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Sub-bandgap photocurrent response and carrier transport properties of undoped semi-insulating LEG GaAs as a compositeYANG Ruixia,ZHAO Zhengping,LOU Jianzhong,LV Miao,YANG Yongjun,and LIU Lihao1...-insulating (SI) liquid encapsulated Czochralski (LEG) GaAs crystals were investigated by photocurrent and temperature-dependent Hall measurements. It is indicated that strong nonuniformities......
1.5微米波段GaAs基异变InAs量子点分子束外延生长魏全香1,王鹏飞2,任正伟2,贺振宏21. 山西大学物理电子工程学院2. 中国科学院半导体研究所摘 要:1.55微米波段GaAs基近红外长波长材料在光纤通讯,高频电路和光电集成等领域有潜在的应用价值.本文用分子束外延方法研究了GaAs基异变InAs量子点材料的生长,力图实现在拓展量子点发光波长的同时保持或增加InAs量子点的密度.在实验中,首先优化了In0.15GaAs异变缓冲层的生长,研究了生长温度和退火对减少穿通位错的作用.在此基础上,优化了长波长InAs量子点的生长.最终在GaAs基上获得了温室发光波长在1491nm,半高宽为27.73meV,密度达到4×1010cm-2的InAs量子点.关键词:异变;InAs量子点;分子束外......
GaAs(001)表面预粗糙化过程中的临界减慢罗子江1,2,周勋2,3,王继红2,郭祥2,丁召21. 贵州财经大学教育管理学院2. 贵州大学电子信息学院3. 贵州师范大学物理与电子科学学院摘 要:通过对于GaAs表面形貌在特定As BEP(1.33μPa),不同温度(570,560,550,540和530℃)下相变过程研究,发现随着温度的降低GaAs预粗糙化过程发生了不同程度的迟滞,在温度降至530℃附近时,延迟现象尤其明显,并且当温度远低于530℃时(As BEP 1.33μPa)GaAs表面将不会发生预粗糙转变.采用二维艾辛模型建立方程结合实验数据对这一现象进行理论解释,理论计算出GaAs预粗糙化相变的临界转变温度为529℃,与实验中获得的数据吻合.采用理论上获得的临界转变温度,利用临界减慢理论对......
GaAs研磨片化学腐蚀均匀性的分析 卜俊鹏1,白玉柯1,尹玉华1,郑红军1 (1.中国科学院半导体研究所,北京,100083) 摘要:采用不同的化学腐蚀方法,探讨了不同体系成份,温度,腐蚀过程的吸放热对晶片均匀性的影响,提出了氨水系列,进行晶片化学腐蚀,晶片厚度均匀性11.47%,为下步工艺提供平整度较好的晶片. 关键词:研磨片; 化学腐蚀方法; 晶片均匀性; [全文内容正在添加中] ......
压痕诱发GaAs塑性变形区的层错结构 徐永波1,李井润1,刘路1,李志成1 (1.中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合) 摘要:用电子显微镜研究了压痕诱发砷化镓单晶中的塑性变形结果表明,在压痕周围除了产生玫瑰型分布的位错组态和二次对称的孪晶结构外,还形成了层错.层错有两种类型:一种由两个具有不同Burgers矢量的不全位错组成,另一种则由具有相同Burgers矢量的不全位错组成. 关键词:无机非金属材料; 砷化镓单晶; 压痕; 塑性变形; 层错; 电子显微镜; [全文内容正在添加中] ......
反铁磁性交换作用对p,n型掺杂的GaAs居里温度的影响关玉琴,陈余,赵春旺内蒙古工业大学理学院摘 要:居里温度与载流子浓度反铁磁性交换作用有着密切联系,定量分析反铁磁性交换作用对p型及n型GaAs材料的居里温度的影响,计算证明,反铁磁性交换作用对p型和n型掺杂的GaAs居里温度的影响有着本质的区别.p型半导体材料的居里温度仅仅与反铁磁性交换作用有关,而与掺杂浓度无关;对n型半导体居里温度与反铁磁性交换作用和掺杂浓度都有关,而且高掺杂浓度下居里温度比低掺杂浓度下居里温度低.关键词:稀磁半导体材料;反铁磁性交换作用;居里温度;p,n型掺杂;掺杂浓度;......
热处理对非掺杂半绝缘 GaAs 本征缺陷和电特性的影响 陈诺夫1,张富强1,杨瑞霞2 (1.中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室;2.河北工业大学电信学院) 摘要:在 950℃和 1120℃温度下,对非掺杂(ND)半绝缘(SI)液封直拉(LEC) GaAs 单晶进行了不同砷气压条件的热处理,研究了热处理对本征缺陷和电特性的影响.在 950℃和低砷压条件下进行 14 h 热处理,可在样品中引入本征受主缺陷并导致体霍尔迁移率大幅度下降和体电阻率明显增加.这些受主缺陷的产生是由于高温和低砷压条件下 GaAs 晶体中发生砷间隙原子的外扩散.提高热处理过程中的砷气压,可以抑制这些受主缺陷的产生和电参数的变化.真空条件下,在 1120℃热处理 2~8 h 并快速冷却后,可使样品中的主要施主缺陷 EL2 浓度下降近一个数量级,提高热处理过程中的砷气压,可以抑制 EL2 浓度下降,这种抑制作......
飞秒激光辐照对GaAs太阳能电池损伤的试验研究吴文慧1,陈瑞芳1,花银群1,2,刘海霞2,薛青11. 江苏大学机械工程学院2. 江苏大学材料科学与工程学院摘 要:开展了飞秒激光对GaAs太阳能电池表面辐照损伤的试验研究.研究结果表明,在能量密度>0.27J/cm2时,飞秒激光对GaAs太阳能电池表面开始造成损伤,其损伤程度随着激光能量密度的增加而增加;在相同激光能量密度的条件下,其损伤程度随着扫描速度的增加而减小.采用光学显微镜对其表面损伤形貌进行分析发现,其烧蚀面积随着激光能量密度的增大而不断增大,这是因为飞秒激光的光斑能量成高斯型分布.根据烧蚀区域光斑直径与脉冲能量的关系,对GaAs太阳能电池表层TiO2/SiO2薄膜的损伤阈值进行了理论计算,其阈值为0.35J/cm2大于实验测试结果......
压痕诱发GaAs和Si晶体塑性,损伤与断裂 徐永波1 (1.中国科学院,金属研究所,沈阳国家材料科学实验室,沈阳,110016) 摘要:对压痕诱发脆性材料塑性,损伤与断裂研究进行总结, 并结合与之有关学科研究进展予以评述. 主要结果:微压痕诱导硅和砷化镓晶体的纳米和非晶转变, 并发现这一转变的临界应力;转变过程是由切应力, 并非静水压力控制;电子辐照诱导非晶晶化, 并发现晶化临界条件;晶化速率与电流密度有关;压痕诱发的裂纹尖端不是原子尖的, 其萌生与扩展伴随位错的产生, 并由此引发点阵的畸变, 并产生1~2nm宽非晶带;裂纹扩展沿非晶带发生, 而非裂端前方原子键相继断裂的结果;经傅立叶变换和逆变换发现, 裂纹尖端变形显示出各向异性. 关键词:微压痕; 高分辨电镜; 晶化与非晶化; 裂纹尖端结构; 傅立叶变换与逆变换; micro-indentation; HRTEM......
16原子GaAs超胞中In替位式掺杂模型研究刘雪飞1,2,罗子江3,周勋2,王继红1,魏杰敏1,4,王一1,郭祥1,郎啟智1,刘万松2,丁召11. 贵州大学大数据与信息工程学院2. 贵州师范大学物理与电子科学学院3. 贵州财经大学信息学院4. 贵州理工学院摘 要:对16原子GaAs超胞中In替位式掺杂的模型进行深入研究,发现当In掺杂比例从0~1变化时,具有256种掺杂方式,共计13种对称属性.研究还发现在相同掺杂比例下模型具有不同对称属性,同一对称属性对应不同掺杂比例.论文还对其中4种情况的态密度进行计算,计算结果显示In掺杂的比例是影响GaAs超胞物理性质的重要因素,而对称性对物理性质的影响可以忽略不计.关键词:InxGa1-xAs;替位式掺杂;能带结构;对称性;......
