共搜索到4637条信息,每页显示10条信息,共464页。用时:0小时0分0秒359毫秒
Effect of properties of SiC fibers on longitudinal tensile behavior of SiCf/Ti-6Al-4V composites LI Jian-kang(李建康), YANG Yan-qing(杨延清), YUAN Mei-ni(原梅妮), LUO Xian(罗 贤), LI Li-li(李丽丽) School...; Abstract: Three types of SiC fibers with different tensile strength were......
SiC陶瓷的低温力学和热学性能研究薛伟江1,肖冰2,谢志鹏1,陈海波11. 清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室2. 中原工学院摘 要:通过对SiC陶瓷在室温(293K)至低温(77K)下力学和热学性能的研究,分析了其力学,热学性能的变化规律和影响因素,并探讨其作为低温材料的应用前景.实验发现,SiC陶瓷在低温下强度升高,韧性变化却很小.SiC陶瓷热导率在90至360K区间变化幅度较小,而在90K以下则迅速降低,热膨胀曲线随温度接近线性变化,拟合得到其在125290K温度区间内的平均热膨胀系数约为1.15×10-6,小于室温下一般常压烧结SiC陶瓷的热膨胀系数.关键词:SiC陶瓷;低温;力学性能;热学性能;......
Si3N4─SiC耐火材料的碱蚀动力学徐桂英,厉英,杜鹤桂摘 要:对Si3N4结合的SiC的抗碱蚀机理进行了动力学实验研究.结果表明,其碱蚀过程受化学与扩散混合控制;碱蚀增重及残余强度与碱蚀时间呈1/2次幂函数规律变化,与温度分别呈线性和二次幂函数规律变化.而其碱蚀增重速率及残余强度变化速率均与时间呈-1/2次幂函数规律变化关键词:Si3N4-SiC耐火材料;碱蚀;动力学;......
Dispersion of ultrafine SiC particles in molten Al-12Si alloy Jin-Ju PARK, Sang-Hoon LEE, Min-Ku LEE, Chang-Kyu RHEE Nuclear Materials Research Division, Korea Atomic Energy Research Institute... with the help of ultrafine ceramic powders made by self-propagating high-temperature synthesis (SHS) process. The SHS powders were fabricated by the chemical reaction between micro-sized SiC and Al......
......
SiO2结合SiC砖的抗水蒸气氧化性能曹会彦,王建波,黄志刚,李杰,张新华中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司先进耐火材料国家重点实验室摘 要:自制了SiO2结合SiC砖,然后参照ASTM C863-2000对其在1 000℃水蒸气(水蒸气的通入速率为32kg·m-3·h-1)中分别保温50,100,150,200,250和300 h进行了氧化试验,检测试样氧化后的质量变化率和体积变化率,以及试样氧化前后的显气孔率和孔径分布,并进行了XRD和SEM分析.结果表明:1)自制SiO2结合SiC砖的体积密度,显气孔率和SiC含量与现有的SiC浇注料相当,而抗折强度和耐压强度明显比SiC浇注料的高.2)氧化100 h后试样表面开始出现裂纹;氧化200 h后裂纹增多,变宽.3)随着氧化时间延长至200 h,试样的......
......
SiC纳米线光催化降解罗丹明B钟福新1,郭冬冬1,金吉松2,李浩1,李培刚21. 桂林理工大学化学与生物工程学院2. 浙江理工大学物理系光电材料与器件中心摘 要:采用碳热还原法合成了纯度较高的单晶SiC纳米线,并对其光催化性能进行了研究.以罗丹明B为目标降解物,20 W紫外灯(λ=253.7 nm)为光源,探讨了不同条件下SiC纳米线对罗丹明B的光催化降解效果.结果表明,催化剂用量为0.04 g,pH值为1的条件下SiC纳米线对罗丹明B的光催化降解效果最好.光照6 h,罗丹明B的降解率达到67.63%.罗丹明B的降解符合一级动力学模型.关键词:SiC纳米线;光催化降解;罗丹明B;......
SiC单晶片CMP超精密加工技术现状与趋势 李淑娟1,李言1,肖强2 (1.西安理工大学机械与精密仪器工程学院,西安,710048;2.西安理工大学机械与精密仪器工程学院,西安710048;3.西安工业大学机电工程学院,西安710032) 摘要:综述了半导体材料SiC抛光技术的发展,介绍了SiC单晶片CMP技术的研究现状,分析了CMP的原理和工艺参数对抛光的影响,指出了SiC单晶片CMP急待解决的技术和理论问题,并对其发展方向进行了展望. 关键词:SiC单晶片; 化学机械抛光; 粗糙度; 抛光效率; SiC mono-crystal; CMP; Roughness; Polishing efficiency; [全文内容正在添加中] ......
SiC陶瓷的SPS烧结机理研究 曹建岭1,倪川浩1,王富耻1,冯超1,赵俊峰1,朱时珍1,徐强1 (1.北京理工大学材料科学与工程学院,北京,100081) 摘要:利用放电等离子烧结炉在不同温度下对SiC陶瓷进行烧结,烧结温度分别为1250,1450,1650,1850 ℃,升温速度均为200 ℃/min,升到温度后立即冷却.基于烧结后SiC陶瓷的扫描电镜观察,对SiC陶瓷的放电等离子烧结机理进行了初步探讨.研究结果表明,随着烧结温度的提高,SiC陶瓷的致密化程度逐渐提高,在1250 ℃和1450 ℃烧结的试样微观组织中很难发现烧结现象,但在小颗粒间发生局部的烧结痕迹,在1650 ℃烧结的试样微观组织中存在小颗粒的烧结现象,大颗粒间仍然没有烧结,颗粒形貌基本保持原始粉末的形貌,而在1850 ℃烧结的试样微观组织中存在大量的烧结颈现象,而且颗粒形貌呈球形.因而SiC陶瓷的放电等离子烧......