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"><正> In this paper the electrochemical characteristics of GaAs/EL junction,including the I-V,C-V curves,response rate for sig-nal voltage,temperature change range and stability for junction parameter were presented.On the basis of these studies,the deeplevel in GaAs has been measured by LJDLTS technique for the first time.It is shown that this technique seems to be a more feasi-ble......
砷化镓材料的发展与前景蒋荣华,肖顺珍峨眉半导体材料研究所摘 要:综述了世界GaAs材料的生长技术发展状况,生产状况,应用和市场状况及发展趋势.关键词:GaAs材料;微电子材;光电子材料;单晶生长工艺;LEC;VCZ;HB;VGF;VB;......
热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响 张砚华1,王占国1,陈诺夫1,范缇文1,吴巨1,陈延杰1 (1.中国科学院半导体研究所材料科学实验室,北京,100083) 摘要:利用光致瞬态电流谱(Optical Transient Current Spectrum OTCS)研究了热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响.实验结果表明原生和退火的LT-GaAs中都存在三个主要的深中...沉淀与GaAs基体间的结构缺陷造成的. 关键词:热退火; 低温MBE; GaAs; 深能级中心; [全文内容正在添加中] ......
GaAs高,低密勒指数表面性质的对比研究 赵先林1,宋友林1,李丹2 (1.河南教育学院,物理系,河南,郑州,450003;2.广西师范大学,物理与信息工程学院,广西,桂林,450002) 摘要:对半导体GaAs的高低密勒指数表面的性质进行了比较研究.根据表面的原子排列分别计算了(001),(114),(113),(112)和(111)各晶向的表面悬挂键密度以及表面的多余电子密度,探讨了理想表面和稳定表面的差别以及影响表面稳定性的因素.研究表明低指数表面的稳定性并不优于高指数表面,表面稳定性满足表面电子数目规则优于满足表面悬挂键数目最少原则. 关键词:高指数表面; 悬挂键; 电子密度; 稳定表面; [全文内容正在添加中] ......
太赫兹场作用下GaAs 量子阱的光吸收研究 曹俊诚1,米贤武1 (1.中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050) 摘要:用密度矩阵理论,研究了在超快脉冲及太赫兹场作用下GaAs量子阱的光吸收谱.在直流和太赫兹场作用下,由于量子约束斯塔克效应,光吸收谱呈现出多个激子吸收峰.改变太赫兹的强度和频率,吸收谱出现恶歇分裂,并产生边带.这些分裂主要来源于太赫兹作用下激子的非线性效应. 关键词:光吸收谱; 量子阱; 太拉赫兹; [全文内容正在添加中] ......
GaAs基GaSb薄膜的分子束外延生长与发光特性 李美成1,张保顺2,赵连城1,刘国军2,李林2,邱永鑫1,熊丽3 (1.哈尔滨工业大学,黑龙江,哈尔滨,150001;2.长春理工大学,吉林,长春,130022;3.哈尔滨工业大学(威海) 摘要:研究了用分子束外延(MBE)在GaAs衬底上生长GaSb薄膜的工艺.为了减小因晶格失配度较大所引起的位错密度,采用低温GaSb作为缓冲层,有效降低了外延层中的位错密度,提高了晶体质量.通过X射线双晶衍射仪和原子力显微镜测试分析,得到低温GaSb缓冲层的优化生长参数:厚度为20 nm,生长速率为1.43 μm/h,Ⅴ/Ⅲ束流比为2.0.并在此基础上研究了GaSb薄膜的发光特性:GaSb薄膜的光致发光光谱主要由束缚激子(BE4)和施主一受主对(D-A)辐射复合发光峰组成,在50 K时其发光峰强度最强,半峰宽最窄. 关键词:分子束外延......
Growth Kinetic Studies for MOCVD CdTe and HgCdTe Epilayers on GaAs Substrates徐飞,彭瑞伍,丁永庆摘 要:<正> The growth rates of CdTe and CMT on GaAs and on CdTe / GaAs substrates were studied as a functionof temperature and gas composition. A Langmuir-Hinshelwood Model for surface reaction control region issuggested. The CdTe/GaAs interface was examined by X......
VGF法生长6英寸GaAs单晶生长速率的优化丁国强1,2,屠海令1,苏小平1,2,张峰燚1,2,涂凡1,2,王思爱1,21. 北京有色金属研究总院2. 北京国晶辉红外光学科技公司摘 要:晶体的生长速率关系着晶体质量和生产效率,保证晶体质量的同时,实现较高的生产效率是晶体生长速率优化的主要目标.VGF技术生长晶体时,晶体的生长速率主要取决于控温点的温度及降温速率.在保持加热器控温点不变的情况下,利用数值模拟方法研究了0.9,1.8,3.6mm.h-13个速率下6英寸VGF GaAs单晶的生长,通过对比不同生长速率下温度梯度(均为界面附近晶体中的温度梯度)和固-液界面形状的变化及热应力的分布,得出以下结果:随着晶体生长速率的增加,轴向温度梯度增大的同时,沿径向增加也较快;但由于受氮化硼坩埚轴向较大热导率的......
MOCVD Growth of GaAs / AlxGa1-x As Superlattices徐现刚,黄柏标,任红文,刘士文,蒋民华摘 要:MOCVDGrowthofGaAs/Al_xGa_(1-x)AsSuperlatticesXuXian'gang;HuangBaibiao;RenHongwen;LiuShiwenandJiangMinhua(徐现刚)(黄柏标)(任红文)(刘士文)(...关键词:......
Spatial Distribution of EL2 Defect in Semi-insulating GaAs汝琼娜,李光平,何秀坤摘 要:SpatialDistributionofEL2DefectinSemi-insulatingGaAsRuQiongna;LiGuangpingandHeXiukun(汝琼娜)(李光平)(何秀坤)(TianjngElectronicMaterials...关键词:......