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CdGeAs_2晶体的蚀坑形貌观察 邓江辉1,郭楠1,何知宇1,赵北君1,李佳伟1,朱世富1 (1.四川大学,材料科学与工程学院,成都,610064) 摘要:采用金相显微镜和扫描电镜观察了垂直布里奇曼法生长的新型红外非线性光学晶体砷锗镉(CdGeAs_2)单晶片(101)面蚀坑形貌.选择机械研磨,物理抛光及质量分数为3%溴甲醇在室温下对晶片化学抛光1min左右的工艺,获得了表面平整无划痕的CdGeAs_2晶片.报道了一种新的CGA晶体择优腐蚀剂,其组成为HCl∶HNO_3∶H_2O=1∶1∶1(体积比),室温下腐蚀晶片30s左右后在金相显微镜和扫描电镜下观察到CdGeAs_2晶体(101......
枝状晶体铜的电化学制备 陶菲菲1,徐正2 (1.绍兴文理学院化学化工学院,浙江,绍兴,312000;2.南京大学,配位化学国家重点实验室,南京,210093) 摘要:以CuCl2为前驱体,十二烷基硫酸钠(SDS)为添加剂,采用电化学沉积方法,在室温条件下,成功地制得了Cu的枝状晶体.用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对枝晶铜进行了形貌和物质结构的表征;制得的枝晶铜尺寸达到微米级,为面心立方晶相.通过研究各实验参数.如电沉积时间,电位和十二烷基硫酸钠(SDS)的浓度对枝状晶体形貌的影响,发现枝晶铜的生长过程经历了成核-生长-再生长的过程. 关键词:枝状晶体; 铜; 电化学......
ZnO纳米片状晶体的生长及其表征 马淑芳1,韩培德1,孙彩云1,梁建1 (1.太原理工大学材料科学与工程学院,山西,太原,030024) 摘要:采用高温碳热还原反应工艺,以氧化锌和碳粉为主要原料,在N2/H2O气氛中制备成功ZnO纳米片状晶体.所制薄片直径在100nm,厚度约50nm.采用场发射扫描电子显微镜(FESEM),高分辨透射电子显微镜(HETEM),X射线衍射分析仪(XRD),拉曼(RAMAN)光谱等测试手段对产物进行表征.结果表明产物为ZnO,呈单一六角晶系纤锌矿结构,在相同的反应时间内,提高反应温度可使纳米片生长为六角塔状晶体,证实ZnO纳米片是六角平板状结构. 关键词:......
大直径Hg3In2Te6晶体生长与性能表征 王涛1,介万奇1,罗林1,傅莉1,王新鹏1,孙晓燕1 (1.西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072) 摘要:采用垂直布里奇曼法,成功生长出大直径Hg3In2Te6(θ=30mm)晶体.通过傅立叶红外透射光谱测试了晶锭不同部位的红外透过率,并利用X射线双晶摇摆曲线表征了晶体的结晶质量.结果表明,定向切割晶片为(111)面单晶,衍射峰位于θ=12.1665°处,半峰宽为0.0760°;中部单晶片红外透过率平均值为50%,接近Hg3In2Te6晶体的红外透过率最大值57%.位错和成分非均匀性是造成晶锭不同部位红外透过率差异的主......
在RHEED实时监控下GaAs晶体生长研究 何浩1,邓朝勇1,丁召1,贺业全1,杨再荣1,周勋1,罗子江1 (1.贵州大学,理学院,贵州,贵阳,550025;2.贵州师范大学,物理与电子科学学院,贵州,贵阳,550001;3.贵州财经学院,教育管理学院,贵州,贵阳,550004) 摘要:采用分子束外延技术,利用RHEED图像可研究GaAs表面重构方式和生长机制.报道了一种新型的分子束外延方法,在RHEED实时监控下,利用GaAs(001)基片同质外延GaAs.通过改变生长和退火的时间与温度(420,500,580℃),结合RHEED图像演变与GaAs表面平整度(粗糙化)的联系,得到表面原......
快速生长KDP晶体中的包裹体 钟德高1,李晓兵1,陈沙鸥1,滕冰1,翟仲军2,于正河1 (1.青岛大学,物理科学学院,山东,青岛,266071;2.山大华特晶体材料事业部,山东,济南,250101) 摘要:利用底部热能输入晶体生长装置进行了KDP晶体快速生长,晶体生长速度达25mm/d.利用激光透射成像法,断面显微观察,SEM及电子能谱对快速生长晶体中的各种包裹体进行了观察,分别观察到了平行于生长面的层状包裹及其分布,线形排列的液相包裹以及微观包裹体的形貌,尺度和分布等,讨论了快速生长KDP晶体中包裹体出现的条件,分析了这些包裹体形成的原因. 关键词:KDP晶体; 快速生长; 包裹体;......
HgInTe晶体的生长及其性能研究 介万奇1,董阳春1,王领航1 (1.西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072) 摘要:利用垂直Bridgman法生长了HgInTe单晶体,并采用X射线衍射分析,FT-IR光谱分析对晶体的形态结构及红外透过性能进行了检测,结果表明所生长的晶体是高质量的单相完整单晶体,其在400~4000cm-1范围内的红外透过性能较好,达到50%~55%,晶体对红外光的吸收主要为晶格吸收和自由载流子吸收引起的. 关键词:HgInTe; 晶体生长; 垂直布里奇曼法; 光电半导体材料; 近红外探测器; [全文内容正在添加中] ......
纳米钛酸钡陶瓷的晶体结构 肖长江1,靳常青2,王晓慧3 (1.河南工业大学,材料科学与工程学院,河南,郑州,450007;2.中国科学院物理研究所,北京,100080;3.清华大学,材料科学与工程系,新型陶瓷和精细工艺国家重点实验室,北京,100084) 摘要:致密的平均尺寸约为30nm钛酸钡陶瓷由压力辅助烧结得到.在变温Raman光谱的基础上,用Rietveld精修方法成功地确定了纳米钛酸钡陶瓷的晶体结构.在室温下,在30nm钛酸钡陶瓷中观测到四方相和正交相的多相共存.这种现象可以用相变产生的内应力来解释. 关键词:纳米钛酸钡陶瓷; 晶体结构; Raman光谱; Rietveld精修......
ZnGeP2多晶料合成与晶体生长 王继扬1,葛文伟1,刘宏1,林彦霆1,胡小波1,张怀金1,房昌水1,顾庆天1 (1.山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100) 摘要:以99.999%的锌,锗和红磷为原料通过直接化合的方法合成ZnGeP2多晶料,采用布里奇曼法通过自发成核方式生长出尺寸为Ф7mm×25mm的ZnGeP2晶体.X射线粉末衍射实验表明合成的多晶料的成分是ZnGeP2,所获ZnGeP2晶体的结构属于四方晶系,空间群I42d.X射线摇摆曲线表明所得晶体完整性较好.用莫氏硬度计测得ZnGeP2晶体的莫氏硬度为6.5.测量了晶体的热重和差热曲线,证明在室温~800℃......
SiO2/CdS光子晶体的制备及其光学性能 介万奇1,陈福义1,蔡小梅1 (1.西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072) 摘要:用化学浴沉淀法(CBD)在SiO2胶体晶体中生长了CdS半导体材料, 并用UV-VIS-NIR光谱仪和荧光光分度计测试了其光学性能.测试结果表明,在SiO2胶体晶体中随着CdS填充量的增加,光子带隙向长波段方向移动且变宽;当发射出的光与基体材料的光子带隙相匹配时,可控制半导体材料的光致发光,同时,可通过控制SiO2胶体颗粒粒经的大小来调节CdS的光致发光性能. 关键词:光子晶体; 化学浴沉淀; 光子带隙; 光致发光; [全文内容正在添加中] ......