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that the cutoff wave-lengths of InAsSb epilayers reach 4.8 μm. The standard current-voltage (I-V) characteristics with a high differential-resistance-area-product at zero bias (R0A) of 1.02×10-1 Ωcm2 at room......
光诱导液相沉积Ni/Cu应用于晶硅电池栅线的制备宁婕妤,刘邦武,夏洋,李超波中国科学院微电子研究所,微电子器件与集成技术重点实验室摘 要:采用光诱导液相沉积(LIP)的方法制备了Ni,Cu薄膜,并进一步讨论了沉积温度等相关因素对薄膜成分与形貌的影响.采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM),四探针测试仪等分别对薄膜的成分,形貌,电阻率,非均匀性等进行表征.结果显示,制备的Cu膜电阻率为1.87×10-8Ω·m,非均匀性为2.64%.此外,将制备的Ni/Cu工艺应用于制备晶硅电池的栅线电极,用I-V测试仪测试电池参数,填充因子高达77.8%.关键词:镍膜;铜膜;光诱导电沉积;表征;制备;......
铜箔形貌对石墨烯生长质量影响的表面氧化法评判梁勇明,周建新,张芸秋南京航空航天大学材料科学与技术学院纳智能材料器件教育部重点实验室机械结构力学及控制国家重点实验室纳米科学研究所摘 要:采用简化的电化学抛光工艺得到了具有平整表面的铜箔,然后分别以电化学抛光前后的铜箔为基底,通过化学气相沉积法制备了石墨烯,利用原子力显微镜,光学显微镜,扫描电镜,电子能谱仪,拉曼光谱和I-V特性电学测试仪等研究了铜箔表面形貌与石墨烯质量的关联,并通过表面氧化法来判断石墨烯是否在基底上生长完全.结果表明:在抛光铜箔上生长的石墨烯缺陷较少,形貌完整,并且导电性能明显提高;表面氧化法可以快速准确判断石墨烯的生长质量.关键词:化学气相沉积法;石墨烯;铜箔;表面氧化法;......
CdZnTe像素探测器表面的氧离子刻蚀工艺孙玉宝,傅莉,任洁,査钢强西北工业大学凝固技术国家重点实验室摘 要:本文报道了CdZnTe像素探测器电极的氧离子刻蚀工艺.通过I-V特性,PL谱以及XPS等实验结果分析了氧离子刻蚀对CdZnTe表面成分,缺陷以及漏电流的影响.研究结果表明,表面氧离子刻蚀在CdZnTe晶体表面形成了致密氧化层.刻蚀功率过大时,刻蚀过程中氧离子轰击会对CdZnTe晶体表面造成损伤,使表面漏电流急剧增大.减小刻蚀功率,延长刻蚀时间,可以增强刻蚀过程中的化学作用,减少CdZnTe晶片的表面氧化与损伤,使表面漏电流降低.关键词:氧离子刻蚀;CdZnTe晶片;表面性能;......
CuO掺杂对WO_3压敏电阻微结构和电学性能的影响 王豫1,花中秋2,陈汉军1,赵洪旺1,董亮2,李统业2 (1.西南交通大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610031;2.西南交通大学,超导研究开发中心,四川,成都,610031) 摘要:研究了CuO掺杂对WO_3压敏电阻微结构和电学行为的影响,样品采用传统的陶瓷工艺制备.微结构通过扫描电子显微镜(SEM)观察,相结构和成分借助于X射线衍射(XRD)和能谱(EDS)进行分析.结果表明,微量的CuO掺杂能够促进WO_3陶瓷的致密化和晶粒生长.根据I-V特性测量结果,0.2%(摩尔分数)CuO掺杂的WO_3陶瓷具有线性伏安特性和极小的电阻率.CuO含量的继续增加使样品的非线性电学行为和电阻率又获得恢复,这是因为偏析于晶界处的CuO与两侧的晶粒形成了n-p-n型的双肖特基势垒. 关键词:压敏电阻; 导电陶瓷; WO_3; CuO......
新型NPC电池阳极材料:PbTiO3纳米晶薄膜的制备及其光电性能研究 马莹1,孙炜岩1,张密林1,王君1,刘天孚1,李占双1,王江1 (1.哈尔滨工程大学,材料科学与化学工程学院,黑龙江,哈尔滨,150001) 摘要:采用溶胶-凝胶法制备四方相PbTiO3薄膜,考察了焙烧温度及焙烧时间对所制备的PbTiO3薄膜的晶体结构及晶型的影响,并借助XRD,TG-DSC,TEM,HRTEM,UV-vis,I-V等手段对其晶型结构,结晶度及光电性能等进行表征.XRD结果表明所制备的PbTiO3薄膜为具有钙钛矿结构的四方晶相,且结晶度良好;TEM和HRTEM显示晶体平均粒径为20nm,晶体生长取向于[110]晶面; UV-vis吸收光谱结果表明,PbTiO3薄膜在整个可见光区域内对光均有吸收;光电化学性能测试结果显示,PbTiO3薄膜的开路电压为566mV,填充因子为0.497,其光电性能优于......
Cu/Ag导电薄膜与高阻CdZnTe的接触性能研究 李阳平1,张兴刚1,孙金池1,崔虎1,刘正堂1 (1.西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072) 摘要:采用射频磁控溅射法在高阻Cd0.9Zn0.1Te上制备了Cu/Ag导电薄膜,通过测量I-V曲线来评价接触性能.讨论了溅射功率和衬底温度对接触性能的影响,结果表明在两种不同功率下制备的薄膜不经过热处理已具有良好的欧姆接触性能,随着衬底温度的升高欧姆接触性能有所下降.通过对衬底的表面处理降低了表面漏电流.对试样进行退火处理使接触性能有所改善,退火温度在300℃时的接触性能要好于420℃.利用红外透过率来验证了退火温度范围及所选择加热衬底温度对高阻Cd0.9Zn0.1Te衬底没有影响. 关键词:Cu/Ag导电薄膜; Cd0.9Zn0.1Te晶体; 接触; 磁控溅射; [全文内容正在添加中] ......
氧对CIS薄膜太阳能电池开路电压的影响 卢志超1,周少雄1,胡小萍1,方玲1,阎有花1,李艳萍1,侯立婷1,朱景森1,刘迎春1 (1.中国钢研科技集团公司,安泰科技股份有限公司,北京,100081) 摘要:采用硫化Cu-In前驱膜的方法制备CuInS2薄膜,通过分析CIS薄膜制备过程中不同阶段样品中的氧,讨论了氧的来源及其存在形态,以及对CIS层开路电压可能造成的影响.用扫描电镜(SEM)和能量色散谱仪(EDS)研究前驱膜的形貌及其成分,用X射线衍射仪(XRD)表征薄膜的结构,用俄歇电子能谱(AES)对硫化薄膜中各元素沿深度方向的分布进行了检测,最后用I-V测试仪对硫化膜的开路电压进行测量.结果表明,CuInS2薄膜中的氧来源于Cu-In前驱膜,氧主要以Cu2In2O5的形式存在于CIS/Cu-In界面处,由于氧化物在硫化反应过程中影响了Cu和In向外表面的扩散,从而影响了CIS薄......
掺杂SnS薄膜的制备及电学性能 夏义本1,史伟民1,郭余英1,魏光普1,邱永华1 (1.上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系,上海,200072) 摘要:硫化锡(SnS)具有很高的光吸收系数和合适的禁带宽度,又无毒性,因此在太阳电池等光电器件中具有潜在应用价值.本文用真空蒸发法制备掺杂的SnS薄膜,掺杂源有Sb,Sb2O3,Se,Te,In,In2O3,Se和In2O3的混合物.对各种掺杂SnS薄膜的厚度,电流-电压(I-V)特性等进行了表征,并计算了其电阻率和光电导与暗电导的比值(Gphoto/Gdark).结果表明较有效的掺杂源是Sb,Sb掺杂的薄膜电阻率比纯薄膜的电阻率降低四个数量级,Gphoto/Gdark增加约一倍.同时,研究了Sb掺杂量对SnS薄膜电学性能的影响,表明Sb的最佳掺入量约为1.3wt%~1.5wt%. 关键词:硫化锡; 太阳电池; 掺杂; 真空蒸发......
脉冲激光沉积氮化铝薄膜的电学性能研究 门传玲1,林成鲁2 (1.上海理工大学动力学院,上海,200093;2.中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050) 摘要:采用脉冲激光沉积(PLD)技术在硅片上合成了AlN薄膜.X射线衍射(XRD)结果证实制备的AlN薄膜具有(002)择优取向的六方纤锌矿晶体结构,并且结晶质量随Si衬底温度的提高而改善.电流-电压(I-V),电容-电压(C-V),极化曲线结果表明室温生长的AlN薄膜的击穿场强约2.5MV/cm,同时呈现明显的极化现象(类铁电),对应矫顽场强为150kV/cm,剩余极化为0.002C/m2.晶态AlN存在较强的自发极化,薄膜中可动电荷密度高,据此提出了动态电荷模型,指出较大的AlN薄膜极化回线是由于可动电荷在电场中的再分布形成的,因而有别于铁电材料. 关键词:AlN薄膜; 极化; 电学性能......