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文章编号:1004-0609(2008)S1-0053-06 某难选金矿加温化学预氧化浸出技术 邱廷省1, 2,廖德华1,毛仁康3,尹艳芬1 (1. 江西理工大学 资源与环境工程学院,赣州 341000; 2. 北京科技大学 冶金与生态工程学院,北京 100083; 3. 广东高要市 河台金矿,高要 526100) 摘 要:以某实际含铜金矿为研究对象,在氯盐酸性加温体系下,分析浸出温度,时间,矿物粒度,NaCl浓度,H2SO4浓度,氧气流量等因素对化学预氧化浸出除铜和浸出渣氰化浸金的影响过程.结果表明:在90%矿样粒度小于37 μm,浸出温度95 ℃,初始H2SO4浓度......
文章编号:1004-0609(2008)S1-0074-06 加压酸浸法回收黑色页岩中的钒 李旻廷,李存兄,邓志敢,吴惠玲,梁艳辉,魏 昶 (昆明理工大学 材料与冶金工程学院,昆明 650093) 摘 要:提出一种在加压条件下酸浸黑色页岩型矿提取钒的新工艺,研究浸出过程中各种工艺参数对钒浸出率指标的影响,同时进行了两段逆流浸出实验;利用电子探针分析矿石中钒在各物相中的分配情况,并在两段逆流浸出基础上进一步强化实验条件,考察了钒浸出率与矿石中钒赋存状态之间的关系.结果表明:该工艺的最佳工艺参数如下,即时间3 h,温度150 ℃,液固比1.2?1,硫酸用量25%,8......
文章编号:1004-0609(2008)S1-0084-04 石煤氧压酸浸提钒工艺优化 李存兄,魏 昶,李旻廷,樊 刚,邓志敢 (昆明理工大学 材料与冶金工程学院,昆明 650093) 摘 要:研究石煤一段氧压酸浸过程中硫酸亚铁添加剂对钒浸出率的影响.结果表明:在石煤氧压酸浸过程中加入适量添加剂,钒浸出率可提高8.5%左右.不同气体的压力酸浸实验表明,工业生产过程中,可完全用空气代替工业氧气.采用两段氧压酸浸工艺可有效控制一段浸出液的酸度,并实现钒的选择性浸出,最终一段浸出液的酸度可控制在10 g/L左右,钒浸出率可提高10%. 关键词:石煤;钒......
X射线荧光光谱法测定锆矿中10种主次成分冯丽丽1,张庆建1,丁仕兵1,岳春雷1,郭兵1,李晨2,赵租亮11. 山东出入境检验检疫局2. 上海出入境检验检疫局摘 要:采用四硼酸锂和偏硼酸锂混合熔剂熔融制样,利用X射线荧光光谱仪(XRF)测定锆矿中的ZrO2,HfO2,MgO,Al2O3,SiO2,P2O5,CaO,TiO2,Fe2O3,BaO等10种主次成分含量.利用锆矿标准物质及锆矿标准物质与基准试剂SiO2,Al2O3,TiO2,Fe2O3,CaCO3,KH2PO4,MgO,BaO,HfO2按一定比例混合......
系材料组成.低锆系的水口芯为锆英石-氧化锆质材料,体积密度达到4.30 g·cm-3,w(ZrO2+HfO2)为82%左右,主晶相由锆英石与斜锆石组成,显微结构可观察到相对均匀的,不规则锆英石粒状颗粒,斜锆石细粉,高硅玻璃相以及少量气孔,锆英石颗粒尺寸在100150μm以及3050μm,斜锆石粉的粒度为1015μm.高锆系的水口芯为Mg-PSZ型水口材料,体积密度达到5.08 g·cm-3,w(ZrO2+HfO2)为95%左右,颗粒的尺寸均在40μm以下,由m-ZrO2和c-ZrO2组成,显微结构可观察到相对均匀的,不规则ZrO2颗粒和少量气孔,微量杂质SiO2与MgO反应生成镁橄榄石M2S,在颗粒间起填隙作用.关键词:锆质水口芯;锆英石分解;斜锆石;显微结构;......
新型无碳前体在高k氧化物薄膜化学气相沉积上的应用 刘治国1,董岩2,李爱东1,邵起越2,蒋建清2,方峰2,袁涛3 (1.南京大学,材料科学与工程系,江苏,南京,210093;2.东南大学,材料科学与工程学院,江苏,南京,211189;3.华飞彩色显示系统有限公司,江苏,南京,210028) 摘要:通过一种简便可行的合成工艺,成功合成了3种具有良好挥发性的无碳前体:无水硝酸钛,硝酸锆和硝酸铪.以这些无水金属硝酸盐为前体,采用化学气相沉积(CVD)工艺成功淀积了具有良好介电性能的3种高介电常数(high-k)氧化物薄膜:TiO2,ZrO2和HfO2薄膜.这类不含碳的金属前体能直接在Si衬底上气相沉积,无需引入氧化气体,且沉积温度较低,可避免低介电常数界面层生成,在化学气相沉积栅介质薄膜方面独具优势. 关键词:无水硝酸盐; 化学气相沉积(CVD); 高介电常数(high-k)栅介质......
Mo(Si,Al)2高温抗氧化涂层的形貌与结构研究 蔡志刚1,肖来荣1,宋成1 (1.中南大学,材料科学与工程学院,湖南,长沙,410083) 摘要:采用料浆烧结法在铌合金C-103基体表面制备Mo(Si0.6,Al0.4)2高温抗氧化涂层,利用SEM,EDS,XRD等仪器分析研究涂层的结构,元素分布,相分布与抗氧化性能的关系.结果表明:涂层与基体之间达到冶金结合,通过扩散形成中间结合层;在高温氧化环境下,Mo(Si0.6,Al0.4)2涂层表面生成致密氧化膜.氧化膜分为两层:外层主要为Al2O3,内层为Al2O3,SiO2,3Al2O3·2SiO2和HfO2相的混合物. 关键词:Mo(Si,Al)2; 铌合金; 高温抗氧化; 涂层; 氧化膜; 扩散阻挡层; [全文内容正在添加中] ......
氮氧化铪薄膜在不同衬底上的场发射性能 谢二庆1,叶凡1,周明1,王晓明1,段辉高1 (1.兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000) 摘要:利用直流溅射法在Si,Zn,Ni三种不同衬底上沉积HfNxOy薄膜并测试了其场发射性能.扫描电子显微镜(SEM)显示HfNxOy薄膜表面由纳米颗粒组成,X射线衍射(XRD)说明薄膜中含有HfN和HfO2两种相.场发射测试结果显示,和金属衬底上的薄膜相比,Si衬底上的薄膜的开启电场小且发射电流密度大.文中对三种衬底上发射电流密度大小不同的原因进行了讨论.电流一时间的对应关系说明HfNxOy薄膜的场发射电流稳定. 关键词:直流溅射; HfNxOy薄膜; 场致电子发射; [全文内容正在添加中] ......
用于OEIC的InPMISFET的研制 刘宝林1,陈朝1,傅仁武1,陈松岩1 (1.厦门大学物理系,厦门361005) 摘要:用MOCVD方法生长了n+-InP/n-InP/SI-InP材料,以HfO2为介质膜,用电子束蒸发和选择化学腐蚀研制成栅宽0.002mm,栅长为0.2mm的具有蘑菇状栅极结构的InPMISFET.直流特性测量表明,跨导gm=80-115ms/mm,开启电压VT-3.62V,沟道的有效电子迁移率ueff=674cm2/V·S,界面态密度NSS=9.56×1011cm-2.设计计算的特征频率fT=97.1GHz,最高特征频率fmax=64.7GHz,尚未发现器件性能的漂移现象.本器件可作为InP基的单片光电子集成器件(OEIC)的放大部分. 关键词:磷化铟(InP); 绝缘栅场效应管(MISFET); 光电集成(OEIC); [全文内容正在添加中] ......
Nb-Cr系多元合金的组织和性能 郭喜平1,张明军1 (1.西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072) 摘要:采用真空非自耗+真空自耗电弧熔炼的方法制备了Nb-Cr系多元合金的母合金锭;对母合金进行了1450℃,24h+1000℃,24h的热处理;采用三点弯曲方法测试了合金的室温断裂韧性;进行了950℃不同时间的氧化实验.发现热处理后Nbss基体由树枝晶转变为等轴晶,而Laves相Cr2(Nb,Ti,Hf)则由块状转变为边界圆润的棒状;合金的室温断裂机制由电弧熔炼态的解理断裂转变为热处理后的准解理断裂;950℃的氧化产物为CrNbO4,HfO2,TiO2,CrNb1......