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DOI:10.19476/j.ysxb.1004.0609.2018.08.12 等离子体辅助球磨对Al+C4H4N4合成超细AlN的影响机制 杨卓立1,廖海峰1, 2,孙 迪1, 2,戴乐阳1, 2,刘志杰3,王文春3 (1. 集美大学 轮机工程学院 福建省船舶与海洋工程重点实验室,厦门 361021; 2. 船舶检测与再制造福建省高校工程研究中心,厦门 361021; 3. 大连理工大学 材料改性教育部重点实验室,大连 116024) 摘 要:对铝(Al)和二氨基马来腈(C4H4N4)的混合物分别进行等离子体辅助球磨和普通球磨,研究等离子体辅助球磨活化对合成AlN的作用机制.结果表明:相对于普通球磨,等离子体辅助球磨更有利于Al粉的晶粒细化和晶格畸变,并有利于形成Al-C4H4N4纳米级的复合结构.辅助球磨中的等离子体促进C4H4N4的脱胺,使C4H4N4分解......
添加La2O3的AlN陶瓷的高压低温烧结 贾晓鹏1,郑友进1,李尚生1,刘万强1,马红安1,左桂鸿3,李小雷1,李吉刚2 (1.吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130012;2.河南理工大学,材料科学与工程学院,河南,焦作,454000;3.牡丹江师范学院,应用物理系,黑龙江,牡丹江,157012) 摘要:利用国产六面顶压机在5.0GPa,1300~1800℃条件下实现了以La2O3为助剂的AlN陶瓷体的高压低温烧结.用XRD,SEM,微区拉曼光谱对AlN高压烧结体进行了表征.研究表明,高压制备陶瓷体材料能够有效降低烧结温度和缩短烧结时间,烧结温度最低温度达到1300℃,可比传统烧结方法降低300℃以上,AlN高压烧结体的晶格常数比粉体的减小0.09%左右,其内部存在残余压应力,但AlN六方相的对称性没有发生改变. 关键词:AlN陶瓷; 高压烧结; La2O3; 晶......
AlN陶瓷注凝成型体系研究进展刘璇1,张电1,刘一军2,刘静1,杨晓凤1,李延军11. 西安建筑科技大学材料科学与工程学院2. 蒙娜丽莎集团股份有限公司摘 要:介绍了注凝成型体系(包括自由基反应体系,亲核加成反应体系和天然凝胶体系)的胶凝原理,体系组成和工艺流程,综述了AlN陶瓷注凝成型体系(包括水基注凝成型体系和非水基注凝成型体系)的研究进展和存在的问题,指出了非水基注凝成型体系作为当前的主要发展方向所需着力研究解决的重要问题.关键词:AlN陶瓷;注凝成型;凝胶体系;研究进展;......
自蔓延合成AlN粉研磨及热处理前后的性能比较 毛丽琼1,卢忠远2,李丹2 (1.四川省绵阳市科学城职教中心,四川,绵阳,621900;2.西南科技大学材料学院,四川,绵阳,621002) 摘要:本文通过比较AlN粉体研磨前后和AlN粉末热处理前后的性能差异,发现用甲醇作研磨介质快速研磨2h,AlN粉末的中位粒径为1.204μm,效果良好.研磨前AlN粉的含氧量为1.45%,研磨2h后的含氧量为1.8%,快速研磨后AlN粉末的氧化程度不高.随着热处理温度的提高,氧化程度逐步提高.在1000℃的温度下热处理3h后,除含有主晶相AlN外,还出现明显的α-Al2O3衍射峰.在600℃左右的温度下进行热处理3h,含氧量适中,有一定的抗水性. 关键词:自蔓延合成; AlN粉末; 热处理; 抗水性; [全文内容正在添加中] ......
锯齿型AlN纳米带中掺杂Co链的第一性原理研究孙婷婷,王永欣,陈铮,杜秀娟西北工业大学凝固技术国家重点实验室摘 要:在广义梯度近似(GGA)下,基于密度泛函理论(DFT)平面波赝势方法(PAW)的第一性原理方法研究了在锯齿型AlN纳米带中掺杂Co链的电荷密度,态密度及磁性性质.结果表明,N,H,Co和Al原子的电荷密度随着电负性的相继减小而减小.此外,在Al原子上没有电荷的积累,即电荷从近邻的Al原子转移到N,H和Co原子上.Co的掺入改变了AlN纳米带的带隙和磁性,掺入Co链的AlN纳米带表现出半金属性质并且表现出磁性.此外,AlN纳米带中掺杂一条Co链之后,其自旋极化率和磁矩发生突变.关键词:AlN纳米带;第一性原理方法;电子结构;磁性;......
高导热AlN基复相微波衰减陶瓷的研究进展 陈贵巧1,李晓云1,丘泰1 (1.南京工业大学材料科学与工程学院,江苏,南京,210009) 摘要:本文主要综述国内外高导热AlN基复相微波衰减陶瓷的研究进展.具有优良微波衰减性能的材料体系有两种:氮化铝-导体复相微波衰减陶瓷和氮化铝-半导体复相微波衰减陶瓷.氮化铝-导体复相衰减陶瓷包括AlN-金属复相陶瓷,AlN-石墨复相陶瓷,AlN-金属氮化物复相陶瓷.其中AlN-金属复相陶瓷因具有优良的高导热性能及微波衰减词节性能,成为今后微波衰减材料的主要研究方向. 关键词:高导热; AlN基; 微波衰减; [全文内容正在添加中] ......
AlN薄膜的KrF准分子脉冲激光沉积 陈韬1,门传玲2,朱自强1,丁艳芳1,林成鲁2 (1.华东师范大学,信息学院,上海,200062;2.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050) 摘要:研究了采用脉冲激光沉积(PLD)技术在Si(100)衬底上AlN薄膜的制备及其性质.结果表明,衬底温度从室温到800℃的范围内,所得到的AlN薄膜为(002)择优取向的纤锌矿结构.随着衬底温度的升高,AlN薄膜从纳米晶结构转为多晶结构,同时表面微粗糙度上升.AlN晶粒呈柱状生长机制. 关键词:AlN薄膜; KrF准分子脉冲激光沉积; 微结构; [全文内容正在添加中] ......
高压烧结AlN陶瓷的微观结构和残余应力 贾晓鹏1,李尚升2,郑友进2,刘万强2,马红安2,左桂鸿3,李小雷1,李吉刚1 (1.河南理工大学材料科学与工程学院,焦作,454000;2.吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春,130012;3.牡丹江师范学院物理系,牡丹江,157012) 摘要:在5.0 GPa,1300-1800℃条件下不使用烧结助剂高压烧结制备了AlN陶瓷,研究了烧结温度和烧结时间对AlN高压烧结体微观结构和残余应力的影响.结果表明:高压烧结制备AlN陶瓷能有效地降低烧结温度和缩短烧结时间,在5.0 GPa/1400℃/50 min条件下AlN烧结体表现出穿晶断裂模式;将烧结温度提高到1800℃在AlN陶瓷中形成了单相多晶等轴晶粒组织;在5.0 GPa/1700℃/125 min条件下AlN陶瓷内部存在2.0GPa的残余压应力,其原因是在高压烧结AlN陶瓷出现了晶格畸......
) 摘 要: 对YF3-CaF2烧结助剂体系的氮化铝(AlN)低温烧结过程中液相向表面迁移的现象和表层晶粒生长进行了研究, 同时分析讨论了液相迁移的机制. AlN低温烧结过程中液相向表面的迁移, 有利于减少晶界相, 提高其热导率. 然而, 液相向表面过量迁移和富集则导致了表层晶粒的异常生长, 坯体内部由于缺乏液相烧结助剂不能实现致密化, 这一现象也造成陶瓷基板的翘曲. AlN陶瓷坯体在烧结起始阶段的快速收缩和坯体内部AlN晶界两面角大于72.5°都有助于液相向表面迁移. 低温烧结后陶瓷表面的主要物相是AlN和Y2O3, Y2O3的出现并被碳热还原生成可挥发的YN可能是表面呈现蓝紫色的原因. 表面Y2O3的产生与钇铝酸盐(Y3Al5O12, Y4Al2O9)液相迁移至AlN陶瓷表面并与炉中碳气氛发生碳热还原有关. 关键词: 低温烧结; 液相迁移; 晶粒生长; 氮化铝 中图分类......
of Civil Engineering and Architecture, School of Environmental and Energy Engineering, Beijing 100044, China) Abstract: A hydrolysis-anoxic-oxidation (H-A-O) combined system for enhanced nitrogen removal... by 60% under the function of hydrolysis and acidification. Without external C-source and alkalinity addition, COD, NH4+-N and TN removal efficiency in this system reach 90%, 95% and 74%, where total......