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Si(100)衬底上PLD法制备高取向度AlN薄膜 李效民1,张霞1,陈同来1 (1.中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050) 摘要:采用脉冲激光沉积法(PLD),以KrF准分子为脉冲激光源,Si(100)为衬底,同时引入缓冲层TiN和Ti0.8Al0.2N,制备了结晶质量优异的AlN薄膜,X射线衍射(XRD)及反射式高能电子衍射(RHEED)分析表明AlN薄膜呈(001)取向,二维层状生长.研究发现,薄膜的生长模式依赖于缓冲层种类,直接在Si衬底上或MgO/Si衬底上的AlN薄膜呈三维岛状生长;而同时引入缓冲层TiN和Ti0.8Al0.2N时,AlN薄膜呈二维层状生长.此外,激光能量密度大小对AlN薄膜的结晶性有显著的影响,激光能量密度过大,薄膜表面粗糙,有颗粒状沉积物生成.在氮气气氛中沉积,能使薄膜的取向由(001)改变为(100......
Characterization of stereostructure by X-ray and technology of extracting in combination hydrolysis in situ of acankoreanogenin from leaves of Acanthopanax gracilistylus W. W. SmithDAI Ling(戴玲), LIU... with a Bruker APEX-Ⅱ area-detector diffractometer instrument and the technology of extracting in combination hydrolysis in situ (ECHS) was compared with these of traditional methods. The crystal belongs......
SiO2-AlN复合材料的介电性能-温度特性和频率特性 李承恩1,吴洁华1,郭景坤1,李包顺1 (1.中国科学院上海硅酸盐研究所,) 摘要:研究了SiO2-AlN复合材料介电性能随测试温度和测试频率变化的温度特性和频率特性,结果说明:SiO2-AlN复合材料的极化机理表现为空间电荷极化.介电性能的温度特性说明1350℃下热压烧结的SiO2-AlN复合材料介电损耗随测试温度基本不变,表现了与SiO2材料相一致的介电稳定性,并基于Debye弛豫方程作了分析.介电性能的频率特性说明极化弛豫普适关系适用于SiO2-AlN复合材料. 关键词:SiO2-AlN复合材料; 介电性能; 温度特性; 频率特性; [全文内容正在添加中] ......
Y2O3和纳米AlN协同作用对氮化铝陶瓷烧结性能及热传导的影响杨清华1,李宏伟1,王焕平1,马红萍2,雷若姗1,徐时清11. 中国计量学院材料科学与工程学院2. 浙江科技学院机械与汽车工程学院摘 要:在微米氮化铝粉体中添加含量为4%的Y2O3和不同含量的纳米AlN粉体制备氮化铝陶瓷,研究了Y2O3和纳米AlN协同作用对微米氮化铝陶瓷烧结性能和热传导性能的影响.结果表明,Y2O3优先与纳米AlN粉体表面的Al2O3反应生成活性较高的第二相Al5Y3O12,相比于Y2O3与微米AlN粉体表面Al2O3反应生成的Al5Y3O12,具有更低的熔化温度及更好的流动性;同时,纳米AlN粉体的高比表面能也促进氮化铝陶瓷的致密化进程.二者的协同作用有效地促进氮化铝陶瓷的致密烧结,改善第二相的微观分布,从而能在较低的烧......
纳米AlN粉末的低温热压 李洪波1,张春祥1,骆俊廷1 (1.燕山大学机械工程学院,亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室,河北秦皇岛,066004) 摘要:研究了纳米AlN陶瓷在1 500~1 700℃的低温热压行为和力学性能.热压温度为1 600℃时,产物是β-AlN和β-Al_2O_3两相共存;当温度提高至1 700℃后,热压过程中出现由β-AlN到α-AlN相的转变.随着热压温度的提高,断裂形式由沿晶断裂逐渐向穿晶断裂转变,致密度逐渐提高,晶粒尺寸长大;当热压温度达到1 700℃时,相对密度为97.3%,晶粒平均直径为850nm,硬度值为15.54GPa,断裂韧度为3.5 MPa·m~(1/2). 关键词:纳米AlN; 热压; 力学性能; nano-sized aluminium nitride; hot pressing; mechanical properties......
J. Cent. South Univ. (2018) 25: 543-549 DOI: https://doi.org/10.1007/s11771-018-3759-y Recycling and depolymerization of waste polyethylene terephthalate bottles by alcohol alkali hydrolysis SUN... hydrolysis method was explored for the preparation of terephthalic acid (TPA) from waste polyethylene terephthalate (PET). First, a series of single factor experiments on the depolymerization rate of waste......
Sm2O3对放电等离子烧结AlN陶瓷致密化和导热性能的影响 余明清1,张联盟2,沈强2,李淘2,李美娟2 (1.中非人工晶体研究院,北京,100083;2.武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,湖北,武汉,430070) 摘要:针对AlN陶瓷难以烧结致密的特点,采用放电等离子烧结(Spark Plasma Sintering,SPS)技术,利用SPS过程中脉冲电流产生局部高温来加强扩散作用,促进颗粒间颈部接触点形成,并通过添加适量烧结助剂Sm2O3,在短时间内实现了AlN陶瓷的烧结致密化.重点研究了烧结助剂Sm2O3的加入量,烧结温度等工艺参数对AlN陶瓷致密化钩毯统潭鹊挠跋?研究发现:Sm2O3的加入使AlN致密化过程提前,烧结温度降低;SPS制备的AlN陶瓷晶粒尺寸均匀一致,晶粒发育良好:烧结过程中Sm2O3与AlN粉体表面的Al2O3膜层在晶界处形成Sm-Al-O化合物......
Antimony recovery from SbCl5 acid solution by hydrolysis and agingLing Meng1,Shen-Gen Zhang1,De-An Pan1,Bin Li1,Jian-Jun Tian1,Alex.-A.Volinsky21. Institute of Advanced Materials and Technology... to recover Sb from the SbCl5 acid solution obtained by the chloride leaching process of the tin-depleted residue. Sb was recovered in the form of hydrated antimony pentoxide through the hydrolysis......
ZrN+AlN+Y2O3复合助烧结剂对Si3 N4陶瓷烧结性能的影响 杨大正1,刘敏3,葛昌纯2,张跃2 (1.鞍钢技术中心冶金工艺所,鞍山,114001;2.北京科技大学材料科学与工程学院;3.鞍钢新钢铁公司热轧带钢厂) 摘要:对比了ZrN+AlN助烧结剂与ZrN+AlN+Y2O3助烧结剂对1800℃,25 MPa下热压烧成Si3N4陶瓷显微结构和力学性能的影响,并着重对ZrN+AlN+Y2O3复合助烧结剂促进Si3N4陶瓷烧结的机理进行了探讨.结果表明:加ZrN+AlN+Y2O3助烧结剂能明显促进Si3N4陶瓷的烧结,提高陶瓷强度,其相对密度可达97.84%,常温弯曲强度为601.21 MPa,断裂韧性达8.9 MPa·m1/2;而加ZrN+AlN助烧结剂的Si3N4陶瓷未致密化. 关键词:ZrN+AlN+Y2O3; Si3N4陶瓷; 助烧结剂; 烧结性能; [全文内容正......
Si(111)和Si(100)衬底上AlN薄膜的激光分子束外延生长特征李雪飞,谢尚昇,何欢,符跃春有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室,广西大学材料科学与工程学院摘 要:采用激光分子束外延技术在Si(111)和Si(100)衬底上制备了AlN薄膜,研究了衬底温度和激光能量对薄膜物相结构和形貌的影响.结果表明:低的激光能量和高的衬底温度有益于薄膜的取向度和表面质量;激光能量为100mJ时,Si(111)衬底上的AlN薄膜呈单一的h-AlN(002)取向,Si(100)衬底上的薄膜在600℃时出现小的h-AlN(100)衍射峰,在700℃时呈微弱的h-AlN(002)取向;在Si(111)衬底上更易生长出取向度高的AlN薄膜.关键词:AlN薄膜;硅;激光分子束外延;晶体结构;......