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毫微秒脉冲相关器应用的GaAs单片超高速模拟开关IC 白锡巍1,王云生1,赵静1,张绵1 (1.信息产业部电子13所,石家庄050051) 摘要:介绍一种GaAs单片超高速模拟开关IC的设计和制备.电路设计采用了独特的开关管导通时栅-源电压跟随和开关管关断时栅-源电压箝位的电路,使开关获得良好的线性和3ns的开启和关断超高速特性,满足了毫微秒脉冲相关信号的处理要求. 关键词:砷化镓; 模拟开关; 集成电路; 相关器; [全文内容正在添加中] ......
0.1-0.3μmX射线光刻技术在GaAs器件制作中的应用 胥兴才1,赵玲莉1,刘训春1,赵静2,张绵2,李兵1,陈朝晖1,叶甜春1,谢常青1,陈大鹏1 (1.中国科学院微电子中心,北京100010;2.信息产业部电子13所,石家庄050051) 摘要:对同步辐射X射线光刻及在GaAsPHEMT器件制作中的应用进行了研究,并制作出栅长0.15μm的AlGaAs/InGaAs/GaAsPHEMT晶体管.研究结果表明,X射线光刻在剥离图形及T型栅结构制作工艺中具有极好的光刻图形质量,在混合光刻工艺中,抑止GaAs合金点的形成是取得良好对准标记的关键. 关键词:X射线光刻; PHEMT; T型栅; [全文内容正在添加中] ......
Metallorganic Vapor Phase Epitaxy of(AlGa)InP on GaAs at Atmospheric PressureHongwen REN Baibiao HUANG Shuqin YU Xian’gang XU Shiwen LIU Minhua JIANG Institute of Crystal Materials,Shandong University,Jinan,250100,China摘 要:<正> High quality (AlGa)InP epilayers lattice matched on GaAs substrates were grown by atmosphericpressure metallorganic vapor......
Chemical Thermodynamic Analysis of Silicon Doping in MOCVD of GaAs System任红文,蒋民华,刘立强,黄柏标摘 要:<正> With chemical thermodynamic method,enthalpies,entropies and heat capacities of(SiH3)nAsH3-n(1≤n≤3),(CH3)mSiH4-m(1≤m≤4)and their radicals were calculated.Homogeneous reactions equilibrium of 65gas phase species in SiH4(or Si2H6)doped MOCVD GaAs by TMG......
Sb掺杂闪锌矿GaAs电子结构和光学性质第一性原理研究宿磊,王旭东,姚曼大连理工大学材料科学与工程学院摘 要:采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法,计算了不同浓度Sb掺杂闪锌矿GaAs体系GaAs1-xSbx(x=0,0.25,0.5,0.75,1)的电子结构和光学性质,包括能带,态密度,复介电函数和吸收系数.计算结果表明,Sb掺杂导致体系晶格常数线性增大,并使得体系导带和价带组成发生改变,禁带宽度呈二次多项式变化.随着掺杂浓度的增加,体系静态介电常数线性增大,吸收带边出现了明显的红移现象.分析了掺杂Sb诱发GaAs1-xSbx体系的电子和光学性质改变,为Sb掺杂闪锌矿GaAs在光电子学和微电子学方面的实际应用提供了一定的理论依据.关键词:第一性原理;Sb掺杂......
Relationship between the Local Vibration Mode Characteristics and the Charge State of Carbon Acceptor in GaAs杨瑞霞,李光平,王琴,何秀坤摘 要:<正> The local vibration mode(LVM)of carbon acceptor in GaAs is studied by measuring directly the changein LVM absorption with a NIC-170 SX FT-IR spectrometer.The change in the charge state of carbon acceptorand......
VGF法GaAs单晶生长中热通量对固液界面形状的影响边义午,郑安生,林泉,龙彪,张廷慧北京有色金属研究总院有研光电新材料有限责任公司摘 要:采用专业的晶体生长模拟软件CGSim模拟了垂直梯度凝固法(VGF)GaAs单晶生长过程中固液界面形状及其变化;分析了生长过程中界面上不同位置的热通量及其变化,并利用能量守恒关系,分析了热通量对固液界面形状的影响,改进了前人在忽略凝固或熔化相变潜热的基础上推导出的固液界面形状和温度梯度之间的数学关系.结果表明:固液界面上各点热通量的不同导致各点生长速度的不同,从而形成偏离程度各异的固液界面形状.采用霍尔效应测量法检测了GaAs单晶中的载流子浓度分布,分析了固液界面形状对晶片电学均匀性的影响.结果表明:对于分凝系数k0<1的溶质,平坦的固液界面,晶片中载流子浓度......
数字模拟法研究坩埚锥角对VGF法GaAs单晶生长的影响王思爱,苏小平,张峰燚,丁国强,涂凡北京有色金属研究总院北京国晶辉红外光学科技有限公司摘 要:坩埚锥角是诱发VGF法GaAs单晶出现孪晶与多晶的重要因素之一,应用数值模拟的方法对其进行了研究与探讨,研究发现,在晶体生长的放肩阶段,坩埚锥角为60°,90...晶体生长的效率,为获得较长的等径部分,需要设计合适的坩埚锥角.选取了90°的坩埚锥角,模拟及实验均证实这一角度即能有效提高单晶成晶率,又能保证一定的晶体生长效率,并生长出直径4英寸的VGF GaAs单晶.关键词:坩埚锥角;GaAs单晶;数字模拟;......
冷速对液态GaAs快速凝固过程中微观结构的影响陈茜,陈庆,梁永超,高廷红,郭笑天,田泽安,谢泉,何帆贵州大学大数据与信息工程学院摘 要:采用分子动力学方法对液态GaAs在六种不同冷速下的快速凝固过程进行模拟,并采用双体分布函数,平均配位数,键角分布函数,二面角分布和可视化等方法对凝固过程的微观结构变化进行分析.结果表明:凝固过程中部分As原子发生偏聚,冷却后形成γ砷(简单立方结构As8),当冷速为1×1010 K/s和2×1010 K/s时,富Ga区域主要是以闪锌矿和纤锌矿为主的晶体结构;当冷速高于5×1010 K/s时,富Ga区域形成以Ga-Ga-Ga和Ga-As-Ga三元环结构为主的非晶无规网络结构.关键词:液态GaAs;凝固过程;冷却速率;微观结构;......
相场法模拟GaAs衬底上InGaAs异质结表面形貌王冠,翁燕华,吴平平厦门工学院材料科学与工程系摘 要:本工作采用相场法模拟GaAs衬底上生长的In0.3Ga0.7As多层异质结构薄膜表面.通过引入多序参量,使用半隐性傅里叶谱方法求解Cahn-Hilliard方程可以求得带缓冲层结构的薄膜表面形貌.计算结果模拟了薄膜生长过程,研究显示,使用In0.15-Ga0.85As缓冲层,厚度从1nm增加到4nm,薄膜表面临界波长从34nm提升到80nm.随着缓冲层的厚度从1nm增加到10nm,使用正弦波表面的模拟结果显示,薄膜表面粗糙度从2.87nm下降到0.43nm,随机叠加波表面的模拟结果也类似,表面粗糙度从1.21nm下降到0.18nm.热力学分析和应变分布分析可以解释缓冲层对薄膜表面形貌演化的作用.该模......