共搜索到76条信息,每页显示10条信息,共8页。用时:0小时0分0秒343毫秒
不同Hf含量IrO2-HfO2涂层电极材料的电容性能刘雪华1,张静1,王欣1,邹琦1,陈永毅2,朱君秋2,颜琦2,唐电21. 福州大学材料科学与工程学院2. 福州大学材料研究所摘 要:采用热分解法制备Ti/IrO2-HfO2二元氧化物涂层电极.通过X射线衍射(XRD)研究了不同Ir/Hf配比涂层的结构特征;采用循环伏安(CV)方法分析了不同电极涂层的比电容,"内/外活性"及电极稳定性,并初步讨论了电极稳定性与涂层结构间的关系.结果表明,添加Hf可改善涂层结构,提高比电容及电极稳定性,且当涂层中HfO2达到50 mol%时电极活性最高,稳定性最佳.关键词:IrO2-HfO2;电极;电容;涂层;......
X射线荧光光谱法测定锆矿中10种主次成分冯丽丽1,张庆建1,丁仕兵1,岳春雷1,郭兵1,李晨2,赵租亮11. 山东出入境检验检疫局2. 上海出入境检验检疫局摘 要:采用四硼酸锂和偏硼酸锂混合熔剂熔融制样,利用X射线荧光光谱仪(XRF)测定锆矿中的ZrO2,HfO2,MgO,Al2O3,SiO2,P2O5,CaO,TiO2,Fe2O3,BaO等10种主次成分含量.利用锆矿标准物质及锆矿标准物质与基准试剂SiO2,Al2O3,TiO2,Fe2O3,CaCO3,KH2PO4,MgO,BaO,HfO2按一定比例混合......
系材料组成.低锆系的水口芯为锆英石-氧化锆质材料,体积密度达到4.30 g·cm-3,w(ZrO2+HfO2)为82%左右,主晶相由锆英石与斜锆石组成,显微结构可观察到相对均匀的,不规则锆英石粒状颗粒,斜锆石细粉,高硅玻璃相以及少量气孔,锆英石颗粒尺寸在100150μm以及3050μm,斜锆石粉的粒度为1015μm.高锆系的水口芯为Mg-PSZ型水口材料,体积密度达到5.08 g·cm-3,w(ZrO2+HfO2)为95%左右,颗粒的尺寸均在40μm以下,由m-ZrO2和c-ZrO2组成,显微结构可观察到相对均匀的,不规则ZrO2颗粒和少量气孔,微量杂质SiO2与MgO反应生成镁橄榄石M2S,在颗粒间起填隙作用.关键词:锆质水口芯;锆英石分解;斜锆石;显微结构;......
新型无碳前体在高k氧化物薄膜化学气相沉积上的应用 刘治国1,董岩2,李爱东1,邵起越2,蒋建清2,方峰2,袁涛3 (1.南京大学,材料科学与工程系,江苏,南京,210093;2.东南大学,材料科学与工程学院,江苏,南京,211189;3.华飞彩色显示系统有限公司,江苏,南京,210028) 摘要:通过一种简便可行的合成工艺,成功合成了3种具有良好挥发性的无碳前体:无水硝酸钛,硝酸锆和硝酸铪.以这些无水金属硝酸盐为前体,采用化学气相沉积(CVD)工艺成功淀积了具有良好介电性能的3种高介电常数(high-k)氧化物薄膜:TiO2,ZrO2和HfO2薄膜.这类不含碳的金属前体能直接在Si衬底上气相沉积,无需引入氧化气体,且沉积温度较低,可避免低介电常数界面层生成,在化学气相沉积栅介质薄膜方面独具优势. 关键词:无水硝酸盐; 化学气相沉积(CVD); 高介电常数(high-k)栅介质......
Mo(Si,Al)2高温抗氧化涂层的形貌与结构研究 蔡志刚1,肖来荣1,宋成1 (1.中南大学,材料科学与工程学院,湖南,长沙,410083) 摘要:采用料浆烧结法在铌合金C-103基体表面制备Mo(Si0.6,Al0.4)2高温抗氧化涂层,利用SEM,EDS,XRD等仪器分析研究涂层的结构,元素分布,相分布与抗氧化性能的关系.结果表明:涂层与基体之间达到冶金结合,通过扩散形成中间结合层;在高温氧化环境下,Mo(Si0.6,Al0.4)2涂层表面生成致密氧化膜.氧化膜分为两层:外层主要为Al2O3,内层为Al2O3,SiO2,3Al2O3·2SiO2和HfO2相的混合物. 关键词:Mo(Si,Al)2; 铌合金; 高温抗氧化; 涂层; 氧化膜; 扩散阻挡层; [全文内容正在添加中] ......
氮氧化铪薄膜在不同衬底上的场发射性能 谢二庆1,叶凡1,周明1,王晓明1,段辉高1 (1.兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000) 摘要:利用直流溅射法在Si,Zn,Ni三种不同衬底上沉积HfNxOy薄膜并测试了其场发射性能.扫描电子显微镜(SEM)显示HfNxOy薄膜表面由纳米颗粒组成,X射线衍射(XRD)说明薄膜中含有HfN和HfO2两种相.场发射测试结果显示,和金属衬底上的薄膜相比,Si衬底上的薄膜的开启电场小且发射电流密度大.文中对三种衬底上发射电流密度大小不同的原因进行了讨论.电流一时间的对应关系说明HfNxOy薄膜的场发射电流稳定. 关键词:直流溅射; HfNxOy薄膜; 场致电子发射; [全文内容正在添加中] ......
用于OEIC的InPMISFET的研制 刘宝林1,陈朝1,傅仁武1,陈松岩1 (1.厦门大学物理系,厦门361005) 摘要:用MOCVD方法生长了n+-InP/n-InP/SI-InP材料,以HfO2为介质膜,用电子束蒸发和选择化学腐蚀研制成栅宽0.002mm,栅长为0.2mm的具有蘑菇状栅极结构的InPMISFET.直流特性测量表明,跨导gm=80-115ms/mm,开启电压VT-3.62V,沟道的有效电子迁移率ueff=674cm2/V·S,界面态密度NSS=9.56×1011cm-2.设计计算的特征频率fT=97.1GHz,最高特征频率fmax=64.7GHz,尚未发现器件性能的漂移现象.本器件可作为InP基的单片光电子集成器件(OEIC)的放大部分. 关键词:磷化铟(InP); 绝缘栅场效应管(MISFET); 光电集成(OEIC); [全文内容正在添加中] ......
Nb-Cr系多元合金的组织和性能 郭喜平1,张明军1 (1.西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072) 摘要:采用真空非自耗+真空自耗电弧熔炼的方法制备了Nb-Cr系多元合金的母合金锭;对母合金进行了1450℃,24h+1000℃,24h的热处理;采用三点弯曲方法测试了合金的室温断裂韧性;进行了950℃不同时间的氧化实验.发现热处理后Nbss基体由树枝晶转变为等轴晶,而Laves相Cr2(Nb,Ti,Hf)则由块状转变为边界圆润的棒状;合金的室温断裂机制由电弧熔炼态的解理断裂转变为热处理后的准解理断裂;950℃的氧化产物为CrNbO4,HfO2,TiO2,CrNb1......
Hf和Y对Ni3AI/CrMoB合金氧化性能影响 李尚平1,骆合力1,刘培英2,周铁涛2,邓武锋2 (1.北京钢铁研究总院,北京,100081;2.北京航空航天大学,北京,100083) 摘要:研究了Hf和Y对Ni3Al-7.8Cr-4Mo-0.05B合金氧化性能的影响,测定了合金在1000和1100℃的恒温氧化动力学曲线,并通过XRD分析表面氧化膜结构,通过扫描电镜和能谱分析研究了氧化产物的微观组织与成分.结果表明:Hf和Y的加入大大提高合金的抗氧化性能,主要影响在于形成稳定性更好的HfO2.提高氧化膜与基体的粘结力,抑制了硫在氧化皮/基体界面的偏聚,改变氧化膜的形貌与组成,内氧化程度,扩散层深度等. 关键词:Ni3Al高温合金; 恒温氧化; 氧化动力学; hfnium; yttrium; Ni3Al superalloy; isothermal oxidation......
铪对粉末冶金高温合金FGH97粉末颗粒的影响黄运红1,2,张义文2,3,王福明1,2,李长荣4,华正利1,21. 北京科技大学高效钢铁冶金国家重点实验室2. 北京科技大学冶金与生态工程学院3. 钢铁研究总院高温材料研究所4. 北京科技大学材料科学与工程学院摘 要:研究了不同Hf含量的FGH97合金松散粉末和断口中粉末的组织及析出相.结果表明,粉末颗粒内部的碳化物主要是富Nb,Ti,Hf的MC型碳化物,同时发现粉末颗粒内部存在Zr的氧化物.Hf能进入到粉末颗粒中MC碳化物内,并促进稳定MC碳化物的析出,适量的Hf有利于消除合金中原始粉末颗粒边界(PPB).粉末颗粒表面的Hf以HfC和HfO2复合形式存在,Hf含量大于0.6%时会对PPB有不利影响.关键词:铪;FGH97合金粉末;微观组织......