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GaAs材料ICP刻蚀中光刻胶厚度及刻蚀条件对侧壁倾斜度的影响孙丽媛,高志远,张露,马莉,吴文蓉,邹德恕北京工业大学北京光电子技术教育部重点实验室摘 要:使用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术刻蚀GaAs材料,在光刻过程中采用不同厚度的光刻胶,研究在同一刻蚀条件下不同光刻胶厚度对刻蚀图形侧壁倾斜度的影响,并研究了光刻胶厚度对侧壁倾角影响在不同大小图形刻蚀中的尺寸效应,提出了关于刻蚀机理的尺寸增益现象及可能发生的刻蚀离子的散射模型,解释了光刻胶厚度较大时小线宽图形侧壁倾角变化明显的现象.在研究光刻胶厚度对侧壁倾角影响的基础上,研究了不同ICP刻蚀选择比对GaAs样品刻蚀后侧壁倾角的变化的影响,并从GaAs干法刻蚀机理及刻蚀条件对ICP刻蚀过程中的化学,物理反应的影响来解释这一现象.关键词......
离子束外延生长(Ga,Mn,As) 化合物 廖梅勇1,杨少延1,何宏家1,陈诺夫1,柴春林1,刘志凯1,杨君玲1 (1.中国科学院半导体研究所) 摘要:利用质量分离的低能双离子束外延技术,得到了(Ga,Mn,As) 化合物.衬底温度 523K 条件下生长的样品的俄歇电子谱表明,一部分锰淀积在 GaAs 的表面形成一层厚度约为 30 nm 的外延层,另一部分锰离子成功注入到 GaAs 基底里... GaAs 单晶 质量分析的低能离子束; [全文内容正在添加中] ......
VGF法生长4英寸GaAs单晶固液界面形状和热应力的数值模拟研究涂凡,苏小平,张峰燚,黎建明,丁国强,王思爱北京有色金属研究总院北京国晶辉红外光学科技公司摘 要:采用专业晶体生长数值模拟软件C rysMas,模拟了垂直梯度凝固法(VGF)生长4英寸GaAs单晶过程中的固液界面形状,发现晶体在生长过程中固液界面形状经历了由凹到凸的变化.数值模拟结果表明熔体中和晶体中的轴向温度梯度之比小于0.4时,固液界面为凸向熔体,与理论推导结果一致.模拟了晶体生长过程中固液界面附近的晶体中的热应力值,发现固液界面为平界面时晶体中的热应力具有最小值.推导计算了VGF GaAs单晶生长过程中固液界面凹(凸)度的临界值,当固液界面凹(凸)度小于该值时,晶体中的热应力低于临界剪切应力.关键词:数值模拟;垂直梯度......
Investigation of EL2 Defect in 10 MeV Electron Irradiated Undoped Semi－insulating LEC GaAs吴凤美,施毅,陈武鸣,吴红卫,赖启基,赵周英摘 要:ＩｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎｏｆＥＬ２Ｄｅｆｅｃｔｉｎ１０ＭｅＶＥｌｅｃｔｒｏｎＩｒｒａｄｉａｔｅｄＵｎｄｏｐｅｄＳｅｍｉ－ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇＬＥＣＧａＡｓＷｕＦｅｎｇｍｅｉ,ＳｈｉＹｉ,ＣｈｅｎＷｕｍｉｎｇ,ＷｕＨｏｎｇｗｅｉａｎｄＬａｉＱｉｊｉ(...关键词:......
Deep Levels in Undoped Semi-insulating Liquid Encapsulated Czochralski GaAs Detected by Photocurrent Measurement杨瑞霞,胡凯生,李光平,周智慧,郭小兵摘 要:ＤｅｐＬｅｖｅｌｓｉｎＵｎｄｏｐｅｄＳｅｍｉｉｎｓｕｌａｔｉｎｇＬｉｑｕｉｄＥｎｃａｐｓｕｌａｔｅｄＣｚｏｃｈｒａｌｓｋｉＧａＡｓＤｅｔｅｃｔｅｄｂｙＰｈｏｔｏｃｕｒｅｎｔＭｅａｓｕｒｅｍｅｎｔＹａｎｇＲｕｉｘｉａ(杨瑞霞)Ｄｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆ...关键词:......
Low Temperature Growth of GaAs on Si byIon Beam Cluster Technique余怀之,冯德伸,刘建平摘 要:ＬｏｗＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＧｒｏｗｔｈｏｆＧａＡｓｏｎＳｉｂｙＩｏｎＢｅａｍＣｌｕｓｔｅｒＴｅｃｈｎｉｑｕｅＹｕＨｕａｉｚｈｉ,ＦｅｎｇＤｅｓｈｅｎ,ＬｉｕＪｉａｎｐｉｎｇ(余怀之)(冯德伸)(刘建平)(ＧｅｎｅｒａｌＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｓｔｉｔｕ...关键词:......
Growth and Characterization of GaInP Layers on GaAs Substrates by MOCVD余庆选,彭瑞伍,励翠云,任尧成摘 要:<正> The ternary semiconductor Ga0.5In0.5Pmay be used in optoelectronics andmicrowave devices to overcome the problemssuch as the formations of DX centers andoxidation of Al that occurred frequently inAIGaAs.It can also be used as active regionsin GalnP......
High Hole Mobility of GaSb Relaxed Epilayer Grown on GaAs Substrate by MOCVD through Interfacial Misfit Dislocations ArrayK.M.LauDepartment of Electronic and Computer Engineering,Hong Kong University of Science & Technology摘 要:The structural property of GaSb epilayers grown on semi-insulator GaAs (001) substrate by metalorganic chemical vapor deposition......
空间生长GaAs材料多孔部分的俄歇能谱分析与阴极荧光形貌观察 蔚燕华1,李成基1,李韫言1 (1.中国科学院半导体研究所,北京,100083) 摘要:在空间生长SI-GaAs的某些部位有汽泡产生,经俄歇分析,汽泡表面约有10nm的砷层,它从半绝缘砷化镓内部逸出,导致其成为半导体.用阴极荧光形貌观测了其多晶结构. 关键词:砷化镓; 汽泡; 俄歇分析; 阴极荧光; [全文内容正在添加中] ......
离子束外延制备GaAs:Gd薄膜 杨少延1,李艳丽1,陈诺夫1,宋书林1,刘志凯1,周剑平1,尹志岗1 (1.中国科学院半导体所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083;2.中国科学院力学研究所,国家微重力实验室,北京,100080) 摘要:室温条件下,用低能离子束外延制备了GaAs:Gd薄膜,X射线衍射(XRD)结果表明除了GaAs衬底峰没有发现其它新相的衍射峰,并借助于高分辨X射线衍射(HR-XRD)进一步分析了晶格常数的变化特点.俄歇电子能谱(AES)分析了样品表面的成分,及元素随深度的分布规律,在60nm深处元素的相对含量发生明显改变,运用原子力显微镜(AFM)揭示了样品表面的形貌特点. 关键词:GaAs:Gd薄膜; 低能离子束外延; GaAs衬底; [全文内容正在添加中] ......
