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微条气体室(MSGC)基板材料的研究 夏义本1,苏青峰1,王林军1,杨莹1,张明龙1,汪琳1 (1.上海大学,材料科学与工程学院,上海,201800) 摘要:根据微条气体室(MSGC)探测器的工作原理,分析了MSGC基板的选择依据,同时首次提出采用金刚石膜/硅复合材料作为MSGC基板的可行性.采用热丝辅助化学气相沉积(HFCVD)技术和相关退火工艺获得了金刚石膜/硅复合材料,并采用SEM,Raman光谱仪,微电流仪对复合材料的表面状况,结构,I-V和C-F特性进行了表征.结果表明,该复合材料经抛光后表面平整,退火后电阻率达约2.9×1010Ω·cm,电容值小且随频率变化稳定,均满足MSGC对基板材料的要求. 关键词:微条气体室(MSGC); 探测器; 基板; 金刚石膜/硅复合材料; [全文内容正在添加中] ......
退火处理对Zno/Si异质结光电转换特性的影响 梁会琴1,张伟英1,傅竹西2,刘照军1,刘振中1 (1.洛阳师范学院物理与电子信息学院,洛阳,471022;2.中国科学技术大学物理系,合肥,230026) 摘要:采用直流反应溅射方法在P型Si(100)衬底上生长掺Al的ZnO薄膜,并研究退火处理对ZnO薄膜性质的影响.XRD测量结果表明,ZnO薄膜为六方纤锌矿结构,退火后薄膜的晶粒长大,晶界减少;暗态I-V特性曲线表明,Zno/Si异质结具有明显的整流特性,退火后由于晶粒间界减少和空位浓度降低使反向漏电流降低1个量级;此外,退火处理能在一定程度上改善异质结的光伏效应,使其转换效率提高. 关键词:退火; 异质结; 光电转换; annealing; heterojunction; photovoltaic effect; [全文内容正在添加中] ......
晶粒尺寸对CVD金刚石膜电学特性的影响 夏义本1,史伟民1,苏青峰1,蒋丽雯1,王林军1,崔江涛1,阮建锋1 (1.上海大学材料科学与工程学院,上海,200072) 摘要:通过改变生长参数,采用热丝化学气相沉积(HFCVD)法制备了从10μm到90nm四种晶粒尺寸的金刚石膜,并制作了三明治结构的光电导探测器.采用原子力显微镜和拉曼光谱仪研究了薄膜的结构和表面形貌:表面粗糙度从423nm变化到15nm;晶粒越大,金刚石膜的质量越好.I-V特性测试结果表明随着晶粒尺寸的减小,金刚石膜的电阻率从1011Ω·cm减小到106Ω·cm.在5.9 keV的55Fe X射线辐照下,随着晶粒尺寸的减小,探测器的信噪比(SNR)呈减小趋势. 关键词:金刚石膜; 电学特性; 晶粒尺寸; HFCVD; [全文内容正在添加中] ......
微条气体室基板研究 夏义本1,苏青峰1,王林军1,杨莹1,张明龙1,汪琳1 (1.上海大学材料科学与工程学院,上海,201800) 摘要:提出采用金刚石膜/硅复合材料作为MSGC基板的可行性.采用热丝辅助化学气相沉积(HFCVD)技术和相关退火工艺获得了金刚石膜/硅复合材料,并采用SEM,Raman光谱仪,微电流仪对复合材料的表面状况,结构,I-V和C-F特性进行了表征.结果表明,该复合材料经抛光后表面平整,退火后电阻率达2.9×10 10Ω·cm,电容值小且频率变化稳定,均满足MSGC对基板材料的要求,是一种应用前景极其广泛的MSGC衬底材料. 关键词:微条气体室(MSGC); 探测器; 基板; 金刚石膜/硅复合材料; micro - strip gas chambers(MSGC); detector; substrate; diamond film/silicon......
发射极δ掺杂的InGaAs/InPDHBT的特性分析 陈雷东1,曹俊诚1,李爱珍1,徐安怀1,齐鸣1 (1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050) 摘要:设计了一种新结构的InGaAs/InP双异质结晶体管(DHBT),其中发射结采用δ掺杂和阻挡层结构,集电极采用N+掺杂复合结结构.考虑隧穿作用和发射结空间电荷区复合电流的影响,计算了δ掺杂浓度和N+,n-层厚度等参数变化对InGaAs/InP DHBT电流,I-V输出特性,电流增益的影响,计算结果表明,随着这些参数值增大,InGaAs/InP DHBT输出特性逐渐改善.当δ掺杂浓度大于2×1012cm-3时,电流增益趋于饱和. 关键词:InGaAs/InP HBT; δ掺杂层; 阻挡层; N+高掺杂的复合集电极; I- V输出特性; [全文内容正在添加中] ......
工艺条件对热丝CVD金刚石薄膜电学性能的影响 刘健敏1,夏义本1,苏青峰1,王林军1,张明龙1 (1.上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系,上海,200072) 摘要:采用不同的沉积条件,通过HFCVD方法制备了四种不同质量,不同取向的CVD金刚石薄膜.讨论了薄膜退火前后的介电性能.研究了不同沉积条件和退火工艺与介电性能之间的联系.通过扫描电镜SEM,Raman光谱,XRD,I-V特性曲线以及阻抗分析仪表征CVD金刚石薄膜的特性.结果表明,退火工艺减少了薄膜吸附的氢杂质,改善了薄膜质量.获得的高质量CVD金刚石薄膜具有好的电学性能,在50V偏压条件下电阻率为1.2×1011Ω·cm,频率在2MHz条件下介电常数为5.73,介电损耗为0.02. 关键词:退火工艺; 化学气相沉积金刚石薄膜; 沉积条件; [全文内容正在添加中] ......
Pt/YSZ电极结构老化特性研究 简家文1,张益康2,杨邦朝1 (1.电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054;2.康达(成都) 摘要:借助于I-V极化曲线,交流阻抗测试及电子扫描电镜等技术和设备,对以Y2O3稳定ZrO2多晶固体氧离子导体(YSZ)为基体的Pt/YSZ电极结构电学性能和电极形貌随时间的老化变化特性进行了研究;为定量表述电极形貌的变化特性,作者提出了一种有关Pt/YSZ电极结构电极界面的形貌模型,采用此模型对不同老化时间下的电极Pt/空气/YSZ三相界面的长度进行了定量计算.实验测试,理论模型计算等结果都表明:Pt/YSZ电极结构的电学性能和电极形貌均随老化时间出现了明显的变化. 关键词:钇稳定氧化锆; 老化; Pt/空气/YSZ三相界面; [全文内容正在添加中] ......
SrO-Nb2O5-TiO2系压敏陶瓷中Nb5+和Sr2+的研究 傅刚1,李莉1,陈志雄1,庄严2,周方桥1 (1.广州大学理学院固体物理与材料研究实验室,广州,510405;2.广州新日电子有限公司,广州,510335) 摘要:用显微观察分析,I-V特性及复阻抗频谱的测量,研究了不同Nb5+和Sr2+掺量的SrO-Nb2O5-TiO2系半导体压敏陶瓷材料的微观结构和相关电学性质;讨论了掺杂Nb5+和Sr2+的分布和作用;Nb5+固溶在TiO2中取代Ti4+并使晶粒成为半导化,同时也有助于晶粒生长;而Sr2+主要分布在晶粒边界处,对表面受主态及材料相关电学性能有重要影响;在大气气氛中热处理后的实验结果表明:处理温度在800°C以上时,能显著提高压敏电压,但只有适当的热处理温度,才能使非线性系数有所改善. 关键词:(Sr,Nb)-TiO2陶瓷; 半导体; 压敏电阻; [全文内容......
溶胶-凝胶法制备BaxSr1-xTiO3铁电薄膜的研究 兰艳梅1,杨彩琴2,刘明登1,王伟2,王静3 (1.广西师范大学化学系,;2.河北医科大学药学院,;3.河北医科大学药学院;4.广西师范大学化学系) 摘要:介绍了sol-gel法制备BaxSr1-xTiO3铁电薄膜的工艺参数.在溶胶中加入一定体积百分含量的干燥化学控制添加剂(DCCA)可有效的防止薄膜开裂.通过IR,XRD谱图,C-V回线,I-V曲线等测试方法比较了金属醇盐法和以部分醋酸盐代替醇盐法制备薄膜的微观结构和性能.实验结果表明,全部采用醇盐为原料制备的BST薄膜性能较好.通过两种方法制备BST薄膜性能的差异,本文提出了这两种方法的成膜机理. 关键词:溶胶-凝胶法; BaxSr1-xTiO3; 铁电薄膜; [全文内容正在添加中] ......
SnO2掺杂对TiO2压敏电阻器性能的影响 蒋俊1,许高杰1,王琴2,孙爱华2,段雷1,李勇1,李亚丽1,李志祥1 (1.中国科学院宁波材料技术与工程研究所,浙江,宁波,315040;2.中国科学院固体物理研究所,材料物理重点实验室,安徽,合肥,230031) 摘要:采用固相合成法制备了SnO2掺杂的TiO2基压敏电阻系列样品,并通过XRD和SEM分析,以及I-V曲线测量对材料的结构和电学性能进行了研究.结果表明:SnO2的掺杂抑制了晶粒的生长,晶界相含量增加.电性能测试结果显示,SnO2的掺杂量在0~1.5 mol%内,击穿场强随SnO2掺杂量的增加单调递增;非线性系数先增加后又减小,掺杂量为0.8 mol%的样品具有最大的非线性系数(α=8.3).并对以上的实验结果从理论上给予了分析. 关键词:压敏电阻; 非线性系数; 压敏电压; [全文内容正在添加中] ......