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用于应变Si外延薄膜的SiC缓冲层的生长 谢自力1,夏冬梅1,韩平1,王荣华1,郑有炓1,王琦1 (1.南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏,南京,210093) 摘要:用化学气相沉积方法对Si(111)衬底进行碳化处理,继而生长SjC外延层和应变Si薄膜.结果表明:随着碳化温度的降低,SiC薄层与Si衬底界面处的空洞有逐渐变小的趋势;在1100℃进行碳化处理可以有效减少界面处的空洞,得到较平整的sic薄层,在此条件下外延生长了高质量的SiC薄膜.在该SiC薄膜上外延获得了具有单一晶向的应变sj薄膜,其霍尔迁移率明显高于相同掺杂浓度的体Si材料,电学性能得到了有效改善. 关键词:碳化; SiC; 应变Si; [全文内容正在添加中] ......
双缓冲层法在硅上外延生长GaN研究 冯玉春1,刘彩池2,郭宝平1,朱军山2,胡加辉1,徐岳生2 (1.深圳大学光电子学研究所,广东省光电子器件与系统重点实验室,光电子器件与系统教育部重点实验室,广东,深圳,518060;2.河北工业大学材料学院,天津,300130) 摘要:利用金属有机物化学金相沉积MOCVD在Si(111)衬底上, 以高温AlN和低温GaN为缓冲层生长的GaN薄膜, 得到GaN(0002)和(10-12)的双晶X射线衍射(DCXRD)半高宽(FWHM)分别为721和840 s.采用高分辨率 DCXRD, 扫描电子显微镜(SEM)分析.结果表明, 以1040 ℃生长的Al......
立方织构 Cu-Ni基带及缓冲层的研究 刘慧舟1,杨坚1,胡广勇1,舒勇华1,史锴2,袁冠森1,王晓华1 (1.北京有色金属研究总院,北京,100088;2.北京有色金属研究总院,北京,100088；清华大学应用超导研究中心,北京,100084) 摘要:系统研究了Cu-Ni 合金基带和纯Ni基带的织构形成及转变规律,重复地获得了稳定的再结晶{001}立方织构.用表面氧化外延(SOE)法生成了 NiO(200)薄膜.轧制总加工率,轧制道次和轧制方向对轧制织构的形成起主要作用;再结晶温度,时间是立方织构形成的主要影响因素.在获得了强立方织构 Cu-Ni 合金基底上(其中Φ扫描曲线的半高宽(F......
CSD制备涂层导体缓冲层的技术进展 王耀1,于泽铭2,李成山2,卢亚锋2,周廉3,李金山1 (1.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072;2.西北有色金属研究院,西安,710016;3.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安710072;4.西北有色金属研究院,西安710016) 摘要:化学溶液沉积(CSD)技术在制备高温超导涂层导体方面具有易操作和低成本的优点.简述了CSD技术的基本原理以及在不同结构缓冲层制备方面的应用,并展望了涂层导体缓冲层技术的发展趋势. 关键词:高温超导; 涂层导体; 缓冲层; 化学溶液沉积; [全文内容正在添加中] ......
自缓冲层对Bi4Ti3O12铁电薄膜结构和性能的影响 左长明1,张宇1,王小平1,姬洪1,宋晓科1 (1.电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054) 摘要:铁电薄膜的性能与薄膜的择优取向和应力有密切的联系.采用X射线衍射( XRD)对3片不同自缓冲层条件下的Bi4Ti3O12(B1T)铁电薄膜进行了择优取向和应力分析,研究了自缓冲层影响择优取向和应力的机理.3片BIT薄膜的内应力均为张应力,并随着(200)峰与(117)峰相对强度的增强而变小,结果表明:a轴择优的BIT薄膜性能最好. 关键词:BIT; 自缓冲层; 择优取向; 应力; 摇摆曲线; [全文内容正在添加中] ......
用于Si基片上外延BST薄膜的缓冲层的研究进展 梁柱1,张鹰1,李言荣1,魏贤华1,黄文1 (1.电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054) 摘要:由于界面之间的扩散,很难取得在Si基片上BST薄膜的外延.在这种异质结之间,稳定的缓冲层起着良好的阻挡作用以及结构上的延伸功能.综述了用于外延BST薄膜的缓冲层材料的意义和要求,及国内外通过缓冲层来控制界面以及薄膜的外延取向而获得高质量薄膜的最新研究动态,展望了今后用于外延BST薄膜的缓冲层材料发展的趋势. 关键词:缓冲层; Si基片; BST薄膜; 异质外延; 界面; [全文内容正在添加中] ......
柔性缓冲层对T300/BADCy复合材料力学性能影响研究 房红强1,张增平1,杨洁颖1,梁国正1,任鹏刚1,王结良1 (1.西北工业大学,化学工程系,陕西,西安,710072) 摘要:为增强T300/BADCy复合材料的界面性能,用E51环氧树脂/丙酮溶液对T300纤维进行表面处理,在T300/BADCy复合材料界面处能形成柔性的口恶唑啉酮五元环缓冲层.利用红外光谱法研究环氧树脂与氰酸酯树脂的反应机理,并比较不同浓度E51环氧树脂处理液对复合材料力学性能的影响,发现经5wt%浓度的E51环氧液处理的T300/BADCy复合材料层间剪切强度提高了16%,弯曲强度提高了4%,当处理液的浓度大于5wt%时,T300/BADCy复合材料的力学性能有所下降.采用扫描电镜研究处理前,后T300/BADCy复合材料层间剪切断口形貌,发现未处理的T300/BADCy树脂复合材料断口的界面处存在明显......
OLEDs中CuPc缓冲层作用的AFM与XPS研究 桂文明1,王方聪1,张福甲1,欧谷平1,齐丙丽1,宋珍2 (1.兰州大学物理系,兰州,730000;2.北京机械工业学院基础部,北京,100085) 摘要:利用AFM对CuPc/ITO样品表面进行扫描,发现其生长较均匀,基本上覆盖了ITO表面的缺陷,且针孔较少.通过样品表面和界面的XPS谱图分析,进一步证实了这一结果,同时发现,CuPc可以抑制ITO中的化学组分向空穴传输层的扩散.有利于器件的性能的改善和寿命的提高. 关键词:缓冲层CuPc; 原子力显微镜(AFM); X射线光电子能谱(XPS); [全文内容正在添加中] ......
缓冲层对氮化镓二维生长的影响 李爱珍1,朱福英1,赵智彪1,齐鸣1 (1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050,中国科学院信息功能材料国家重点实验室) 摘要:报道了在射频等离子体(RF-Plasma)辅助的分子束外延(MBE)技术中,使用白宝石(0001)衬底,采用低温缓冲层工艺外延氮化镓(GaN).通过原子力显微镜(AFM)的表面形貌比较及X射线双晶衍射(XRD)ω扫描摇摆曲线的分析,讨论了低温缓冲层成核机理及缓冲层生长温度与形成准二维生长的关系,确立了缓冲层的三维成核,准二维生长的生长机理,并在此基础上实现了氮化镓外延层更好地二维生长,进一步提高了氮化镓外延层的晶体......
YBCO涂层导体CeO2,Y2O3缓冲层的生长研究 刘慧舟1,杨坚1,屈飞1,古宏伟1,张华1 (1.北京有色金属研究总院超导材料研究中心,北京,100088) 摘要:采用反应溅射的方法在具有立方织构的Ni基底上制备了CeO2,Y2O3缓冲层.Ar/H2气氛下预沉积的引入,有效地抑制了基底的氧化.同时,为保证薄膜的外延取向,预沉积时间必须和总沉积时间满足线性关系.对比CeO2,Y2O3的生长条件,发现CeO2的外延生长区间比Y2O3宽,Y2O3的生长对温度,气压等条件更为敏感.最终制备的CeO2缓冲层是纯的(100)取向,其平面内φ扫描半高宽(FWHM)为8.5°;而Y2O3存在两种平面取向,一种是Y2O3(110)|Ni(100),另一种是Y2O3(100)| Ni(100).俄歇能谱观察表明,CeO2/Ni界面优于Y2O3/Ni界面.扫描电镜照片显示,CeO2,Y2O3缓冲层的......
