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石墨烯与锗衬底界面结构的第一性原理研究史晓华,王刚,郭庆磊,张苗,狄增峰中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室摘 要:采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理,研究石墨烯与Ge衬底之间的界面结构.计算结果表明,在3种衬底Ge(111),Ge(100)和Ge(110)上界面结合能有相同的规律,均在平衡距离为3.3时获得最低能量,平均每个碳原子的界面结合能分别为24.3meV,21.1meV和23.3meV;通过构造0~60°之间不同的界面夹角,发现一个高对称性的界面结构;相比本征Ge衬底,石墨烯与H钝化后Ge衬底之间的界面平衡距离增大,结合能降低;H钝化能有效地屏蔽石墨烯与Ge衬底之间的相互作用,恢复了本征石墨烯的电子性质,起到缓冲层作用.关键词:锗衬底;石墨烯;界......
锗基半导体器件的界面磁阻效应和体磁阻效应于涵,何雄,张孔斌,何斌,罗丰,孙志刚武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室摘 要:本工作对Ag/p-Ge∶Ga/Ag器件的界面磁阻和体磁阻效应进行了研究,结果表明该器件的体磁阻效应远大于界面磁阻效应.对界面磁阻而言,界面局部等离子体的形成与淬灭受外加磁场的影响较小,致使界面磁阻很小;而对体磁阻而言,磁场导致载流子复合速率加快,使载流子浓度急剧下降,从而导致体磁阻数值较大.进一步研究发现,采用低载流子浓度Ge制备的器件可以获得更为优异的体磁阻效应.本工作也研究了不同磁场施加方向对体磁阻效应的影响,发现低温时体磁阻具有明显的各向异性.当温度低于200 K时,垂直方向的体磁阻明显大于平行方向的体磁阻,其中当温度为10 K时,垂直方向体磁阻最大值约为123%@1 T......
磁致冷材料钆硅锗系合金中Si和Gd的重量法联测的研究刘鹏宇,劭荣珍,刘冰,李娜摘 要:参考了HClO4脱水重量法测定Si及草酸盐重量法测定Gd的方法,建立了钆硅锗系合金中主成分Si和Gd联合测定的方法,并详细考查了共存元素及杂质元素对测定的影响.合金共存元素Ge在HCl的存在下,绝大部分可以GeCl4的形式被蒸发,达到与被测元素分离的目的.熔样过程引入的杂质元素Ni可与被测元素Gd,用氨水沉淀分离,残留Ni不足以影响Gd的测定.方法回收率在98.5%以上,Si和Gd的测量相对标准偏差分别在2.6%~3.0%和0.4%~0.5%.关键词:钆硅锗系合金;Si;Gd;重量法;......
晶格中[5-6]. 目前,湿法炼锌广泛采用焙烧-浸出-电积工艺,焙烧过程中锗大部分存在于(Fe,Ge)2O4一类的铁酸盐固溶体[7],在中浸和弱酸浸出阶段基本不被浸出[8].浸出渣经过火法工艺处理后[9],锗挥发与氧化锌烟尘一起被收集[10],得到含锗的副产物.此外,含锗的副产物还包括锌精炼渣等[11].从锌冶炼系统中回收锗,主要包括两个过程[12]:从含锗的副产物中将锗浸出至溶液中;通过选择性的...-containing zinc oxide dust 表4 不同体系中不同通氧条件下锌和锗的浸出结果 Table 4 Experimental leaching results of Zn and Ge in different system and oxygenation 2.3 各因素对浸出的影响 在2.2节中初步证实采用常压富氧工艺进行浸出能够有效提升锌和锗的浸出率,但......
硅藻土TBP反相萃取层析法连续分离钼和锗倪瑞星,郭志斌,籍雪平摘 要:研究了以 6mol/L盐酸做流动相 ,以负载有磷酸三丁酯 (TBP)的硅烷化白色担体做固定相 ,反相萃取层析法连续分离Ge和Mo与其它干扰离子如W,Sb,Fe等的分离条件.方法可将Ge,Mo与W,Sb,Fe,Sn等完全分离 ,并已应用于中草药中微量锗和钼的分离关键词:萃取层析;分离;钼;锗;......
高温二次火法富集粉煤灰中锗的工艺优化刘俊杰1,刘丽霞1,2,彭军1,2,柴轶凡1,李文挺3,安胜利1,21. 内蒙古科技大学材料与冶金学院2. 内蒙古先进功能陶瓷与器件重点实验室3. 北京科技大学冶金与生态工程学院摘 要:以含Ge粉煤灰为原料,采用高温二次火法工艺富集粉煤灰中的Ge,重点探究C含量和烧结温度对Ge挥发率的影响,并对其原因进行分析.结果表明,适量的C和适当的烧结温度能促使煤灰中Ge的还原挥发.过量的C会将部分铁氧化物还原为Fe,并与Ge结合形成难挥发的锗酸盐,影响Ge的富集挥发;过高的烧结温度使得C没有充分燃烧生成CO,且部分Ge与CaO,MgO生成复合氧化物,从而降低Ge挥发率.经过前处理的粉煤灰在烧结温度1 700℃,C含量1%,碱度1.0,保温时间1 h的优化条件下,烧结料渣中Ge......
从浸锌渣中回收锌和锗的研究王振杰,刘洪波,彭伟,刘安荣贵州省冶金化工研究所摘 要:以某炼锌厂堆放的浸锌渣为对象,采用硫酸酸浸的方法,对影响Zn,Ge浸出的因素进行条件试验.结果表明,在磨矿细度为-0.074mm占78.68%,氟化铵用量50mL(浓度5%),硫酸用量120mL(浓度30%),液固比4∶1,浸出温度85℃,浸出时间3h的条件下,可获得93%以上的Zn浸出率和90%以上的Ge浸出率.关键词:浸锌渣;酸浸;锌;锗;浸出率;......
二溴羟基卟啉光度法测定痕量锗陈文宾,许兴友,马卫兴,李艳辉摘 要:研究了在Tween-80存在下,Ge(Ⅳ)与二溴羟基卟啉的显色反应.试验表明,在pH9.50的Na2SO3溶液中,锗(Ⅳ)与试剂形成(1∶1)的绿色配合物,配合物的最大吸收峰位于418nm波长处,表观摩尔吸光系数ε为1.76×105L.mol-1.cm-1,Ge(Ⅳ)量在00.45μg/mL范围内符合比尔定律.本法可用于测定茶叶及枸杞中的微量锗.关键词:二溴羟基卟啉;分光光度法;锗;......
Cutting force and scratching length curve of Ge(100) crystal plane at different scratching speeds 图7 不同划痕速度时单晶锗(100)晶面表面形貌图 Fig. 7 Surface topography of Ge(100) crystal plane...-划痕长度曲线图 Fig. 8 Cutting force and scratching length curves of Ge(110) crystal plane at different scratching speeds 图9 不同划痕速度时单晶锗(110)晶面表面形貌图 Fig. 9 Surface topography of Ge(110......
锗在十六烷基三甲基溴化铵-KI-水体系中的浮选分离和富集刘德汞1,司学芝2,马冬冬1,马万山11. 信阳师范学院化学化工学院2. 河南工业大学化学化工学院摘 要:研究了十六烷基三甲基溴化铵(CTMAB)-KI-水体系浮选分离锗的行为及锗与一些金属离子分离的条件.结果表明:在水溶液中,Ge(Ⅳ)与CTMAB和KI形成不溶于水的三元缔合物[GeI62-][CTMAB+]2,此三元缔合物沉淀浮于水相上层形成界面清晰的液-固两相;当溶液中CTMAB和KI的浓度分别为6.0×10-4 mol/L和8.0×10-3 mol/L时,Ge(Ⅳ)可与Co2+,Ni 2+,Mn2+,Mg2+,Zn2+,Al 3+,Fe2+,Cr3+,V(Ⅴ)和W(Ⅳ)离子定量分离,Ge(Ⅳ)的浮选率在97.4%以上.该方法简便,迅速,不......