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自蔓延合成AlN粉研磨及热处理前后的性能比较 毛丽琼1,卢忠远2,李丹2 (1.四川省绵阳市科学城职教中心,四川,绵阳,621900;2.西南科技大学材料学院,四川,绵阳,621002) 摘要:本文通过比较AlN粉体研磨前后和AlN粉末热处理前后的性能差异,发现用甲醇作研磨介质快速研磨2h,AlN粉末的中位粒径为1.204μm,效果良好.研磨前AlN粉的含氧量为1.45%,研磨2h后的含氧量为1.8%,快速研磨后AlN粉末的氧化程度不高.随着热处理温度的提高,氧化程度逐步提高.在1000℃的温度下热处理3h后,除含有主晶相AlN外,还出现明显的α-Al2O3衍射峰.在600℃左右的温度下进行热处理3h,含氧量适中,有一定的抗水性. 关键词:自蔓延合成; AlN粉末; 热处理; 抗水性; [全文内容正在添加中] ......
高导热AlN基复相微波衰减陶瓷的研究进展 陈贵巧1,李晓云1,丘泰1 (1.南京工业大学材料科学与工程学院,江苏,南京,210009) 摘要:本文主要综述国内外高导热AlN基复相微波衰减陶瓷的研究进展.具有优良微波衰减性能的材料体系有两种:氮化铝-导体复相微波衰减陶瓷和氮化铝-半导体复相微波衰减陶瓷.氮化铝-导体复相衰减陶瓷包括AlN-金属复相陶瓷,AlN-石墨复相陶瓷,AlN-金属氮化物复相陶瓷.其中AlN-金属复相陶瓷因具有优良的高导热性能及微波衰减词节性能,成为今后微波衰减材料的主要研究方向. 关键词:高导热; AlN基; 微波衰减; [全文内容正在添加中] ......
AlN薄膜的KrF准分子脉冲激光沉积 陈韬1,门传玲2,朱自强1,丁艳芳1,林成鲁2 (1.华东师范大学,信息学院,上海,200062;2.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050) 摘要:研究了采用脉冲激光沉积(PLD)技术在Si(100)衬底上AlN薄膜的制备及其性质.结果表明,衬底温度从室温到800℃的范围内,所得到的AlN薄膜为(002)择优取向的纤锌矿结构.随着衬底温度的升高,AlN薄膜从纳米晶结构转为多晶结构,同时表面微粗糙度上升.AlN晶粒呈柱状生长机制. 关键词:AlN薄膜; KrF准分子脉冲激光沉积; 微结构; [全文内容正在添加中] ......
AlN电热元件的研制 赵玉珍1,张珺1,周和平1 (1.清华大学材料科学与工程系,北京,100084) 摘要:设计并制备了AlN电热元件,电热元件由AlN陶瓷基片及其附着其上的通电线路Pt组成.利用丝网印刷的方法在AlN表面进行Pt浆料布线,线条数目为10.烧成温度选为1000 ℃和1300 ℃.用红外测温仪测量不同电压下的电热元件的工作温度.研究发现,1300 ℃烧成的电热元件可稳定工作于1000 ℃以上,符合设计要求.AlN/Pt的结合界面SEM形貌表明AlN与Pt膜是紧密的机械结合.AlN表面氧化生成的氧化膜利于Pt膜与AlN陶瓷的结合. 关键词:电热元件; AlN; Pt; 丝网印刷; [全文内容正在添加中] ......
高压烧结AlN陶瓷的微观结构和残余应力 贾晓鹏1,李尚升2,郑友进2,刘万强2,马红安2,左桂鸿3,李小雷1,李吉刚1 (1.河南理工大学材料科学与工程学院,焦作,454000;2.吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春,130012;3.牡丹江师范学院物理系,牡丹江,157012) 摘要:在5.0 GPa,1300-1800℃条件下不使用烧结助剂高压烧结制备了AlN陶瓷,研究了烧结温度和烧结时间对AlN高压烧结体微观结构和残余应力的影响.结果表明:高压烧结制备AlN陶瓷能有效地降低烧结温度和缩短烧结时间,在5.0 GPa/1400℃/50 min条件下AlN烧结体表现出穿晶断裂模式;将烧结温度提高到1800℃在AlN陶瓷中形成了单相多晶等轴晶粒组织;在5.0 GPa/1700℃/125 min条件下AlN陶瓷内部存在2.0GPa的残余压应力,其原因是在高压烧结AlN陶瓷出现了晶格畸......
Roles of rare earth oxide additives in millimeter-wave sintering of AlN Yukio Makino1,Shoji Miyake2,Hiromi Nakano3,Takashi Yoshioka4,Toshiyuki Ueno4 (1.Osaka University, 11-1 Mihogaoka, Ibaraki... Hokuryo-cho, Matsue, Simane, 690-0816, Japan) Abstract:Roles of rare earth oxide (RE2O3) additives in millimeter-wave(MM) sintering of AlN were investigated from the standpoints of phase diagram......
添加Sm2O3的AlN陶瓷的显微结构和导热性能 庄汉锐1,邬凤英1,李文兰1,徐素英1,许昕睿1 (1.中国科学院上海硅酸盐研究所) 摘要:以自蔓延高温合成方法(SHS)制备的并经抗水化处理的AlN粉体为原料,研究了埋粉条件对添加Sm2O3的AlN陶瓷显微结构和导热性能的影响结果表明,在不加埋粉烧结条件下试样贮围的还原性气氛增强有助于形成较高Sm/Al比的晶界相,不加埋粉有利于晶界相的排出这些因素均有助于提高AlN陶瓷的热导率不加埋粉在1830 C烧结可获得热导率为166W/(m@K)的AlN陶瓷 关键词:AlN陶瓷; Sm2O3; 埋粉条件; 显微结构; 热导率; [全文内容正在添加中] ......
AlN陶瓷基板覆铜技术的研究 张宝林1,江国健1,庄汉锐1,徐素英1,李文兰1,许昕睿1 (1.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050) 摘要:探索了AlN陶瓷基板表面氧化状态对敷接强度的影响.结果表明:敷接过程中Cu[O]共晶液体对未经氧化处理的AlN陶瓷基板的浸润性较差,不能形成牢固的结合;AlN陶瓷表面经氧化处理后能够显著改善与Cu[O]共晶液体的浸润性,其界面结合强度与氧化工艺密切相关,受热应力的影响,空气条件下氧化试样的敷接强度大于湿气氛下(N2:O2=10:1)氧化试样的敷接强度;空气下1300℃氧化30min制得的AlN-DBC试样,敷接强度达2.8kg@mm-2,其界面反应层的厚度约2~3μm,生成界面产物CuAlO2,从而获得了较高的敷接强度. 关键词:AlN陶瓷; 铜; 氧化; 敷接; [全文内容正在添加中] ......
DOI:10.19476/j.ysxb.1004.0609.2018.08.12 等离子体辅助球磨对Al+C4H4N4合成超细AlN的影响机制 杨卓立1,廖海峰1, 2,孙 迪1, 2,戴乐阳1, 2,刘志杰3,王文春3 (1. 集美大学 轮机工程学院 福建省船舶与海洋工程重点实验室,厦门 361021; 2. 船舶检测与再制造福建省高校工程研究中心,厦门 361021; 3. 大连理工大学 材料改性教育部重点实验室,大连 116024) 摘 要:对铝(Al)和二氨基马来腈(C4H4N4)的混合物分别进行等离子体辅助球磨和普通球磨,研究等离子体辅助球磨活化对合成AlN的作用机制.结果表明:相对于普通球磨,等离子体辅助球磨更有利于Al粉的晶粒细化和晶格畸变,并有利于形成Al-C4H4N4纳米级的复合结构.辅助球磨中的等离子体促进C4H4N4的脱胺,使C4H4N4分解......