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掺杂CeO2和CuO对BaTiO3陶瓷介电性能的影响 郭晓琨1,单丹1,张晨1,曲远方1,宋建静1 (1.天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津,300072) 摘要:研究了采用固相法在BaTiO3中掺杂CeO2和CuO对瓷料介电性能的影响.结果表明:当CeO2含量为7%(原子分数),CuO含量为0.5%(质量分数)时,试样在1260℃烧结2h,获得了性能优良的介质材料,瓷料的介电系数为2570,介质损耗为2.15%,绝缘电阻率为5.8×1011Ω·cm;CeO2的加入可以有效提高瓷料的介电系数,降低介质损耗,而CuO的引入会有效地降低瓷料的烧结温度,大幅度提高了瓷料的绝缘电阻率. 关键词:钛酸钡; 氧化铈; 氧化铜; [全文内容正在添加中] ......
反应合成AgCuO复合材料中CuO的长大动力学分析周晓龙1,2,3,曹建春1,陈敬超2,3,黎敬涛4,于杰1,张昆华5,杜焰2,3,吴大平2,31. 昆明理工大学材料科学与工程学院2. 昆明理工大学稀贵及有色金属先进材料教育部重点实验室3. 昆明理工大学云南省新材料制备与加工重点实验室4. 昆明理工大学信息工程与自动化学院5. 昆明贵金属研究所摘 要:通过分析银铜颗粒表面铜与氧的反应,计算银铜合金中铜的沉淀析出量,铜在银基体中的扩散速率以及CuO颗粒大小,研究了反应合成AgCuO复合材料中CuO的长大动力学行为.结果表明:在反应合成制备过程中,氧化铜颗粒长大动力学行为满足抛物线规律;银铜合金表面铜与氧的反应是一种铜扩散控制型反应,该氧化铜颗粒的长大与铜在银铜合金中的含量,扩散速率和所处位置(晶内,晶界......
直接沉淀法制备纳米CuO及室温脱除H2S性能的研究李芬1,张彦平2,王悦1,王艳红1,杨胜宇1,雷涛11. 哈尔滨理工大学化学与环境工程学院,绿色化工技术黑龙江省高校重点实验室2. 河北工业大学土木工程学院摘 要:考察了纳米CuO直接沉淀法制备工艺对其脱硫活性和晶粒尺寸的影响,并利用XRD和TEM对脱硫剂的结构进行了表征.结果表明,所制备的纳米CuO为单斜晶系结构.原料浓度过低,沉淀剂用量小均不利于生成小尺度的纳米CuO.但加热条件下,前驱体有分解形成CuO趋势,晶粒尺寸略有增大;当n(OH-)∶n(Cu2+)=2.5∶1,原料浓度0.4mol/L,搅拌温度为25℃,300℃焙烧时获得的纳米CuO脱硫活性最好,其穿透时间可达640min,此时纳米CuO晶粒尺寸为11.8nm,颗粒的分散性较好;纳米......
活性炭纤维负载CuO改性及其性能表征李海红,薛慧,杨清西安工程大学环境与化学工程学院摘 要:以Cu(NO3)2溶液作为前躯体,采用浸渍–煅烧法对盐酸预处理后的活性炭纤维(activated carbon fiber,ACF)毡进行负载氧化铜化学改性,制备CuO/ACF电极材料.通过扫描电镜(SEM),X射线光电子能谱仪(XPS),比表面积及孔径分析仪以及傅立叶变换红外光谱仪(FTIR)对ACF及其负载CuO后的形貌与结构,元素组成,比表面积,孔径等进行观察与分析,并利用电化学工作站测试其电化学性能.结果表明:经过负载CuO化学改性的CuO/ACF电极材料,比表面积及孔容较改性前分别下降31.94%和33.95%,表面含氧基团增多,出现明显的Cu-O键,CuO/ACF电极材料中Cu元素的质量分数为......
文章编号:1004-0609(2016)-09-1929-06 纳米CuO表面包覆对Li1.13[Ni0.5Mn0.5]0.87O2正极材料电化学性能的影响 袁 好,王先友,胡 亮,杨秀康,舒洪波 (湘潭大学 化学学院 环境友好化学与应用教育部重点实验室, 电化学能源储存与转换湖南省重点实验室,湘潭 411105) 摘 要:为了提高球形Li1.13[Ni0.5Mn0.5]0.87O2正极材料的电化学性能,通过非均匀成核法在材料颗粒表面包覆一层纳米CuO；采用XRD,SEM,TEM和充放电测试仪对所包覆材料进行测试与表征.结果表明:适量的CuO包覆可有效地提高Li1.13[Ni0.5Mn0.5]0.87O2正极材料的电化学性能；当CuO包覆量为2%(质量分数)时,材料的电化学性能最佳.在0.1C,2.0~4.6 V充放电条件下,其首次放电容量为213.7......
热氧化法在泡沫铜上制备CuO纳米线及其光催化性能研究于晶晶,廖斌,张旭,周福增,伏开虎,吴先映北京师范大学核科学与技术学院射线束技术与材料改性教育部重点实验室摘 要:采用热氧化方法,在泡沫铜上制备了高度有序的三维CuO纳米线(CuO NWs)阵列;利用扫描电镜(SEM),X射线衍射仪(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对CuO NWs阵列的形貌,成分以及结构等进行了表征.重点研究了不同氧化温度对CuO NWs形貌和氧化物平均晶粒尺寸的影响,讨论了纳米线的生长机制.结果表明:CuO NWs直径随温度升高而增大,密度随Cu2O平均晶粒尺寸增大而减小,CuO NWs的最佳生长温度为400℃,直径在50~120 nm,长度可达5μm,长径比最大,不易脱落.同时也研究了CuO NWs阵列光催化降解甲基橙的能力......
CuO掺杂对钇钡铜氧陶瓷电性能的影响周宏明1,2,王博益1,李荐1,2,程名辉11. 中南大学材料科学与工程学院摘 要:采用传统固相烧结法制备的Y1Ba2Cu3O7-x(YBCO)陶瓷为功能相,玻璃粉为烧结助剂,CuO为掺杂剂,制备了CuO掺杂的钇钡铜氧陶瓷.通过X射线衍射仪,扫描电镜,能谱分析仪,微欧仪和高低温交变湿热试验箱对其相组成,微观结构及电性能进行研究.研究结果表明:CuO掺杂有利于减少YBCO晶体结构中存在的氧缺陷;随CuO掺杂量从0%增加到3%,陶瓷致密度逐渐增加,电阻率明显降低; CuO掺杂量大于3%后,陶瓷致密度逐渐下降,电阻率也明显升高;随CuO掺杂量增加,陶瓷的电阻温度系数逐渐由负向正偏移,电阻温度系数值逐渐减小.当CuO掺杂量为3%时,样品的综合电性能最佳:电阻率为1. 55......
CuO复合对La0.80Sr0.05K0.15MnO3电输运和磁电阻的影响王闻琦1,2,王桂英1,2,唐永刚1,2,毛强1,2,刘鹏1,2,彭振生11. 自旋电子与纳米材料安徽省重点实验室(培育基地)2. 宿州学院机械与电子工程学院摘 要:用固相反应法制备了(1-x)La0.80Sr0.05K0.15MnO3/xCuO(x=0.00,0.04,0.08,0.10,0.20,0.30)二相复合体.通过X射线衍射图谱,扫描电子显微镜照片检测结构,表明形成完好的钙钛矿相和CuO相,CuO分布在钙钛矿颗粒之间,形成对钙钛颗粒的包覆.通过测量零场和加场下的电阻率-温度曲线以及磁电阻-温度曲线,研究电输运性质及磁电阻效应,结果表明,CuO复合对La0.80Sr0.05K0.15MnO3电输运和磁电阻效应影响很大......
TiO2和CuO掺杂对ZnO导电陶瓷中电子密度和电阻率的影响韩丽芳,王昊,徐守磊,陈玉辉,雷镇全,邓文广西大学物理科学与工程技术学院摘 要:测量了ZnO-TiO2和ZnO-CuO导电陶瓷的正电子寿命谱及其电阻率,研究了TiO2和CuO掺杂对ZnO陶瓷中电子密度和电阻率的影响.结果表明:在ZnO中加入少量的TiO2,随着ZnO陶瓷中TiO2含量的增加,样品中的自由电子密度升高,电阻率降低;在ZnO中加入少量的CuO,随着ZnO陶瓷中CuO含量的增加,样品中的自由电子密度降低,电阻率升高.关键词:ZnO导电陶瓷;TiO2掺杂;CuO掺杂;电子密度;电阻率;......
CuO对Ti-C-Al体系自蔓延反应过程的影响王楠,刘慧敏,韩林峰,于香莲,李志鹏内蒙古工业大学材料科学与工程学院摘 要:选择Ti--C--Al和Ti--C--Al--CuO两种体系,采用原位反应近液相线铸造技术,制备铝基复合材料.通过金相显微镜,扫描电镜和X射线衍射仪研究了复合材料的微观组织.对上述两种体系的反应进行了热力学与动力学分析.进一步研究了CuO对Ti--C--Al体系的自蔓延反应过程的作用机理,建立了其反应过程的动力学模型.结果表明:在Ti--C--Al体系自蔓延反应过程中,CuO和Al的反应可以提高其反应体系的绝热温度,能为该体系反应持续提供热量,使其自蔓延效果更为显著,反应更加彻底,大大减少条块状的中间产物Al3Ti,优化了材料组织.关键词:颗粒增强复合材料;金属基复合......
