共搜索到50条信息，每页显示10条信息，共5页。用时：0小时0分0秒125毫秒
Bi2Te3/Bi2Se3纳米复合热电材料的制备和性能(英文)杜永,李晖,安百俊,蔡克峰同济大学功能材料研究所摘 要:通过水热法分别合成了Bi2Te3和Bi2Se3纳米粉末,粉末按目标产物Bi2Te2.85Se0.15混合后真空热压烧结(523~623K,50或80MPa)制成块体材料.用X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)和场发射扫描电镜对合成的粉末和块体进行了分析,对块体在室温附近的载流子浓度,迁移率,霍尔系数,以及298~598K温度区间的电导率和Seebeck系数进行了测试.在623K,80MPa,保温60min真空热压烧结得到的样品的功率因子在298K达到了峰值19.1μWcm-1K-2.探讨了烧结温度和压力对材料相结构和形貌的影响.关键词:碲化铋;硒化铋;热电性能;制备......
n-型梯度结构热电材料FeSi2/Bi2Te3的制备与性能研究* 朱铁军1,崔教林1,胡淑红1,赵新兵1 (1.浙江大学材料科学与工程系,) 摘要:采用热浸焊法用纯Sn作为过渡层制备了n-型FeSi2/Bi2Te3梯度结构热电材料并对其热电性能进行了测试.发现当冷热端温度在510℃以下时,梯度结构热电材料的表观See-beck系数随平均温度几乎呈线性分布在同一条带形区域内,并在相同的温度范围内,其值显著高于单种均质材料(Bi2Te3和β-FeSi2).梯度结构热电材料的最大输出功率较单种材料高2~2.5倍以上,且当材料经190℃100h与200h的真空退火后,输出功率几乎不变.金相分析表明,在Sn层与两半导体界面处,没有明显的Sn扩散迹象,说明在所试验的条件下,用Sn作为过渡层热稳定性较好. 关键词:热电性能; 梯度结构材料; 输出功率; Sn过渡层; [全文内容正在添加中] ......
Bi2-xSbxTe3温差电材料薄膜的电化学制备,表征及性能研究 黄庆华1,王为1,张志荣1,贾法龙1 (1.天津大学化工学院应用化学系,天津,300072) 摘要:采用电化学控电位沉积的方法制备了Bi2-xSbxTe3温差电材料薄膜.通过ESEM,XPS,XRD,EDS等方法对电沉积薄膜的形貌,结构和组成进行了研究,并测试了在不同电位下制备的Bi2-xSbxTe3薄膜的温差电性能.研究结果表明,在含有Bi3+,HTeO+2和SbO+的溶液中,采用控电位沉积模式,可实现铋,锑,碲三元共沉积,生成锑掺杂的Bi2Te3化合物Bi2-xSbxTe3.通过调节沉积电位,可控制电沉积Bi2-xSbxTe3薄膜的掺杂浓度,从而影响材料的温差电性能.控制沉积电位为-0.5V条件下制备的温差电材料薄膜的塞贝克系数最大,为213μV·K-1,其组成为Bio.5Sb1.5Te3.随着沉积电位的负移,电......
SPS法制备n-型Ag掺杂四元Ag-Bi-Se-Te 合金及其热电性能 应鹏展1,薛海峰1,崔教林2,修伟杰1 (1.中国矿业大学,江苏,徐州221008;2.宁波工程学院,浙江,宁波315016) 摘要:采用放电等离子烧结(SPS)方法制备Ag掺杂四元Ag-Bi-Se-Te合金,并分析研究其热电性能.结果表明:掺杂Ag后,合金AgxBi(2-x)Se0.3Te2.7(x=0.005~0.04)的Seebeck系数均为负值,说明材料属于n-型半导体;当温度大约在428.0K时,x=0.04合金的Seebeck系数绝对值(|a|)出现最大值,其值为1.80×10-4V·K-1,比三元合金Bi2Se0.3Te2.7的最大值增大约16%;材料电导率随Ag含量的增加而下降.如果采用相同方法制备且成分按(Bi2Te3)0.9-(Bi2-xAgxSe3)0.1(x=0~0.4)设计的材料热扩散......
p-型FeSi2/Bi2Te3梯度热电材料的优值推证与界面温度优化 崔教林1,赵新兵2 (1.浙江省宁波市宁波高等专科学校机械系, 浙江,宁波,315016;2.浙江大学材料科学与工程系,浙江,杭州,310027) 摘要:通过对两元p-型梯度热电材料FeSi2/Bi2Te3界面温度的建模计算与实验验证, 在固定热冷端温区内积分得出的Z-ΔT 值与界面温度Ti的关系曲线为:Z-ΔT=0.672+11.7×10-4Ti-1.31×10-6T 2i-3.49×10-9T3i该关系可用来表征两元梯度结构的热电性能. 从拟合曲线上得出该梯度结构的最佳界面温度为220℃~230℃, 这与实验测出两单段材料(FeSi2, Bi2Te3)长度比为10∶1左右时所形成的界面温度较为接近. 通过测试不同长度比的材料输出功率, 也发现10∶1梯度材料的最大输出功率较大, 是相同温差下单段β-FeSi2材......
退火对高压烧结Gd掺杂Bi2Te2.7Se0.3纳米晶热电性能的影响徐桂英1,邹平1,王松1,张艳华21. 北京科技大学2. 中国人民解放军装备指挥学院摘 要:以Bi粉,Te粉,Se粉,Sb I3粉,Gd粉为原料,用高压烧结法制备了Gd掺杂的n型Bi2Te2.7Se0.3热电材料,对制备的样品分别在573,603,633 K真空退火36 h.用粉末XRD和FE-SEM研究了样品的物相及显微形貌;在298473K范围内测定了样品的热电性能.建立了Bi2Te3基材料的禁带宽度与压力和体积的近似关系式,利用此关系式较好解释了高压烧结样品在退火前后热电性能的变化特性.研究结果表明制备的样品在退火前后均为纳米结构.高压烧结和Gd掺杂使样品晶胞尺寸变大,禁带宽度减小.退火使高压烧结样品的电导率提高,塞贝克系数增大......
溶剂热法合成碲化铋纳米粉末及其热电性能研究吴文花,刘吉波,汤杰雄,王志坚,苏正夫湖南稀土金属材料研究院摘 要:采用溶剂热法合成碲化铋纳米粉末,随后进行热压烧结制备热电材料,并对粉末的物相和粒度及烧结材料的热电性能进行检测和分析.分析结果表明,采用TeO2为碲源比采用Te粉为碲源所制备碲化铋粉末的相纯度更高,结晶性能更好,晶粒度更小.当溶剂热反应温度为130,140℃时,所制备粉末中还残留有少量Bi,Te单质相和BiTe相;当反应温度为150,160℃时,得到的粉末为Bi2Te3纯相,而150℃下反应所得粉末的晶粒度更小,结晶性能良好.溶剂热-热压烧结法所制备碲化铋热电材料比传统区域熔炼-热压烧结法所制备材料具有更低的热导率及更优的综合热电性能.关键词:碲化铋纳米粉末;热电材料;溶剂热合成......
膜厚对N型Bi2Te2.85Se0.15薄膜热电性能的影响段兴凯1,江跃珍21. 九江学院机械与材料工程学院新能源材料研究中心2. 九江学院电子工程学院摘 要:采用瞬间蒸发技术沉积了N型Bi2Te2.85Se0.15热电薄膜,沉积的薄膜厚度在50400nm范围之间,并在473K进行1小时的真空退火处理.利用X射线衍射(XRD),场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)和能量散射谱(EDS)分别对薄膜的物相结构,表面形貌以及化学计量比进行表征.XRD分析结果显示,薄膜的主要衍射峰与Bi2Te3和Bi2Se3的标准衍射峰一致,沉积薄膜的最强衍射峰为(015),退火后,薄膜的最强衍射峰是(006).采用表面粗糙度测量仪测定薄膜厚度,薄膜的电阻率采用四探针法在室温下进行测量,在室温下对薄膜的Seebeck系数进行......
0.3时,样品具有最大的ZT值,平均约为0.51,并在475 K时达到最大值0.57,相比未经Se掺杂的Bi2Te3提高了159%.关键词:碲化铋;硒掺杂;水热合成;放电等离子体烧结;热电性能;......
文章编号: 1004-0609(2004)09-1456-05 Bi2Te3纳米颗粒和纳米线的溶剂热合成及组织特征 吉晓华1, 2, 赵新兵1, 张艳华1, 3, 卢波辉1, 倪华良1 (1. 浙江大学 硅材料国家重点实验室, 杭州 310027; 2. 太原理工大学 材料科学与工程学院, 太原 030024; 3. 中国人民解放军北京机械士官学校, 北京 102249) 摘 要: 分别以吡啶, 无水乙醇为反应介质, 以NaBH4为还原剂, 采用溶剂热合成方法, 在150℃下反应24h制备了平均晶粒尺寸为15~20nm的Bi2Te3纳米粒子. 采用相同的合成方法, 以去离子水为反应介质, 合成了直径为30~80nm, 长径比大于100的Bi2Te3纳米线. XRD和TEM分析表明, 随着溶剂介电常数和极性增加, 所生成产物的物相纯度, 结晶度增高, 晶粒尺寸增大. 关键词......
