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28 July 2006; accepted 15 September 2006 Abstract: 2024 aluminum matrix composites reinforced with different size AlN particles (0.5, 4 and 10 μm) were fabricated by the squeeze-casting technology... sequence of AlNp/2024Al composites is similar to that of the matrix alloy aged at 160 and 190 ℃,but the age hardening rate of composites is improved, and the AlN particles with large size promote......
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AlN压电薄膜研究进展 刘吉延1,斯永敏1 (1.国防科技大学航天与材料工程学院,长沙,410073) 摘要:介绍了AlN压电薄膜的研究现状,着重突出了AlN薄膜的制备方法,择优取向结构及表面形貌等方面的研究,尤其对脉冲激光沉积工艺(PLD)镀膜的基本原理和过程,分别采用周期价键链(PBC)理论和断键模型对薄膜晶面择优取向机理的分析作了较为详细的探讨.最后简单讨论了AlN压电薄膜研究的发展趋势. 关键词:AlN; 压电薄膜; 择优取向; 脉冲激光沉积; [全文内容正在添加中] ......
原位自反应合成AlN粉体 王文忠1,陈克新2,汪雨荻2,周和平2,邹宗树1,金海波2 (1.东北大学材料与冶金学院,沈阳110006;2.清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084) 摘要:探讨了利用原位自反应技术合成AlN粉体的可行性.通过化学成分分析,X射线衍射及扫描电镜等检测手段对氮化产物进行表征,并对氮化反应热力学及合成条件对氮化反应的影响进行了分析.实验结果表明,AlN粉体原位自生法可降低合成温度,简化合成工艺.所合成的AlN粉体具有纯度高,氧含量低,以及经粉化处理后粒度较均匀,细小等特点. 关键词:铝合金; AlN; 原位自反应; 氮化; [全文内容正在添加中] ......
碳热还原法制备AlN超微粉工艺和材料研究 赵志江1,孙旭东1,林生2 (1.东北大学材料与冶金学院,沈阳,110004;2.钢铁研究总院粉末冶金研究室,北京,100081) 摘要:以勃母石(γ-AlOOH)和蔗糖为原料,采用碳热还原法在1480℃,N2气氛中保温60min,制备出平均粒径为350nm的AlN粉.勃母石,蔗糖在高温作用下分解成粒度小,活性大的γ-Al2O3和C,有效降低了反应激活能,提高了反应效率,降低了反应温度,缩短了反应时间.其反应合成机理为:在高温下,部分Al2O3被C还原成气态Al 和Al的低价氧化物(Al2O,AlO),它们与N2直接反应生成AlN和中间相AlON.随着反应的进行,中间相AlON逐步生成AlN. 关键词:勃母石(γ-AlOOH); 蔗糖(C12H22O11); AlN粉体; 碳热还原法; 反应机理; [全文内容正在添加中] ......
纳米AlN粉末的低温热压 李洪波1,张春祥1,骆俊廷1 (1.燕山大学机械工程学院,亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室,河北秦皇岛,066004) 摘要:研究了纳米AlN陶瓷在1 500~1 700℃的低温热压行为和力学性能.热压温度为1 600℃时,产物是β-AlN和β-Al_2O_3两相共存;当温度提高至1 700℃后,热压过程中出现由β-AlN到α-AlN相的转变.随着热压温度的提高,断裂形式由沿晶断裂逐渐向穿晶断裂转变,致密度逐渐提高,晶粒尺寸长大;当热压温度达到1 700℃时,相对密度为97.3%,晶粒平均直径为850nm,硬度值为15.54GPa,断裂韧度为3.5 MPa·m~(1/2). 关键词:纳米AlN; 热压; 力学性能; nano-sized aluminium nitride; hot pressing; mechanical properties......
烧成制度对AlN陶瓷性能及显微结构的影响姚义俊,万韬瑜,刘斌,张乐彬,李军南京信息工程大学物理与光电工程学院摘 要:为了制备结构致密的Al N陶瓷,在Al N粉末中加入2%(w)的Y2O3,经细磨,造粒,成型烘干后,在热压炉内于氮气气氛中1 8001 950℃分别保温14 h无压烧结制得Al N陶瓷,并研究了烧成温度和保温时间对Al N陶瓷致密度,导热性及显微结构的影响.结果表明:随着烧成温度的提高和保温时间的延长,添加Y2O3的Al N陶瓷的晶粒趋于均匀,显气孔率下降,致密化程度提高;当烧成温度为1 850℃,保温时间达到2 h时,Al N陶瓷的相对密度达到99.8%,热导率达到94.8 W·(m·K)-1.关键词:AlN陶瓷;氧化钇;烧成制度;保温时间;致密度;热导率;......
衬底温度对直流磁控溅射沉积AlN薄膜组织结构的影响 李绍禄1,门海泉1,李德意1,周灵平1,刘新胜1 (1.湖南大学,材料科学与工程学院,湖南,长沙,410082) 摘要:采用直流反应磁控溅射法在不同衬底温度(20~490 ℃)下沉积了AlN薄膜,用XRD分析了薄膜的择优取向,用高分辨场发射扫描电镜来表征了薄膜的表面型貌.实验结果表明,当衬底处在20 ℃冷却的样品台沉积AlN时其上没有晶态的薄膜生成;衬底处于等离子体自加热时,薄膜具有混合的取向;随着温度的升高,薄膜的(002)晶面择优取向度逐渐增大,薄膜的结晶度越来越高,同时更加致密化.当温度到达 400 ℃时,(002)晶面取向度达到最大.温度达到490 ℃时,薄膜再度出现了明显的(100),(101)晶面的衍射峰. 关键词:AlN薄膜; 衬底温度; 择优取向; 表面形貌; 反应磁控溅射; [全文内容正在添加中] ......
热压烧结AlN陶瓷 叶昌1,李益民2,陈曙光1,黄伯云2,匡加才2 (1.长沙理工大学材料科学与工程学院,湖南,长沙,410076;2.中南大学粉末冶金国家重点实验室,湖南,长沙,4100831) 摘要:以自蔓延高温合成(SHS)的AlN粉体为原料,以Y203-B20O-CaF2和YF3-B-CaF2系为烧结助剂,采用热压烧结工艺制备AIN陶瓷.结果表明,采用烧结助剂,在1750℃,压力为35 MPa,保温2 h的烧结条件下,可获得相对密度均98.8%,热导率为95W/(m·K)的AIN烧结体.通过对AlN试样断口的SEM分析可知:AlN晶粒大多呈直接结合,晶界相较少,有少量气孔存在.对AlN陶瓷进行后续热处理可提高其热导率,这主要是由于后续热处理后AlN陶瓷的晶界比较干净,AlN晶粒间呈直接结合而晶界相呈孤岛状分布. 关键词:热压烧结; AlN; 热导率; 显微结构; [全......