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Al-P中间合金变质+半连续铸造技术制备过共晶Al-17Si合金铸锭梁博1,张志峰1,陈春生1,徐骏1(1.北京市北京有色金属研究总院国家有色金属复合材料工程技术研究中心)摘 要:采用Al-P中间合金变质+半连续铸造技术制备了初生硅细小且分布均匀的过共晶Al-17Si合金铸锭.结果表明,Al-P中间合金变质剂主要作用是改变合金中初生硅的形貌,使其由板片状转变为近球状,细化初生硅.使用Al-P中间合金操作简单,变质效果好且稳定,使用该中间合金无渣,无污染,提高合金的实收率.从时间上看可以完全省去变质处理过程,节约能源,降低铝耗.关键词:金属材料； Al-P中间合金； 半连续铸造技术； 初生硅......
以Q4(2Al)形式存在,Al则以四次配位为主.实验结果为进一步揭示矿物聚合材料的形成机理,改善制品的性能奠定了良好基础. 关键词:矿物聚合材料; 核磁共振; 硅铝存在状态; mineral polymer; MAS-NMR; existence state of Si and Al; [全文内容正在添加中] ...利用核磁共振对矿物聚合材料中硅铝存在状态的研究 李凤久1,刘淑贤1,牛福生1,夏茂辉3,聂轶苗1 (1.河北理工大学资源与环境学院,唐山063009;2.河北省矿业开发与安全技术实验室,唐山063009;3.同方威视股份,北京,100084) 摘要:矿物聚合材料具有良好的性能,可用来代替部分硅酸盐水泥制品.利用变高岭石制备得矿物聚合材料制品,根据核磁共振测试分析,研究了该材料固化过程中硅......
PECVD制备嵌埋在硅槽中的硅反Opal结构 李宇杰1,韩喻1,谢凯1,许静1 (1.国防科学技术大学材料工程与应用化学系,长沙,410073) 摘要:摸索了利用PECVD方法制备嵌埋于硅槽中Si反Opal结构的工艺条件,探索性研究了射频功率,气体流量,反应室压力,沉积时间和Opal基底状态对填充效果的影响.结果显示射频功率越小,流量越低,反应室压力越大,则反应速率越低,Opal结构内外填充越均匀.同时,在[SiHm]自由基扩散通道不被堵塞的前提下,沉积时间越长,Opal结构排列越规整,则整体填充越致密,越有利于反Opal结构的形成. 关键词:PECVD; 反Opal结构; Si凹槽; [全文内容正在添加中] ......
金属辅助化学刻蚀法制备硅纳米线的研究进展王盼1,2,童领1,2,周志文1,2,杨杰1,2,王茺1,2,陈安然2,3,王荣飞1,2,孙韬2,3,杨宇2,31. 云南大学材料科学与工程学院光电信息材料研究所2. 云南大学国家光电子能源材料国际联合研究中心3. 云南大学能源研究院摘 要:硅纳米线(Si NWs)由于具有独特的一维结构,热电导率,光电性质,电化学性能等特点,被广泛应用于热电与传感器件,光电子元器件,太阳能电池,锂离子电池等领域.金属辅助化学刻蚀法(MACE)是制备Si NWs的常用方法之一,具有操作简便,设备简单,成本低廉和高效等优点,可大规模商业化应用,因而近年来被广泛研究.金属辅助化学刻蚀制备硅纳米线的过程可以分为两步:首先在洁净的硅衬底表面沉积一层金属(Ag,Au,Pt等)纳米颗粒,以催......
3-氨基三乙氧基硅烷偶联剂修饰Si基高性能锂离子电池负极材料李肖1,2,宋燕2,田晓冬1,2,王凯1,2,郭全贵2,刘朗21. 中国科学院大学2. 中国科学院山西煤炭化学研究所中国科学院炭材料重点实验室摘 要:为了提高硅碳复合材料中硅的使用效率,使用3-氨基三乙氧基硅烷偶联剂(3-APTS)对硅纳米颗粒进行表面修饰,制备了3-APTS-Si@C/G复合材料.采用SEM,TEM,FT-IR,TGA,Raman等对材料微观形貌,结构及组分进行表征.结果表明,3-APTS对硅纳米颗粒有良好的分散作用,没有发现明显的硅颗粒团聚现象.3-APTS-Si@C/G复合材料呈现yolk-shell结构,其作为锂离子电池负极材料表现出优异的电化学性能.在100 m A·g-1的电流密度下,首次可逆容量为1 699 m......
Si对Cu/Al冷轧复合界面组织与力学性能的影响常东旭,王平,龚潇于,王泽宇,苗龙,李宝棉东北大学材料电磁过程研究教育部重点实验室摘 要:通过铝层Si合金化手段,制备了Cu/Al-Si合金冷轧复合带.利用金相显微镜,扫描电镜,万能材料试验机等仪器,研究了不同Si含量对Cu/Al-Si合金冷轧复合带界面扩散层厚度,界面结合强度,界面和基体处的显微硬度以及再结晶组织等的影响规律.结果表明,铝层中一定量的硅合金化可以起到阻碍铜铝原子互扩散,抑制铜铝金属间化合物的生长,提高铝侧基体显微硬度以及细化晶粒等作用,但是在高温,长时间热处理条件下,硅会降低界面的结合强度.关键词:冷轧复合;铝硅合金;界面;化合物;性能;......
炼钢铁水中硅的来源宋建成,丁汝才北京科技大学冶金系摘 要:在前人研究的基础上,用实验模拟高炉滴落带的方法,对硅的还原过程中目前尚未清楚的[Si]的主要来源问题进行了研究,确定了焦炭灰分中SiO2是炼钢生铁中[Si]的主要来源,并在实验条件下,定量得出灰分中SiO2对铁水中[Si]的贡献大约占70％左右.关键词:低硅铁;滴落带;软熔带;硅;......
粉末冶金法制备非正分La1+x(Fe,Si)13磁制冷材料研究王蕾,叶荣昌,刘晓霞,李金兰,刘鹏举,龙毅北京科技大学材料科学与工程学院摘 要:以工业生产高纯铁粉,硅粉以及LaFeSi合金粉为原料,采用粉末冶金法制备了非正分La1+xFe11.5Si1.5(x=0, 0.05, 0.15, 0.25, 0.35..., 2 T下磁熵变降低为15.7 J·kg-1·K-1,有效制冷能力下降为130.31 J·kg-1.关键词:La1+x(Fe,Si)13;磁制冷材料;粉末冶金;磁熵变;......
硅合金化ZA27合金的阻尼性行为 徐春杰1,张忠明1,刘宏昭1,王锦程2 (1.西安理工大学,材料科学与工程学院,陕西,西安,710048;2.西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072) 摘要:硅合金化ZA27合金具有良好的耐磨性能,但其阻尼性能(Q-1)研究尚不深入.本文利用多功能内耗仪研究了铸态ZA27合金和向ZA27合金中加入4%Si的合金(下称ZA27-4%Si合金)的阻尼行为和相对动态模量,分析了两种合金的阻尼机理.结果表明两种合金的阻尼性能随频率降低和温度升高而增大,阻尼值不随应变振幅变化.ZA27合金和ZA27-4%Si合金具有较高的阻尼性能,在0.1Hz下,合金的室温阻尼分别为6.87×10-3与5.83×10-3.合金的相对动态模量随应变频率提高而增大.100℃以下,ZA27-4%Si合金的相对动态模量不随温度变化.研究表明合金的阻尼是由合金......
AlSi中间合金中Si的光电光谱分析法庞淑萍东北轻合金有限责任公司!黑龙江哈尔滨150060摘 要:Ａｌ Ｓｉ 中间合金中Ｓｉ 的分析一般用化学容量法,此法操作过程繁琐,消耗大量的人力,物力,且分析时间长.Ａｌ Ｓｉ 间合金中Ｓｉ 的光电光谱分析方法突破了高硅化学法分析的常规.试验中解决了标样,日常标准化控样两大难题,确定了适宜的分析条件,分析结果达到了化学分析的准确度.Ｓｉ 的绝对误差为±１－５ ％ ,相对误差为６％ ,完全能满足生产要求.关键词:标样;标准化控样;铝硅中间合金;硅含量;光电光谱分析;......
