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Luminescence Characteristics of Yb3+ and Er3+ in Ⅲ-Ⅴ Semiconductors曹望和,张联苏摘 要:<正> The sharp luminescent peaks in Yb and Er-implanted InP,SI-InP,GaAs... of implanted InP layer has been obtained by an-nealing at 850℃.The interaction between Yb3+and Er3+in the SI-InP has been investigated for the first time.The quenching effect of Yb3+and Er3+with each other has......
高性能In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器的研制 张永刚1,陈意桥1,刘家洲1,李爱珍1,南矿军1,税琼1 (1.中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050) 摘要:报道了采用GSMBE方法研制的In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器,器件结构中引入了宽禁带InP窗口层和聚酰亚胺钝化工艺,减小了暗电流,提高了器件性能.在反向偏压为5V时器件的暗电流为640pA,反向偏压为10V时测得器件的上升时间为37.2ps,下降时间为30.45ps,半高宽为43.9ps.对影响探测器暗电流的因素和提高响应速度的途径进行了讨论. 关键词:光电探测器; 分子束外延; In0.53Ga0.47As; [全文内容正在添加中] ......
InAs自组织量子点(线)的制备和表征 贾锐1,李月法2,武光明3 (1.中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室;2.中国科学院半导体研究所;3.北京石油化工学院) 摘要:在InP(001)基衬底上用分子束外延方法生长了InAs纳米结构材料,通过改变生长方式,得到了InAs量子点和量子线.根据扫描电镜和透射电镜观测结果的分析,认为衬底旋转时浸润层三角形状的台阶为InAs量子线的成核提供了优先条件,停止衬底旋转时InAlAs缓冲层沿[110]方向分布的台阶促使InAs优先形成量子点.讨论了量子点和量子线的形成机理. 关键词:分子束外延生长 Stranski-krastanow模式 InAs自组织量子点(线) InAlAs覆盖层; [全文内容正在添加中] ......
SiNx薄膜的性质及其在开管扩Zn中的应用 陈朝1,毛陆虹2,陈松岩1,谢生2 (1.厦门大学,物理系,福建,厦门,361005;2.天津大学,电子信息工程学院,天津,300072) 摘要:采用PECVD方法制备了SiNx薄膜,用椭偏测厚仪,红外光谱仪和俄歇能谱仪研究了SiNx薄膜的性质.测试结果表明,SiNx薄膜的折射率随SiH4流量增加不断增大,当SiH4/NH3为38/8时,沉积SiNx薄膜的折射率为1.93,对应的Si/N比约为0.75.FTIR测试结果表明,随着SiH4/NH3流量的增加,N-H含量降低,Si-H含量升高,当SiH4/NH3为38/8时,SiNx薄膜的H含量最少.通过优化沉积条件和层厚度,将SiNx薄膜应用于InP材料的开管扩Zn中,并成功制备了平面结构的InP/InGaAs PIN探测器. 关键词:氮化硅; 等离子增强化学汽相沉积; 钝化; 磷化铟......
气态源分子束外延1.3μm VCSEL器件结构 劳燕锋1,吴惠桢1,黄占超1,曹萌1,刘成1 (1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050) 摘要:采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP(100)衬底上生长了InAsP/InGaAsP应变补偿量子阱为有源层和InP/InGaAsP分布布拉格反射镜(DBR)为上,下腔镜的垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构.通过湿法刻蚀和聚酰亚胺隔离工艺制作出了1.3μm VCSEL,器件在室温下可连续单模激射,阈值电流约为4mA.实验测得的VCSEL结构反射光谱包括高反射带和腔模等参数与传递矩阵法拟合的反射光谱相符合;边发射电致发光谱的增益峰与腔模位置一致. 关键词:垂直腔面发射激光器; 气态源分子束外延; 光电特性; [全文内容正在添加中] ......
气态源分子束外延生长重碳掺杂p型InGaAs研究 徐安怀1,朱福英1,陈晓杰1,齐鸣1 (1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;2.中国科学院研究生院,北京,100039) 摘要:采用气态源分子束外延( GSMBE)技术,以四溴化碳( CBr4)作为碳杂质源,系统研究了 InP衬 底上碳掺杂 p型 InGaAs材料的外延生长及其特性,在 AsH3压力 5.33× 104Pa,生长温度 500℃条件 下获得了空穴浓度高达 1× 1020/cm3,室温迁移率为 45cm2/Vs的重碳掺杂 p型 In0.53Ga0.47As材料. 研究了 CBr4和 AsH3束流强度以及生长温度等生长条件对碳掺杂 InGaAs外延层组份,空穴浓度和 迁移率的影响,并对不同生长条件下的氢钝化效应进行了分析. 关键词:分子束外延; 碳掺杂; 四溴化碳......
Improvement on the interface properties of p-GaAs/n-InP heterojunction for wafer bonded four-junction solar cellsMengyan Zhang1,2,Tao Ning3,Jie Chen2,Lijie Sun2,Lihua Zhou21. Department of Electronic... of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University摘 要:The p-GaAs/n-InP heterojunction was fabricated by direct wafer bonding technology. The optimized......
DOI: 10.11817/j.issn.1672-7207.2020.10.010 (1) 2.3 不同初始板形铝箔卷取过程横向屈曲分析 2.3.1 无浪形缺陷铝箔卷取过程横向屈曲研究 为分析无浪形缺陷铝箔在卷取过程中的横向屈曲情况,仿真研究了铝卷凸度为2.5 mm,不同卷取张力时无浪形铝箔的横向屈曲情况.铝箔波浪度与卷取张力关系曲线如图6(a)所示,可见波浪度随卷取张力增大而增大,但其绝对值很小；波浪度最大时铝箔横向屈曲情况如图6(b)所示,此时铝箔并未产生屈曲.由此可知,无浪形铝箔卷取时仅发生横向起皱,不产生横向屈曲缺陷.值得注意的是,图6(b)中有限元模型仿真的起皱条纹与图1(b)中......
annealing processes, respectively. These topics were illustrated in the paper by examples of modeling and experimental results of bulk growth of silicon (Si), gallium arsenide (GaAs), indium phosphide (InP......
Effect of SiO2 addition on the microstructure and electrical properties of ZnO-based varistorsZhen-hong Wu 1),Jian-hui Fang 1,2),Dong Xu 3),Qin-dong Zhong 3),and Li-yi Shi 1,3) 1) Research Center of Nano Science and Technology,Shanghai University,Shanghai 200444,China 2) School of Science,Shanghai U......
