗提高粉末的抗水解性能,再高温烧结制备出AlN陶瓷材料.通过XRD和SEM对AlN粉体及陶瓷材料进行物相分析和微观结构表征,并对经磷酸酸洗和未经磷酸酸洗的粉末的烧结性能进行比对研究.结果表明,磷酸酸洗工艺提高了AlN粉末的抗水解性能和烧结性能,AlN陶瓷具有良好的微观结构和较高的致密度.关键词:AlN粉末;AlN陶瓷;酸洗;烧结;致密度;......
高压烧结AlN陶瓷体材料的微观结构分析李小雷,马红安,郭玮,李吉刚,刘万强,郑友进,李尚升,贾晓鹏摘 要:用国产六面顶压机在5.0GPa,1200℃~1700℃条件下实现了以稀土氧化物为助剂的AlN陶瓷体的高压烧结.对制备的AlN高压烧结体进行了高压热处理.用SEM对AlN高压烧结体的微观结构进行了表征.研究表明:高压制备陶瓷体材料能够有效降低烧结温度和缩短烧结时间,烧结温度最低温度达到1200℃,可比传统烧结方法降低400℃以上.在5.0GPa/1400℃/50min条件下制备的AlN高压烧结体出现穿晶断裂模式.高压热处理使得晶粒明显长大,形成了等轴晶粒组织.关键词:AlN陶瓷;高压烧结;热处理;显微结构;......