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半导体化合物GaAs与GaP及Ga的产销动向王鲁博,仇振琢摘 要:<正> 二发光极管(LED) 1978年的动向1978年发光二极管在日本的销售有很大发展,该年度共生产数码二极管4.9亿个,比1977年增长了67％.然而基板用单晶片的消费量,GaP,GaAs合计为1020公关键词:......
制备GaAs激光窗口材料的一种新型补偿掺杂剂 黎建明1,屠海令1 (1.北京有色金属研究总院红外光学材料所,北京,100088) 摘要:用氧化铬(Cr2O3)作补偿掺杂剂, LEC法生长的GaAs窗口晶体,容易满足高阻补偿条件,碳,硅两种主要的残余杂质得到有效抑制,获得低自由载流子光吸收的优质GaAs红外激光出口材料.补偿掺杂剂氧化铬(Cr2O3)剂量为99.9999% Ga和99.9999% As量的优选范围是0.01%~0.04% (质量分数).室温下的自由载流子浓度低于5×106 cm-3,对光吸收系数的贡献可以忽略.轻掺氧化铬高阻GaAs晶体具有良好的红外透射特性; 10.6 μm处激光量热法测量的红外光吸收系数约为 1.4×10-3 cm-1. 关键词:GaAs; 激光窗口; 补偿掺杂; [全文内容正在添加中] ......
GaAs抛光表面损伤的RBS研究 万群1,董国全1,陈坚邦1 (1.北京有色金属研究总院) 摘要:本文以卢瑟福离子背散射技术 (RBS) 检测了半绝缘GaAs (100) 化学机械抛光表面的微损伤状况,并以α台阶仪测量了抛光表面的粗糙度.研究了以胶体SiO2和NaOCl溶液的混合液对GaAs进行化学机械抛光方法中主要工艺条件对表面质量的影响.把RBS法同X射线双晶衍射法对表面损伤的测量结果进行了比较,二者对应得很好.通过逐层腐蚀与RBS相结合测定了抛光过程造成的损伤层的厚度,发现如果抛光条件不适宜,获得的晶片表面尽管目视光洁度很好,也还有一定厚度的损伤层. RBS法测得好的非掺半绝缘GaAs (100) (由LEC法生长) 抛光表面散射粒子最低产额低达3.1%,这样的晶片用腐蚀法未发现有损伤层. 关键词:抛光; 砷化镓晶片表面; 表面损伤; 卢瑟福背散射; [全文内容正在添加......
VGF法GaAs单晶位错分布的数值模拟和Raman光谱研究 王思爱1,丁国强1,涂凡1,苏小平1,屠海令1,张峰燚1 (1.北京有色金属研究总院北京国晶辉红外光学科技公司,北京,100088) 摘要:采用数值模拟技术和Rnman光谱法对4 inch垂直梯度凝固(VGF)法GaAs单晶位错进行了研究.运用数值模拟软件计算了GaAs晶体生长过程中的位错分布,模拟计算与实验结果一致.通过Raman光谱测量,定量计算了晶片表面的残余应力分布.Raman测量结果表明,残余应力与位错密度分布基本一致.在VGF法生长的GaAs单晶中观察到了不完整的位错胞状结构,并利用Raman光谱法对其进行了微区分析. 关键词:数值模拟; GaAs; 位错密度; 残余应力; Raman光谱法; 位错胞状结构; numerical simulation; GaAs; dislocation density......
GaAs背面通孔刻蚀技术研究 陈震1,王润梅1,吴德馨1,刘新宇1,刘训春1,魏珂1 (1.中国科学院微电子所,北京,100029) 摘要:比较研究了GaAs背面通孔腐蚀中的湿法腐蚀和ICP干法刻蚀技术,并利用感应离子耦合(ICP)干法刻蚀技术,采用CCl2F2/Ar混合气体,对GaAs衬底上的通孔工艺进行了研究.通过优化气压,射频功率,CCl2F2/Ar混合气体组分配比,在CCl2F2流量为200sccm,Ar流量为10sccm,源功率Ps=400W,偏压功率Pb=14W,自偏压Vb=120V,真空度P=43Pa时,得到了表面平滑的通孔形貌和最大的通孔刻蚀速率(4.3μm/min). 关键词:通孔; 感应离子耦合(ICP); 干法刻蚀; [全文内容正在添加中] ......
Article ID: 1003-6326(2005)02-0332-04 High electron mobility of modulation doped GaAs after growing InP by solid source molecular beam epitaxy SHU Yong-chun(舒永春)1, PI Biao(皮 彪)1, LIN Yao-wang...-doped AlGaAs/GaAs structures were grown on GaAs(100) substrate by solid source molecular beam epitaxy(SSMBE) system. The factors which influence the electron mobility were investigated. After growing......
LEC技术生长3inch掺Si GaAs单晶的研究 周春锋1,高瑞良1,高峰1,杜庚娜1,赖占平1,齐德格1,刘晏凤1 (1.信息产业部电子第四十六研究所,天津,300220) 摘要:采用高压LEC工艺生长3inch掺Si GaAs单晶,掺杂浓度大于1×1018/cm3,晶体位错密度小于1×104/cm2.实验发现,采用PBN坩埚和使用水含量较高的氧化硼做覆盖剂,固液交界面处均会产生浮渣,造成无法引晶.而实际掺杂量应为理论计算值的4倍以上. 关键词:GaAs; 单晶; 掺杂; LEC; [全文内容正在添加中] ......
GaAs的ICP选择刻蚀研究 王惟林1,王润梅1,郭晓旭1,魏珂1,刘训春1 (1.中科院微电子中心,北京100010) 摘要:选择刻蚀在GaAs工艺中是非常重要的一步.由于湿法腐蚀存在钻蚀和选择性差,且精度难以控制,因此有必要进行干法刻蚀的研究.虽然采用反应离子刻蚀(RIE),磁增强反应离子刻蚀(MERIE)可以进行选择刻蚀,但是这两种方法在挖槽时会对器件造成较大损伤,影响器件性能.感应耦合等离子刻蚀(ICP)是一种低损伤,高刻蚀速率高选择比的刻蚀方法,在GaAs器件的制造中有突出的优点.本工作进行了GaAs/AlGaAs的选择刻蚀研究,GaAs/AlGaAs的选择比达到840:1,取得较理想的刻蚀结果. 关键词:GaAs/AlGaAs; ICP; 选择刻蚀; [全文内容正在添加中] ......
砷化镓真空热分解的理论计算与实验胡 亮1,2,刘大春1,2,陈秀敏1,2,杨 斌1,2,白平平1,2,段少飞1,2(1. 昆明理工大学 真空冶金国家工程实验室,昆明 650093；2. 云南省有色金属真空冶金重点实验室,昆明 650093)摘 要:利用密度泛函理论计算砷化镓(GaAs)的能带结构,态密度,密立根布居和差分电荷密度等参数,对其热分解过程进行分子动力学模拟.计算模拟结果表明:在动力学模拟条件下,部分Ga-As 键发生断裂,生成Ga和As2,Ga-As 键随模拟时间的延长分步断裂.同时,以GaAs 废料为原料,对其进行真空热分解实验研究,主要考察蒸馏温度和恒温时间对Ga 和As 分离效果的影响.实验结果表明:当系统压力为3~8 Pa,温度为1273 K和恒温时间为3 h 时,残留物镓的品质较好,纯度高于99.99%,砷主要以单质形态存在,危害小.计算模拟结果与理论分析和实验结果......
4英寸VGF GaAs单晶生长的数值模拟与实验研究 丁国强1,涂凡1,苏小平1,屠海令1,张峰燚1 (1.北京有色金属研究总院,北京国晶辉红外光学科技公司,北京,100088) 摘要:利用数值模拟和实验相结合的方法,研究了4英寸VGF GaAs单晶的生长.首先基于炉体结构和所采用材料,建立一个和真实单晶生长系统接近的炉体模型.根据此模型,采用晶体生长模拟软件CrysMas计算得到整个炉体内的温度分布,晶体及熔体的温度梯度,界面位置等.通过对单晶生长不同时间点的模拟,制定了一套单晶的生长工艺.然后,严格遵循此工艺进行单晶生长实验.通过对实验和模拟结果的对比分析,建立了实验和数值模拟之间的联系,为进一步利用数值模拟指导晶体的实际生长提供了依据.最后,利用数值模拟研究了单晶生长中"边界效应",探讨了晶体生长过程中产生多晶的原因. 关键词:砷化镓; 单晶; 数值模拟; 垂直梯度凝固......
