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杂质泵过流件用高分子材料刘超锋,许培援,方少明摘 要:简介了关注杂质泵过流部件用材料的必要性.介绍了高分子材料在杂质泵过流件应用的最新研究成果.其应用包括:隔膜泵隔膜,叶轮,活塞,活塞皮碗,泵的衬里,抗磨环及用于工业修补剂的塑料粘结剂.关键词:杂质泵;过流件;高分子材料;......
of ores and bacterial strains. Under such leaching conditions as the initial pH value of 1.5, temperature of 50℃, pulp density of 5%, particle size less than 35.5μm (over 90%) and inoculating the adapted strains of MLY, the leached Zn is over 95% after 10d of bioleaching. SEM observations show the cell attachment and the surface features of solid residues under different leaching conditions. XRD......
预浸出对高杂质硫化铜精矿杂质脱除的影响施友富1,张正阳2,杨永强2,孙留根21. 中国有色金属建设股份有限公司2. 矿冶科技集团有限公司摘 要:针对采用硫酸化焙烧-浸出-直接电积工艺处理高杂质硫化铜精矿时,杂质含量高,不能满足电积工艺要求的问题,通过在该工艺之前增加预浸出工序,预先脱除精矿中的部分主要杂质,避免或减少杂质对后续工序的影响.采用正交试验法研究了预浸过程中酸矿比,温度,时间和液固比对杂质Cu,Co,Fe,Mn浸出率的影响.在此基础上,采用单因素试验法进一步优化了工艺参数条件.结果表明,增加预浸出......
="ChDivSummary">For a better understanding of the strains and stresses,numerical simulation was conducted by using ANSYS under the assumption of absolute bond between the steel and concrete.The results show that the stresses and strains in such concrete and steel rings are uneven;the curves of strains and stresses change gradually around the interface.To ease numerical computation,the mechanical......
particles (Figs. 3 and 4(a)). Increasing of the hardness lowers the possibility of adhesion between contacting asperities and improves the substrate potential to resist against surface plastic strains......
ICP-AES法测定RhCl3中微量杂质元素 赵云昆1,王应进2,罗一江2,方卫2,刘伟2,侯文明2 (1.昆明贵金属研究所,云南,昆明,650106;2.贵研铂业股份有限公司,云南,昆明,650106) 摘要:用等效浓度差减法扣除Rh基体对杂质元素测定的干扰,用ICP-AES测定了RhCl3化合物中13个杂质元素含量.方法操作简便,快速,避免了直流电弧发射光谱分析方法烦琐的操作步骤并节约了大量的Rh基体,在精密度和准确度上也优于直流电弧发射光谱法.方法检测范围:Pb,Sn为0.003%~0.3%;Mg,Cu为0.0005%~0.05%;Fe,Ni,Cr,Zn,Al为0.001%~0.1......
DC ARC发射光谱法测定纯金中18个杂质元素 陈洪泽1 (1.国内贸易部物资再生利用研究所,江苏,徐州,221006) 摘要:用DC ARC发射光谱法研究了纯金中杂质元素的定量分析方法,配制了一套适合贸易,科研,生产的光谱标样.本方法可以一次定量测定纯金中18个杂质元素,还进行了检出限和测量不确定度实验,结果表明方法的检出限较低,不确定度低,各杂质元素的相对标准偏差一般<10%,检测方法具有准确度高,检测速度快,效率高的特点. 关键词:分析化学; DCARC; 发射光谱; 纯金; 检测; 杂质元素; [全文内容正在添加中] ......
原子发射光谱法测定锇中21个杂质元素 方卫1,刘伟1 (1.贵研铂业股份有限公司,云南,昆明,650221) 摘要:研究了用原子发射光谱法同时测定锇中21个杂质元素的分析方法.基于锇易与氧反应生成四氧化锇气体挥发的特性,采用加热挥发分离锇基体,碳粉捕集杂质元素,直流电弧激发摄谱和计算机控制测光仪进行自动测定.实验考查了样品处理,测定条件和方法准确度.在660℃下恒温1.5h可使锇基体挥发至<0.1%,而杂质元素不损失.测定了3个杂质含量不同的校样,测定百分误差均≤25%.方法简便快速,测定结果令人满意. 关键词:分析化学; 纯锇; 杂质元素; 原子发射光谱法; [全文内容正在添加中......
发射光谱法同时测定纯铂中21个杂质元素 赵云昆1,方卫1,刘伟1,杨玉芳1 (1.昆明贵金属研究所,中国昆明,650221) 摘要:本文结合国内外各分析方法的长处,对纯铂中杂质元素的测定进行了研究,采用粉末试样直流电弧激发摄谱,同时测定了纯铂中的21个杂质元素,各元素测定的相对标准偏差≤25%.方法简便,适用范围广,可用于99.9%~99.995% Pt中杂质元素的分析. 关键词:纯铂; 杂质元素; 发射光谱; [全文内容正在添加中] ......
氧杂质致Ti-Si-N薄膜高硬度损失的机理 徐可为1,马大衍1,薛其坤2,马胜利1 (1.西安交通大学金属材料强度国家重点实验室,西安,710049;2.中科院物理所表面物理国家重点实验室,北京,100080) 摘要:基于纳米复合Ti-Si-N薄膜硬度对界面相微结构及微尺度变化极为敏感的实验事实,定量表征了薄膜的硬度与氧杂质含量的关系.结果表明,与高纯度薄膜40-55 GPa高硬度比较,1%-1.5%的氧杂质含量导致薄膜的硬度下降到30 GPa左右.根据纳米晶界面原子模型和实验结果,氧杂质与纳米尺度界面交互作用所引发的微尺度缺陷是硬度下降的诱因,晶界面的氧杂质密度是薄膜高硬度损失程度的决......