共搜索到246条信息，每页显示10条信息，共25页。用时：0小时0分0秒203毫秒
空间微重力条件下生长LiIO3,GaAs晶体的研究进展 奚同庚1,吴清仁2 (1.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050;2.华南理工大学材料科学与工程学院,广州,510641) 摘要:综述了空间微重力环境下生长GaAs,α-LiIO3晶体的研究进展,展望了其应用前景. 关键词:砷化镓; 碘酸锂; 晶体; 空间; 微重力; [全文内容正在添加中] ......
GaAs霍尔元件不等位电势的调制消除 夏冠群1,胡少坚1,冯明1 (1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;2.中国科学院研究生院,北京,100039) 摘要:测试了 MESFET工艺条件下制作的霍尔片的基本性能.对设计出的 GaAs集成霍尔元件进 行了不等位电势的测试,采用霍尔元件并联和自旋电流的方法对 GaAs方形霍尔元件的不等位电 势进行了静态和动态调制消除.实验结果表明 GaAs霍尔元件的不等位电势引起的偏差可以控制 在可以忽略的范围内. 关键词:霍尔效应; 磁传感器; 不等位电势; [全文内容正在添加中] ......
等效厚度评估GaAs MMIC的Si3N4电容可靠性 黄云1,钮利荣2,林丽3 (1.电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广州,510610;2.南京电子器件研究所,南京,210016;3.华南理工大学应用物理系,广州,510641) 摘要:通过不同 GaAs MMIC的 MIM Si3N4电容结构, 运用 TDDB理论研究分析了斜坡电压下的 MIM Si3N4电容的导电特性和击穿特性,确定了 GaAs MMIC的 MIM Si3N4电容失效不是介质本征 击穿导致失效,而主要是由 Si3N4 介质的缺陷引起.基于缺陷导致介质电场击穿的原理,提出了等 效厚度模型评估和监测 GaAs MMIC的 Si3N4介质电容的质量和可靠性的新方法,可以用于工艺生 产线实现对 Si3N4介质电容的质量和可靠性进行快速评估和监测. 关键词:Si3N4电容; 等效厚度; 评估; 可靠性......
Ge基GaAs薄膜和InAs量子点MBE生长研究高晓强1,2,王凯2,邓闯2,贺端威11. 四川大学原子与分子物理研究所&物理科学与技术学院2. 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室摘 要:采用分子束外延(MBE)法,在优化Ge衬底退火工艺的基础上,通过对比在(001)面偏<111>方向分别为0°,2°,4°和6°的Ge衬底上生长的GaAs薄膜,发现当Ge衬底的偏角为6°时有利于高质量GaAs薄膜的生长;通过改变迁移增强外延(MEE)的生长温度,发现在GaAs成核温度为375℃时,可在6°偏角的Ge衬底上获得质量最好的GaAs薄膜.通过摸索GaAs/Ge衬底上InAs量子点的生长工艺,实现了高效的InAs量子点光致发光,其性能接近GaAs衬底上直接生长的InAs量子点......
激光/微波光电导衰减技术研究半绝缘GaAs复合寿命的分布 钱嘉裕1,王永鸿1,马碧春1,张峰翊1,屠海令1 (1.北京有色金属研究总院,北京,100088) 摘要:采用非接触式激光/微波光电导衰减技术 (LM-PCD) 对Φ50.8 mm双面抛光的半绝缘GaAs晶片的复合寿命进行了无损伤检测, 得到了有效载流子寿命沿晶片直径的径向分布曲线. 结果表明, 复合寿命为几百纳秒, 在径向呈"M"型分布, 和半绝缘GaAs晶片中EPD的"W"型分布相反. 在考虑了位错密度和掺杂浓度对寿命的影响的基础上, 对GaAs晶片的寿命进行了讨论. 关键词:复合寿命; 半绝缘GaAs; 激光/微波光电导衰减; [全文内容正在添加中] ......
GaAs(001)薄膜表面形貌相变过程罗子江1,2,周勋1,3,王继红2,郭祥2,王一2,魏文喆2,丁召21. 贵州财经大学教育管理学院2. 贵州大学理学院3. 贵州师范大学物理与电子科学学院摘 要:采用STM以及RHEED技术对于GaAs(001)的表面形貌相变过程(有序平坦→无序平坦→粗糙)进行了深入研究.通过GaAs(001)在不同As BEP,不同温度的表面形貌相变过程的研究发现,As BEP和温度的变化是促使表面形貌相变发生的主要原因,高温引起原子重组致使表面重构的演变是GaAs(001)薄膜发生表面形貌相变的主要内在机制.单一表面重构或某一重构占绝对优势的表面形貌处于有序平坦状态;多种重构的非等量混合表面是无序平坦状态的主要表面形式;当表面重构难以辨别时,表面形貌也将进入岛上高岛,坑中深坑......
空间生长LiIO3和GaAs晶体的比热容 王锦昌1,奚同庚1,谢华清1 (1.中国科学院上海硅酸盐研究所) 摘要:用差式扫描量热计(DSC)测定了空间及地面生长的碘酸锂在160~620K和砷化镓晶体在320~620K温度范围内的比热容结果表明,空间生长碘酸锂和砷化镓晶体的比热容在测量温度范围内与地面生长晶体的比热容无明显差别. 关键词:比热容; 空间材料; 碘酸锂; 砷化镓; [全文内容正在添加中] ......
MBE方法在GaAs(001)衬底上外延生长GaSb膜 杨培志1,邓书康1,涂洁磊1,廖华1,申兰先1,牛智川2,郝瑞亭1,徐应强2 (1.云南师范大学,太阳能研究所可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,云南,昆明,650092;2.中国科学院半导体研究所,超晶格国家重点实验室,北京,100083) 摘要:利用分子束外延方法(MBE)在GaAs(001)衬底上外延生长了GaSb薄膜,利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM),原子力显微镜(AFM),Hall效应(Hall Effect)和低温光荧光谱(LTPL)等手段对薄膜的晶体质量,电学性能和光学质量进行了研究.发现直接生长的GaSb膜表面平整,空穴迁移率较高.引入GaSb/AlSb超晶格可有效阻断进入GaSb外延层的穿通位错,对应的PL谱强度增强,材料的光学质量变好. 关键词:GaSb; GaAs; 分子束外延(MBE......
Growth and Properties of In-Doped Semi-insulating GaAs CrystalsMa Bichun Wang Yonghong Ma Sansheng General Research Institute for Non-ferrous Metals,Beijing,China摘 要:<正> Semi-insulating(SI)GaAs doped with indium has been grown and characterized.The relationship between the dislocationdensity and dopant concentration has been discussed.Study......
Mn和Cr共掺杂对GaAs居里温度的影响关玉琴,陈余,赵春旺内蒙古工业大学理学院摘 要:定量分析Mn和Cr共掺杂时GaAs居里温度的特点,经过计算可得反铁磁性交换作用使得材料的居里温度降低,制备高居里温度的材料需要更高的掺杂浓度,增加了制备高居里温度材料的难度;而高的空穴浓度能有效地抑制反铁磁性交换作用对居里温度的影响.关键词:稀磁半导体材料;反铁磁性交换作用;居里温度;掺杂浓度;共掺杂;......
